射频氮化镓市场规模
| 研究期 | 2019 - 2029 |
| 市场规模 (2024) | USD 17亿美元 |
| 市场规模 (2029) | USD 40.3亿美元 |
| CAGR(2024 - 2029) | 18.76 % |
| 增长最快的市场 | 亚太地区 |
| 最大的市场 | 北美 |
| 市场集中度 | 中等的 |
主要参与者
*免责声明：主要玩家排序不分先后 |
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射频氮化镓市场分析
RF GaN 市场规模预计到 2024 年为 17 亿美元，预计到 2029 年将达到 40.3 亿美元，在预测期内（2024-2029 年）复合年增长率为 18.76%。
由于 RF GaN 在各种实时链接设备和应用中的使用带来的好处，预计更多行业将使用物联网 (IoT) 技术，这有望推动市场增长。随着 GaN 技术的不断发展，GaN 在更复杂的应用中实现了更高的频率，例如用于有线电视 (CATV) 的相控阵、雷达和基站收发器、甚小孔径终端 (VSAT) 和国防通信。
- RF GaN 在无线基础设施中发挥着关键作用，可提高效率并扩展带宽以支持不断提高的数据传输速度。 RF GaN 市场主要受到 5G 普及率的提高和无线通信技术进步的推动。电信运营商也可以从 GaN 功率晶体管的使用增加中受益。
- RF GaN 在电动汽车中的日益普及也是推动该市场需求的主要因素之一。碳化硅器件用于电动巴士、出租车、卡车和客车的车载电池充电器。此外，越来越多有利于电动汽车市场的政府法律刺激了 RF GaN 市场的需求。
- 制造自动驾驶汽车和无人机所需的基础设施是增加 RF GaN 技术需求的另一个因素。因此，各种应用（尤其是军事和国防）的自动驾驶汽车和无人机的采用和开发的增长预计将在预测期内进一步增加 RF GaN 器件的采用。
- GaN 固有的材料优势伴随着一些相关的制造挑战，包括成本以及器件加工和封装的优化。其他问题包括电荷捕获和电流崩溃，这些问题需要解决才能增加这些设备的采用。尽管基于 RF GaN 的器件（性能和良率）已取得重大改进，但碳化硅上氮化镓 (GaN-on-SiC) 进入主流应用（即无线电信基站）仍存在一些障碍或有线电视）。
- COVID-19 大流行影响了供应线和电信行业。这极大地阻碍了5G在电信领域的渗透。在这种危急情况下，消费者预计将继续使用手机，但他们中的大多数人可能无法对仍处于初级阶段的技术进行更多投资。
- 数据消耗的快速增长导致了商业网络的增长，并鼓励网络提供商采用下一代网络，例如 4G 和 5G。根据思科视觉网络指数，全球移动数据流量预计复合年增长率为 46%，到 2022 年将达到每月 77.5 艾字节。
- 世界各地的组织都在创新新产品并扩展业务。例如，2022 年 6 月，创新射频和微波功率解决方案提供商 Integra 宣布已开始向美国和欧洲的客户提供突破性的 100V 射频 GaN 技术。该公司还宣布扩大其 100V RF GaN 产品组合，推出七款面向航空电子、定向能、电子战、雷达和科学细分市场的新产品，在单个晶体管中提供高达 5kW 的功率水平。
射频氮化镓市场趋势
5G 实施的进步推动电信基础设施领域的强劲需求
- 电信行业作为全球数字化的主要推动者和市场环境正在发生全面变化的行业，被视为数字化转型技术的主要使用者。电信行业对互操作性和技术的投资促进了全球经济中资本和信息流动的范式转变，为整个行业全新商业模式的出现奠定了基础。
- 5G 技术预计将彻底改变各种宽带服务领域，并增强不同最终用户垂直领域的连接能力。提高 GaN 市场份额的主要因素是移动订阅量的增加、在线视频内容流、5G 基础设施以及使用 5G 的各种物联网应用。 5G 预计将支持跨多种场景的不同服务和相关服务需求。
- 目前，5G移动用户数量为42万，预计到2022年将达到4亿。随着全球5G技术推广的大幅增长，对RF GaN技术的需求预计将增加。
- 2022年5月，意法半导体（ST）和电信、工业、国防和数据中心行业半导体产品供应商MACOM Technology Solutions Holdings（MACOM）宣布生产射频硅基氮化镓（RF Gan-on-Si） ）原型。凭借这一成功，ST和MACOM将继续合作并扩大双方的关系。 ST 和 MACOM 正在开发的硅基氮化镓技术预计将通过集成到标准半导体工艺流程中来提供具有竞争力的性能和显着的规模经济。
