下一代内存市场规模和份额分析 - 增长趋势和预测(2024 - 2029 年)

该报告涵盖了全球下一代内存市场规模和趋势。市场按技术(易失性和非易失性)、应用(BFSI、消费电子、政府、电信和信息技术)和地理进行细分。上述所有细分市场的市场规模和预测均按价值(百万美元)提供。

下一代内存市场规模和份额分析 - 增长趋势和预测(2024 - 2029 年)

下一代内存市场规模

下一代内存市场摘要
研究期 2019 - 2029
市场规模 (2024) USD 8.97 Billion
市场规模 (2029) USD 31.92 Billion
CAGR (2024 - 2029) 28.90 %
增长最快的市场 亚太
最大的市场 北美
市场集中度 低的

主要参与者

下一代内存市场主要参与者

*免责声明:主要玩家排序不分先后

下一代内存市场分析

2024年下一代存储器市场规模预计为69.6亿美元,预计到2029年将达到247.6亿美元,在预测期内(2024-2029年)复合年增长率为28.90%。

  • 人工智能(AI)、机器学习(ML)、物联网(IoT)、大数据等新兴技术对高带宽、高可扩展性和低功耗的存储设备的需求日益增长。这加上对企业存储的需求不断增长,是推动所研究市场增长的最重要因素之一。
  • 数据的快速增长增加了工作场所对更好的内存和存储的需求。较旧的内存系统无法跟上不断增长的数据量、对更多带宽的需求以及新系统的速度。
  • 随着对通用存储设备的需求不断增加,大多数新的存储技术都旨在成为通用存储设备,以用更好的技术取代层次结构中的成员之一。高端笔记本电脑使用固态闪存芯片而不是巨大的机械硬盘,并使用云而不是磁带驱动器进行备份。近日,英特尔发布了Optane,它采用3D XPoint技术,接近通用内存。这主要是一个闪存驱动器,具有足够快的非易失性存储器,可以充当 RAM。
  • 新兴的非易失性存储器技术,如 MRAM、STT-RAM、FRAM、相变存储器 (PCM) 和 ReRAM,结合了 SRAM 的速度、DRAM 的密度和闪存的非易失性。因此,这些都是未来内存技术的可能补充。此外,实施下一代信息娱乐系统和 ADAS 会将 DRAM 内存技术与显着更高的性能和低功耗功能相结合。
  • 此外,对企业存储应用程序不断增长的需求正在推动市场发展。 BFSI 等最终用户行业对物联网技术进行了大量投资,并获得了丰厚的经济回报。例如,嵌入式 MRAM 对于物联网等应用来说是一项很有前景的技术。此外,其他下一代存储器(例如 3D Xpoint)的传输速度比当前 SSD 快数倍。
  • 考虑到不断增长的需求,市场上的供应商不断致力于推出新产品来瞄准新兴应用领域。例如,最近,三星电子宣布推出下一代存储芯片,有望将速度提高一倍,并提供迄今为止最广泛的容量。该公司推出这些下一代芯片是为了满足数据中心和人工智能应用不断增长的需求。
  • 然而,极端环境条件下缺乏稳定性正在限制市场。尽管最近技术取得了进步,但这些存储设备在耐用性和可靠性方面仍受到恶劣环境条件的显着影响。例如,存储设备承受的热应力越大,其损坏的风险就越大,这对市场的增长提出了挑战。
  • COVID-19 的全球爆发对所研究市场的增长产生了显着影响。然而,在大流行后的情况下,供应链中断情况有所改善,新IT基础设施投资增长,数字技术采用增长对需求产生积极影响,这些因素预计将为所研究的市场创造增长机会。

下一代存储器产业概况

下一代内存市场是分散的,因为该市场竞争激烈并且由几个主要参与者组成。该行业的竞争主要取决于通过创新实现的可持续竞争优势、市场渗透水平以及竞争战略的力量。由于市场是资本密集型的​​,退出壁垒也很高。该市场的一些主要参与者包括英特尔公司、东芝公司、富士通有限公司等。

