| 研究期 | 2019 - 2029 |
| 估计的基准年 | 2023 |
| CAGR | 4.00 % |
| 增长最快的市场 | 亚太地区 |
| 最大的市场 | 北美 |
| 市场集中度 | 低的 |
主要参与者
*免责声明：主要玩家排序不分先后 |
下一代晶体管市场分析
下一代晶体管市场预计在预测期内将以 4% 的复合年增长率增长。主要是由于消费电子市场的增长。市场上最新的智能手机中存在 10 亿个晶体管，确保设备运行速度更快。据IBEF统计，印度智能手机市场收入近期突破380亿美元，同比增长27%。此外，顶级智能手机公司小米在 2022 年第二季度的出货量为 3950 万台。
- 半导体材料代表了电子行业的重大创新之一。这可以归因于它们的高电子迁移率、宽温度限制和低能耗。根据SEMI的数据，2022年全球原始设备制造商的半导体制造设备总销售额达到创纪录的1175亿美元，比2021年1025亿美元的行业高点增长14.7%，预计2023年将增长1208亿美元。
- 消费设备中先进功能的范围不断扩大也刺激了对快速实时处理的需求。此外，随着物联网的出现，人工智能、数据分析、实时数据传输和处理等功能正在成为任何先进设备的基本必需品，为所研究的市场供应商创造了巨大的机会。此外，台积电在该公司的 2022 年北美技术研讨会上展示了其即将推出的制造工艺技术，重点是其下一代 2nm 节点（内部称为 N2）的细节。该公司将于 2022 年底投入 3nm 节点的生产。
- 此外，2022 年 4 月，科学家们创造了他们认为的第一个磁电晶体管，可以帮助提高电子产品的能效。除了抑制包含该技术的微电子设备的能耗之外，该团队的设计还可以将存储特定数据所需的晶体管数量减少多达 75%，从而使设备变得更小。它还可以为这些微电子设备提供钢陷阱存储器，即使在关闭或突然断电后，它也能准确记住用户离开的位置。
- 此外，市场上的许多参与者正在转向在制造过程中使用纳米片。例如，2022 年 6 月，台湾芯片制造商台积电公布了其备受期待的 2nm 生产工艺节点的详细信息（预计将于 2025 年推出），该节点将使用纳米片晶体管架构并增强其 3nm 技术。据该公司称。新一代硅半导体芯片的速度预计将提高。随着工艺节点的缩小以及科技行业继续努力遵守摩尔定律，它们将变得更加节能。
- 此外，后Covid 19正在影响半导体和其他电子元件行业的生产和制造能力。例如，据中国媒体报道，2022 年 6 月，深圳 Omicron 停工迫使全球最大电子市场之一华强北再次部分关闭。华强北是半导体、手机和其他电子产品的供应中心，位于深圳市福田区。据财经媒体财联社报道，随着深圳加强控制高传染性Omicron Covid-19传播的措施，华强北的部分商户已暂时停止营业。这些商户包括华强电子天地一店和二店。
下一代晶体管市场趋势
越来越多地采用高电子迁移率晶体管 (HEMT)
- 高电子迁移率晶体管产生高增益，使这些晶体管非常适合用作放大器。他们可以快速切换速度。由于这些晶体管中的电流变化相对较低，因此产生浅噪声值。
- 许多公司正在开发比传统晶体管工作频率更高的 HEMT 器件。例如，2022 年 11 月，Nanoscience Technology 宣布推出一款新型低 RDS(on) 650V E 模式 GaN HEMT 器件。采用标准 8x8 DFN 封装，INN650D080BS 功率晶体管的导通电阻为 80m（典型值 60m），可实现更高功率的应用，例如图腾柱 LLC 架构或快速电池充电器。
- 例如，2022年9月，Ampleon推出了新型CLL3H0914L-700 GaN-SiC高电子迁移率晶体管。这种坚固耐用的 GaN 晶体管针对需要长脉冲宽度和高占空比的雷达执行进行了优化。该晶体管经过精心设计，可在 50V 电压下实现超过 700W 的峰值输出功率，同时在 50V 电压下工作，效率超过 70%，业界领先，并针对长脉冲应用（例如脉冲宽度（~2毫秒）和 20% 占空比。
