GaN 半导体器件市场规模和份额分析 - 增长趋势和预测(2024 年 - 2029 年)

该报告涵盖了全球氮化镓半导体器件市场份额和分析,并按类型(功率、光电、射频)、器件(晶体管、二极管、整流器、功率 IC)、最终用户行业(消费电子、汽车、航空航天和国防、医疗、信息通信和技术)和地区。

氮化镓(GaN)半导体器件市场规模

氮化镓(GaN)半导体器件市场分析

GaN半导体器件市场预计在预测期内复合年增长率为17.21%。 GaN(氮化镓)正在整个电力电子领域带来创新转变。几十年来,硅基金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 一直是现代世界不可或缺的一部分,有助于将能量转化为电力。 GaN 正在取代硅成为电源开关技术的支柱,因为它可以通过更好的电源系统性能、效率和系统成本来满足不断增长的需求。

  • GaN 用于生产半导体功率器件、射频元件和发光二极管 (LED)。它颠覆了射频、功率转换和模拟应用中使用的硅半导体技术。半导体支出的增加对所考虑的市场的增长产生积极影响。
  • 此外,半导体市场对射频需求不断增长、消费电子行业(尤其是基于 LED 的照明和显示器)的增长,以及电动汽车、电力输送、和光伏逆变器。
  • 此外,与硅和砷化镓相比,GaN 具有成本效益并且无需冷却要求。此外,GaN 器件的生产成本远低于 MOSFET 器件的生产成本,因为 GaN 器件是在制造传统硅半导体的同一工厂中使用标准硅制造程序制造的,并且 GaN 器件对于相同的功能性能,要小得多。
  • 半导体器件制造商正在每个电路中集成越来越多的无源元件,导致电路设计复杂性和物理访问限制增加。这需要使用无差错掩模进行显着的图案化,以将图案转移到晶圆上,而没有任何错误或缺陷。因此,原始设备制造商对设备性能优势的迫切需求推动了市场研究。
  • 此外,随着宽带隙(WBG)材料的不断发展,市场供应商被激励在不影响性能的情况下制造小市场产品。 GaN 对功率转换和电机驱动电路中使用的基本无源元件提出了一些独特的挑战,以适应半导体工艺的创新步伐。
  • COVID-19 大流行导致全球各行业供应链严重中断,全球许多企业因此停止或减少运营,以帮助对抗病毒的传播。疫情对所研究的市场产生了影响,导致整个原材料​​生产和零部件生产供应链的运营水平下降。这表明各个国家和地区的销售额均出现下降。

氮化镓 (GaN) 半导体器件行业概述

GaN 半导体器件市场本质上竞争激烈。市场上的一些重要参与者包括东芝电子器件及存储公司、GaN Systems、英飞凌科技股份公司、高效功率转换公司、恩智浦半导体等。这些公司正在通过建立多个合作伙伴关系并投资推出新产品来增加市场份额,以在预测期内赢得竞争优势。

2022 年 7 月,GaN Systems 与 PowerSphyr Advance 合作提供全面的无线电源解决方案。两家公司宣布建立合作伙伴关系,为全球工业和汽车应用提供业界首个端到端无线电源解决方案组合(30瓦、100瓦和500瓦)。此次合作将 GaN Systems 业界领先的 GaN 半导体与 PowerSphyr 多年的电源技术专业知识相结合。例如,除了发射器之外,PowerSphyr 还在无线充电解决方案的接收器上实施 GaN 系统的功率半导体。这一组合彻底改变了游戏规则,提供了高性能、易于使用且完全无线充电的解决方案。

2022 年 7 月,英飞凌科技股份公司与台达电子合作开发基于 WBG 的服务器和游戏 PC 电源解决方案,为最终客户提供卓越的解决方案。最新的合作实例包括台达的1.6kW Titanium游戏电源平台和1.4kW服务器电源。 1.4千瓦服务器电源利用英飞凌科技的CoolSiC MOSFET技术和台达数十年的核心电力电子能力,可实现96%的效率。另一个最高效率的实例是由英飞凌 CoolGaN 技术提供支持并辅以 EiceDRIVER 栅极驱动器 IC 的 1.6 kW 游戏电源平台。该设计在宽范围输入和多路输出下效率高达96%,满足工业领域的钛金标准。这种 600 伏增强模式 HEMT 采用交错图腾柱 PFC 拓扑,由英飞凌的 CoolGaN GIT 实现。

氮化镓 (GaN) 半导体器件市场领导者

  1. GaN Systems

  2. Infineon Technologies AG

  3. Efficient Power Conversion Corporation

  4. Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

  5. NXP Semiconductors

  6. *免责声明:主要玩家排序不分先后
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氮化镓 (GaN) 半导体器件市场新闻

  • 2022 年 6 月:GaN Systems 在业界最广泛的 GaN 功率晶体管产品组合中推出了一款新型高性能、低成本晶体管,适用于消费、工业和数据中心应用。 GS-065-018-2-L 扩展了该公司的高性能、低成本晶体管产品组合,具有更低的导通电阻、更高的稳健性和热性能以及 850V VDS(瞬态)额定值。该晶体管的行业标准 88 mm PDFN 外形尺寸可简化客户采用、可扩展性和商业化。 GS-065-018-2-L 是一款 650V、18A、78 m-ohm 底侧冷却晶体管,非常适合笔记本电脑和游戏机的更小、更轻的消费类适配器以及电视和服务器 SMPS 中更高的功率密度和效率。
  • 2022 年 2 月:英飞凌科技股份公司通过大幅增加宽带隙(SiC 和 GaN)半导体的制造能力,加强其在功率半导体领域的市场领导地位。该公司正在投资超过 20 亿欧元(21.2 亿美元)在其位于马来西亚居林的工厂建造第三个模块。一旦装备齐全,新模块将通过基于碳化硅和氮化镓的产品额外产生 20 亿欧元(21.2 亿美元)的年收入。 SiC 和 GaN 产能扩张正在为英飞凌科技股份公司加速宽带隙市场的发展做好准备。