  • 2023 年 7 月:三星电子宣布成功开发出突破性的图形双倍数据速率 7 (GDDR7) DRAM。这一非凡成就将主要集中于今年为选定的客户验证其在下一代系统中的有效性。这样的发展预计将为图形市场的增长做出重大贡献,并进一步确立三星作为该领域领先创新者的地位。值得注意的是,三星 GDDR7 的带宽高达 1.5 TBps,比 GDDR6 的性能高出 1.4 倍,并且每个引脚的速度高达 32 Gbps。
  • 2023 年 5 月:美光科技宣布计划未来几年在日本投资高达 5000 亿日元(36 亿美元),在日本政府的支持下扩大其下一代存储芯片业务。这一战略举措体现了日本政府振兴半导体产业、增强国家芯片供应链的决心。这也符合他们向日本引进先进芯片技术的努力,特别是考虑到美国和中国之间日益紧张的局势。

下一代内存市场领导者

  1. Intel Corporation

  2. Toshiba Corporation

  3. Fujitsu Ltd

  4. Honeywell International Inc.

  5. Micron Technology Inc.

  6. *免责声明:主要玩家排序不分先后
下一代内存市场集中度
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下一代内存市场新闻

  • 2023 年 10 月:三星在内存技术日推出了下一代内存解决方案,旨在为超大规模应用提供先进的人工智能模型方面发挥重要作用。该公司推出了一系列前沿的内存解决方案,如最新的Shinebolt HBM3e内存、基于LPDDR封装模块的LPDDR5X CAMM2解决方案,以及通过存储虚拟化可以方便使用的可拆卸AutoSSD。这款创新芯片有可能彻底改变未来 PC 和笔记本电脑 DRAM 市场。
  • 2023 年 8 月:SK 海力士公司凭借其最新的下一代高带宽存储器 (HBM) 引发了半导体技术竞赛。 SK海力士已成功打造第五代DRAM产品,称为HBM3E,专为高性能人工智能(AI)应用而设计。 HBM 是一种有价值的高性能芯片,它通过垂直链接多个 DRAM 来提高数据处理速度,超越了传统 DRAM 的能力。

下一代内存市场报告 - 目录

1. 介绍

  • 1.1 研究假设和市场定义
  • 1.2 研究范围

2. 研究方法论

3. 执行摘要

4. 市场洞察

  • 4.1 市场概况
  • 4.2 行业价值链分析
  • 4.3 行业吸引力——波特五力分析
    • 4.3.1 新进入者的威胁
    • 4.3.2 买家的议价能力
    • 4.3.3 供应商的议价能力
    • 4.3.4 替代产品的威胁
    • 4.3.5 竞争激烈程度
  • 4.4 COVID-19 对市场的影响

5. 市场动态

  • 5.1 市场驱动因素
    • 5.1.1 对通用存储设备的需求
    • 5.1.2 对企业存储应用程序的需求不断增长
  • 5.2 市场限制
    • 5.2.1 极端环境条件下缺乏稳定性

6. 市场细分

  • 6.1 按技术
    • 6.1.1 非挥发性
    • 6.1.1.1 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
    • 6.1.1.2 铁电 RAM (FRAM)
    • 6.1.1.3 电阻式随机存取存储器 (ReRAM)
    • 6.1.1.4 3D X点
    • 6.1.1.5 纳米内存
    • 6.1.1.6 其他非易失性技术(相变 RAM、STT-RAM 和 SRAM)
    • 6.1.2 易挥发的
    • 6.1.2.1 混合存储立方体 (HMC)
    • 6.1.2.2 高带宽内存 (HBM)
  • 6.2 按申请
    • 6.2.1 BFSI
    • 6.2.2 消费类电子产品
    • 6.2.3 政府
    • 6.2.4 电信
    • 6.2.5 信息技术
    • 6.2.6 其他应用
  • 6.3 按地理
    • 6.3.1 北美
    • 6.3.2 欧洲
    • 6.3.3 亚太
    • 6.3.4 拉美
    • 6.3.5 中东和非洲