- Qorvo 是为 2G、3G 和 4G 基站制造商提供射频解决方案的供应商之一。它在支持 6 GHz 以下和厘米波/毫米波无线基础设施的开发方面具有独特的市场定位。 Qorvo 一直在投资涵盖 3.5、4.8 和 28、39GHz 等相关 5G 频段的产品解决方案来服务市场，主要是为了赋能 5G。
- 5G 基础设施对密集、小规模天线阵列的需求导致射频 (RF) 系统中的电源和热管理面临重大挑战。凭借改进的宽带性能、效率和功率密度，GaN 器件为解决这些挑战的更紧凑的解决方案提供了潜力。
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亚太地区预计将出现显着增长
- 亚太地区分立半导体产业由中国、日本、台湾和韩国推动，约占全球分立半导体市场的65%。相比之下，越南、泰国、马来西亚和新加坡等其他国家则为该地区的市场主导地位做出了贡献。
- 据印度电子与半导体协会预测，印度半导体元件市场复合年增长率（2018-2025年）将达到10.1%，到2025年将达到323.5亿美元。该国是全球研发中心的重要目的地。因此，印度政府正在进行的印度制造计划预计将为半导体市场带来大量投资。印度政府的此类举措将利用 RF GaN 市场。
- 2022年2月，GaN集成电路(IC)供应商纳微半导体宣布参加中国国际金融有限公司(CICC)投资者大会。该公司专有的 GaN 功率 IC 将 GaN 功率和 GaN 驱动、控制和保护集成在单个 SMT 封装中。这种参与将利用该地区的 GaN 市场。
- 由于投资者对开发支持 5G 技术的基础设施的兴趣日益浓厚，整个亚太地区对 RF GaN 的需求预计将增加。例如，根据GSMA的数据，到2025年，这家亚太移动运营商预计将花费超过4000亿美元，其中3310亿美元将用于5G部署。
- 随着中国经济从制造驱动型经济转向创新驱动型经济，中国 RF GaN 公司的增长是更广泛趋势的一部分。中国市场对商业无线电信应用的需求呈爆炸式增长，中国企业已经在开发下一代电信网络。
- 此外，2021年12月，印度IIT坎普尔分校的研究人员开发了一种高性能、行业标准的铝氮化镓（AlGaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）模型。该模型提供了一种简单的设计方法，可用于制造高功率射频电路。射频电路包括用于无线传输的放大器和开关，可用于航空航天和国防应用。研究人员的不断创新将推动该地区 RF GaN 市场的增长。
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射频氮化镓行业概况
由于雷神技术公司、STM 微电子公司等一些关键参与者的存在，RF GaN 市场参与者之间的竞争非常激烈。他们不断创新产品的能力使他们能够比其他参与者获得竞争优势。通过研发、战略合作伙伴关系和并购，这些参与者已经能够在市场上站稳脚跟。
2022 年 6 月，连接世界的创新射频解决方案的杰出供应商 Qorvo 被美国国防部 (DoD) 选中，继续开展国内最先进技术 (SOTA) 的高级集成互连和制造增长项目) RF GaN 计划，也称为 STARRY NITE，是国防研究与工程副部长办公室 (OUSD RE) 微电子路线图的一部分。该计划旨在开发和成熟国内开放式 SOTA RF GaN 代工厂，与国防部的先进封装生态系统保持一致。
2022年5月，意法半导体和工业、电信、国防和数据中心行业半导体产品的重要供应商MACOM Technology Solutions Holdings Inc.宣布成功生产RF硅基氮化镓(RF Gan-on-Si)原型。凭借这一成就，ST和MACOM将继续合作并加强双方的关系。
射频氮化镓市场领导者
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Mitsubishi Electric Corporation
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STMicroelectronics NV
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Qorvo Inc.
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Analog Devices Inc.