- 此外，消费电子产品的需求不断增长以及高电子迁移率晶体管的适用性推动了市场的增长。据 IBEF 称，印度家电和消费电子行业目前的规模为 98.4 亿美元，预计到 2025 年将增长一倍以上，达到 14.8 亿印度卢比（211.8 亿美元）。消费电子领域的此类发展将进一步推动所研究的市场增长。
- 此外，意法半导体最近发布了一个新的氮化镓器件系列，命名为STi2GaN，代表意法半导体智能集成氮化镓。这些器件采用意法半导体的无键合线封装技术来提供坚固性和可靠性。新产品系列旨在利用 GaN 的高功率密度和效率来提供一系列 100V 和 650V 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 器件。
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亚太地区将经历显着的市场增长
- 亚太地区是一个电子中心，每年生产数十亿电子设备供消费，特别是在该地区。然而，亚太地区在全球电子元件出口方面发挥着重要作用。该地区消费电子市场的快速增长是亚太地区在全球下一代晶体管市场中的关键增长因素。
- 此外，该地区的发展中经济体，如中国和日本，拥有庞大的电子制造基地，有潜力成为晶体管市场的重要参与者。此外，下一代手机将完全专注于提高具有更好规格的手机的性能。集成更多晶体管预计将导致手机体积更小、处理速度更快，从而完美满足消费者的需求。 IBEF 的数据显示，2022 年第一季度印度制造智能手机的出货量同比增长 7%，达到超过 4800 万部，其中印度制造的智能手机出货量超过 1.9 亿部。
- 据IBEF称，2019年国家电子政策的目标是到2025年生产10亿部手机，价值1900亿美元，其中可能出口6亿部手机，价值1000亿美元。
- 此外，中国已将半导体产业的增长作为中国制造2025议程的关键组成部分，以改变这种状况。中国打算增加其电子产品市场份额，同时让本地芯片生产满足国内 14 亿公民日常使用的众多智能手机、个人电脑和其他设备 80% 的需求。所有这些因素预计将支持市场扩张。
- 此外，该地区在半导体市场上还有三星、英特尔和台积电等多家企业。这些公司承认，从 2023 年开始，使用 3nm 或 2nm 技术代的逻辑器件生产将逐渐从主力 FinFET 晶体管架构转向纳米片状架构。
- 此外，韩国第三大企业集团 SK 集团将于 2022 年 4 月收购 Yes Powertechnix，后者是国内唯一一家基于硅和碳化物 (SiC) 组件的功率半导体制造商，硅和碳化物 (SiC) 正成为新兴产业的关键组件。电动汽车，作为整个集团加强电池相关业务努力的一部分。 SK Inc.表示将购买管理权并进一步斥资1200亿韩元（9500万美元）收购Yes Powertechnix 95.8%的股份。此外，该公司最近投资268亿韩元收购了Yes Powertechnix 33.6%的股权。这种发展可能会刺激该地区的需求。
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下一代晶体管行业概述
下一代晶体管市场竞争非常激烈。半导体行业本身正在经历一个专业化阶段。从历史上看，该行业一直专注于生产可以执行多种通用功能的计算机芯片。这些芯片在某种程度上是相互关联的。但如今，半导体的应用更加细致和差异化，导致在各个垂直领域拥有专业知识的利基参与者激增。此外，在这个行业中，除了像英特尔这样设计、制造和制造半导体产品的少数主要参与者外，许多参与者都将其功能外包。这使得该行业与全球供应链紧密相连，并使该行业竞争激烈、协作深入。
- 2022 年 6 月 - GaN（氮化镓）功率半导体跨国公司 GaN Systems 推出了业界最广泛的 GaN 功率晶体管产品组合中的新型晶体管。 GS-065-018-2-L 扩展了该公司的高性能、低成本晶体管产品组合，具有更低的导通电阻、更高的稳健性和热性能以及 850V VDS（瞬态）额定值。
下一代晶体管市场领导者
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NXP Semiconductors N.V.