7. 竞争格局

  • 7.1 公司简介
    • 7.1.1 Intel Corporation
    • 7.1.2 Toshiba Corporation
    • 7.1.3 Fujitsu Ltd
    • 7.1.4 Honeywell International Inc.
    • 7.1.5 Micron Technologies Inc.
    • 7.1.6 IBM Corporation
    • 7.1.7 Sony Corporation
    • 7.1.8 Samsung Electronics Co. Ltd
    • 7.1.9 Crossbar Inc.
    • 7.1.10 Cypress Semiconductor Corporation
    • 7.1.11 Avalanche Technologies Inc.
    • 7.1.12 Adesto Technologies
    • 7.1.13 Everspin Technologies Inc.
    • 7.1.14 SK Hynix Inc.
    • 7.1.15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC)

8. 投资分析

9. 未来市场前景

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下一代存储器行业细分

下一代内存可以定义为应用于硬件或软件重大升级的标准标签。由于对更快、更高效和更具成本效益的内存解决方案的需求不断增加,下一代内存市场在过去几年中不断增长。大数据和人工智能 (AI) 应用推动了许多行业的创新,包括机器学习。

下一代存储器市场按技术细分[非易失性(磁阻随机存取存储器、铁电 RAM、电阻式随机存取存储器、3D Xpoint、纳米 RAM 和其他非易失性技术)和易失性(混合存储器)立方体,高带宽内存)],按应用(BFSI、消费电子、政府、电信、信息技术和其他应用)以及地理位置(北美、欧洲、亚太地区、拉丁美洲以及中东和非洲) )。上述所有细分市场的市场规模和预测均按价值(美元)提供。

按技术 非挥发性 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
铁电 RAM (FRAM)
电阻式随机存取存储器 (ReRAM)
3D X点
纳米内存
其他非易失性技术(相变 RAM、STT-RAM 和 SRAM)
易挥发的 混合存储立方体 (HMC)
高带宽内存 (HBM)
按申请 BFSI
消费类电子产品
政府
电信
信息技术
其他应用
按地理 北美
欧洲
亚太
拉美
中东和非洲
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下一代内存市场研究常见问题解答

下一代内存市场有多大?

下一代存储器市场规模预计将在 2024 年达到 69.6 亿美元,并以 28.90% 的复合年增长率增长,到 2029 年将达到 247.6 亿美元。

当前下一代内存市场规模有多大?

2024年,下一代存储器市场规模预计将达到69.6亿美元。

下一代内存市场的主要参与者是谁?

Intel Corporation、Toshiba Corporation、Fujitsu Ltd、Honeywell International Inc.、Micron Technology Inc. 是下一代内存市场的主要公司。

下一代内存市场增长最快的地区是哪个?

预计亚太地区在预测期内(2024-2029 年)复合年增长率最高。

哪个地区在下一代内存市场中占有最大份额?

2024年,北美将占据下一代内存市场最大的市场份额。

下一代内存市场涵盖哪些年份?2023 年市场规模是多少?

到2023年,下一代内存市场规模估计为54亿美元。该报告涵盖了下一代内存市场多年来的历史市场规模:2019年、2020年、2021年、2022年和2023年。该报告还预测了下一代内存市场年份规模:2024年、2025年、2026年、2027年、2028年和2029年。

下一代内存行业报告

Mordor Intelligence™ 行业报告创建的 2024 年下一代内存市场份额、规模和收入增长率统计数据。下一代内存分析包括 2029 年的市场预测展望和历史概述。获取此行业分析的样本(免费下载 PDF 报告)。