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Raytheon Technologies
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射频氮化镓市场新闻
- 2022 年 9 月：MaxLinear Inc. 和 RFHIC 宣布合作，为 5G 宏蜂窝无线电提供可投入生产的 400MHz 功率放大器解决方案，利用 MaxLinear MaxLIN 数字预失真和波峰因数降低技术来优化 RFHIC 最新 ID-400W 系列 GaN RF 晶体管的性能。将 RFHIC 的双反向 GaN RF 晶体管 ID41411DR 与 MaxLIN DPD 相结合，并使其作为预先验证的解决方案提供，将使无线电接入网络 (RAN) 产品开发人员能够快速为所有全球 5G 中频部署提供超宽带 400MHz 宏 PA高功率效率和低排放。
- 2022 年 6 月：对于其 100 V RF GaN 产品系列，Integra 宣布在单个晶体管中再添加 7 个功率级别高达 5 kW 的器件，用于航空电子设备、定向能、电子战、雷达和科学应用领域。这些产品采用 Integra 的 100 V RF GaN 技术，该技术旨在在单个晶体管中提供最大功率和效率，同时保持稳定的工作结温。
射频氮化镓市场报告 - 目录
1. 介绍
1.1 研究假设和市场定义
1.2 研究范围
2. 研究方法论
3. 执行摘要
4. 市场洞察
4.1 市场概况
4.2 行业价值链分析
4.3 行业吸引力——波特五力分析
4.3.1 新进入者的威胁
4.3.2 买家的议价能力
4.3.3 供应商的议价能力
4.3.4 替代产品的威胁
4.3.5 竞争激烈程度
4.4 技术快照
4.5 COVID-19 对行业影响的评估
5. 市场动态
5.1 市场驱动因素
5.1.1 5G 实施的进步推动电信基础设施领域的强劲需求
5.1.2 高性能和小外形等有利属性
5.2 市场限制
5.2.1 成本和运营挑战
6. 市场细分
6.1 按申请
6.1.1 军队
6.1.2 电信基础设施（回程、RRH、大规模 MIMO、小型基站）
6.1.3 卫星通讯
6.1.4 有线宽带
6.1.5 商业雷达和航空电子设备
6.1.6 射频能量
6.2 按材料类型
6.2.1 硅基氮化镓
6.2.2 碳化硅基氮化镓
6.2.3 其他材料类型（GaN-on-GaN、GaN-on-Diamond）
6.3 地理
6.3.1 北美
6.3.2 欧洲
6.3.3 亚太地区
6.3.4 中东和非洲
7. 竞争格局
7.1 公司简介
7.1.1 Aethercomm Inc.
7.1.2 Analog Devices Inc.
7.1.3 Wolfspeed Inc. (Cree Inc.)
7.1.4 Integra Technologies Inc.
7.1.5 MACOM Technology Solutions Holdings Inc.
7.1.6 Microsemi Corporation (Microchip Technology Incorporated)
7.1.7 Mitsubishi Electric Corporation
7.1.8 NXP Semiconductors NV
7.1.9 Qorvo Inc.
7.1.10 STMicroelectronics NV
7.1.11 Sumitomo Electric Device Innovations Inc.
7.1.12 HRL Laboratories
7.1.13 Raytheon Technologies
7.1.14 Mercury Systems, Inc
8. 投资分析
9. 市场机会和未来趋势
射频氮化镓行业细分
GAN 在射频应用中脱颖而出，有几个原因，例如高击穿场、高饱和速度和强大的热性能，因为它们在长距离或高端功率水平传输信号方面发挥了重要作用。
该报告按应用（军事、电信基础设施、卫星通信、有线宽带、商业雷达和航空电子设备以及射频能源）、材料（碳化硅氮化镓和硅基氮化镓）和地理（北美、欧洲、亚太地区、中东和非洲）。上述所有细分市场的市场规模和预测均按价值（百万美元）提供。
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射频氮化镓市场研究常见问题解答
RF GaN 市场有多大？
RF GaN市场规模预计到2024年将达到17.0亿美元，并以18.76%的复合年增长率增长，到2029年将达到40.3亿美元。
目前 RF GaN 市场规模有多大？
2024年，RF GaN市场规模预计将达到17亿美元。
RF GaN 市场的主要参与者是谁？
Mitsubishi Electric Corporation、STMicroelectronics NV、Qorvo Inc.、Analog Devices Inc.、Raytheon Technologies是射频GaN市场的主要公司。
RF GaN 市场增长最快的地区是哪个？
预计亚太地区在预测期内（2024-2029 年）复合年增长率最高。
哪个地区在 RF GaN 市场中占有最大份额？
2024年，北美将占据射频GaN市场最大的市场份额。
这个RF GaN市场涵盖了哪些年份？2023年市场规模是多少？
2023年，RF GaN市场规模预计为14.3亿美元。该报告涵盖了 RF GaN 市场历年市场规模：2019 年、2020 年、2021 年、2022 年和 2023 年。该报告还预测了 RF GaN 市场历年规模：2024 年、2025 年、2026 年、2027 年、2028 年和 2029 年。
射频氮化镓行业报告
Mordor Intelligence™ 行业报告创建的 2024 年 RF GaN 市场份额、规模和收入增长率统计数据。 RF GaN 分析包括 2029 年的市场预测展望和历史概览。获取此行业分析的样本（免费下载 PDF 报告）。