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Infineon Technologies AG
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STMicroelectronics N.V.
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Fairchild Semiconductor International, Inc. (ON Semiconductor Corp.)
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Texas Instruments Incorporated
- *免责声明：主要玩家排序不分先后
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下一代晶体管市场新闻
- 2022 年 9 月 - EPC Power Conversion Corporation 推出 EPC2050，这是一款 350 V GaN 晶体管，最大 RDS(on) 为 80 mΩ，脉冲输出电流为 26 A。EPC2050 的尺寸仅为 1.95 mm x 1.95 mm，从而打造了基于 EPC2050 的解决方案比使用同等硅器件的解决方案小十倍。
- 2022 年 7 月 - Magnachip 半导体公司宣布推出一款用于无线耳机电池的新型 24V 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。新型 24V MOSFET 满足了电池设计人员的目标，即通过减少传导损耗来延长快速充电后的电池寿命。与之前的版本相比，这款新产品的核心单元密度增加了30%，同时核心单元、终端和源极焊盘的设计也得到了增强，使RDS(on)降低了24%。
- 2022 年 3 月 - 恩智浦半导体宣布推出适用于 32T32R 有源天线系统的新型 RF GaN 功率晶体管，该晶体管采用其最落后的专有氮化镓 (GaN) 技术。该独特系列补充了恩智浦现有的用于 64T64R 无线电的分立式 GaN 功率放大器解决方案产品组合，可保护 2.3GHz 至 4.0GHz 的所有蜂窝频段。
下一代晶体管行业细分
晶体管是一种放大或切换电信号和功率的半导体器件。晶体管是现代电子产品的基本构建模块之一。该研究分析了各种类型晶体管的市场，这些晶体管正在不断发展并在制造过程中使用硅以外的新兴材料。
下一代晶体管市场按类型细分（高电子迁移率晶体管（HEMT）、双极结晶体管（BJT）、场效应晶体管（FET）、多发射极晶体管（MET）、双栅极金属氧化物半导体场效晶体管）、最终用户行业（航空航天与国防、工业、电信、消费电子产品）和地理。上述所有细分市场的市场规模和预测均按价值（百万美元）提供。该研究范围还涵盖了 Covid-19 对市场及其受影响组成部分的影响。此外，有关驱动因素和限制因素的调查也涵盖了影响市场扩张的因素的破坏。
| 按类型 | 高电子迁移率晶体管 (HEMT) |
| 双极结型晶体管 (BJT) | |
| 场效应晶体管 (FET) | |
| 多发射极晶体管 (MET) | |
| 双栅金属氧化物半导体场效晶体管 | |
| 按最终用户行业 | 航空航天与国防 |
| 工业的 | |
| 电信 | |
| 消费类电子产品 | |
| 按地理 | 北美 |
| 欧洲 | |
| 亚太地区 | |
| 拉美 | |
| 中东和非洲 |
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下一代晶体管市场研究常见问题解答
当前下一代晶体管市场规模有多大？
下一代晶体管市场预计在预测期内（2024-2029 年）复合年增长率为 4%
谁是下一代晶体管市场的主要参与者？
NXP Semiconductors N.V.、Infineon Technologies AG、STMicroelectronics N.V.、Fairchild Semiconductor International, Inc. (ON Semiconductor Corp.)、Texas Instruments Incorporated 是下一代晶体管市场的主要公司。
下一代晶体管市场增长最快的地区是哪个？
预计亚太地区在预测期内（2024-2029 年）复合年增长率最高。
哪个地区在下一代晶体管市场中占有最大份额？
2024年，北美将占据下一代晶体管市场最大的市场份额。
下一代晶体管市场涵盖哪些年份？
该报告涵盖了下一代晶体管市场的历史市场规模：2019年、2020年、2021年、2022年和2023年。该报告还预测了未来几年的下一代晶体管市场规模：2024年、2025年、2026年、2027年、2028年和2029年。
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