氮化镓 (GaN) 半导体器件市场报告 - 目录

1. 介绍

  • 1.1 研究假设和市场定义
  • 1.2 研究范围

2. 研究方法论

3. 执行摘要

4. 市场洞察

  • 4.1 市场概况
  • 4.2 行业吸引力——波特五力分析
    • 4.2.1 供应商的议价能力
    • 4.2.2 消费者的议价能力
    • 4.2.3 新进入者的威胁
    • 4.2.4 替代品的威胁
    • 4.2.5 竞争激烈程度
  • 4.3 COVID-19 对 GaN 半导体器件市场的影响

5. 市场动态

  • 5.1 市场驱动因素
    • 5.1.1 5G 实施的进步推动电信基础设施领域的强劲需求
    • 5.1.2 高性能和小尺寸等有利属性推动军事领域的采用
  • 5.2 市场挑战
    • 5.2.1 成本和运营挑战

6. 市场细分

  • 6.1 按类型
    • 6.1.1 功率半导体
    • 6.1.2 光电半导体
    • 6.1.3 射频半导体
  • 6.2 按设备
    • 6.2.1 晶体管
    • 6.2.2 二极管
    • 6.2.3 整流器
    • 6.2.4 电源IC
  • 6.3 按最终用户行业
    • 6.3.1 汽车
    • 6.3.2 消费类电子产品
    • 6.3.3 航空航天和国防
    • 6.3.4 医疗的
    • 6.3.5 信息通讯与技术
    • 6.3.6 其他最终用户行业
  • 6.4 按地理
    • 6.4.1 北美
    • 6.4.1.1 美国
    • 6.4.1.2 加拿大
    • 6.4.2 欧洲
    • 6.4.2.1 英国
    • 6.4.2.2 德国
    • 6.4.2.3 法国
    • 6.4.2.4 欧洲其他地区
    • 6.4.3 亚太地区
    • 6.4.3.1 中国
    • 6.4.3.2 日本
    • 6.4.3.3 印度
    • 6.4.3.4 韩国
    • 6.4.3.5 亚太其他地区
    • 6.4.4 拉美
    • 6.4.5 中东和非洲

7. 竞争格局

  • 7.1 公司简介
    • 7.1.1 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    • 7.1.2 GaN Systems
    • 7.1.3 Infineon Technologies AG
    • 7.1.4 Efficient Power Conversion Corporation
    • 7.1.5 NXP Semiconductors
    • 7.1.6 Texas Instruments Incorporated
    • 7.1.7 Wolfspeed, Inc.
    • 7.1.8 NexGen Power Systems
    • 7.1.9 Microchip Technology Inc.
    • 7.1.10 Soitec
    • 7.1.11 Qorvo, Inc.
    • 7.1.12 NTT Advanced Technology Corporation

8. 投资分析

9. 市场的未来

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氮化镓(GaN)半导体器件行业细分

与硅 MOSFET 相比,GaN 是一项新兴技术。所研究的市场中考虑的各种器件包括晶体管、整流器和二极管。考虑的 GaN 半导体器件包括功率半导体、光电半导体和射频半导体。

GaN 半导体器件市场按类型(功率半导体、光电半导体、射频半导体)、器件(晶体管、二极管、整流器、电源 IC)、最终用户行业(汽车、消费电子产品、航空航天和国防、医疗)细分,信息通信和技术),以及地理。上述所有细分市场的市场规模和预测均按价值(百万美元)提供。

按类型 功率半导体
光电半导体
射频半导体
按设备 晶体管
二极管
整流器
电源IC
按最终用户行业 汽车
消费类电子产品
航空航天和国防
医疗的
信息通讯与技术
其他最终用户行业
按地理 北美 美国
加拿大
欧洲 英国
德国
法国
欧洲其他地区
亚太地区 中国
日本
印度
韩国
亚太其他地区
拉美
中东和非洲
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氮化镓 (GaN) 半导体器件市场研究常见问题解答

目前GaN半导体器件市场规模有多大?

GaN半导体器件市场预计在预测期内(2024-2029年)复合年增长率为17.21%

氮化镓半导体器件市场的主要参与者是谁?

GaN Systems、Infineon Technologies AG、Efficient Power Conversion Corporation、Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation、NXP Semiconductors 是 GaN 半导体器件市场的主要公司。

GaN半导体器件市场增长最快的地区是哪个?

预计亚太地区在预测期内(2024-2029 年)复合年增长率最高。

哪个地区在氮化镓半导体器件市场中占有最大份额?

2024年,北美将占据GaN半导体器件市场最大的市场份额。

GaN 半导体器件市场涵盖哪些年份?

该报告涵盖了 GaN 半导体器件市场的历史市场规模:2021 年、2022 年和 2023 年。该报告还预测了 GaN 半导体器件市场的规模:2024 年、2025 年、2026 年、2027 年、2028 年和 2029 年。

氮化镓半导体器件行业报告

Mordor Intelligence™ 行业报告创建的 2024 年 GaN 半导体器件市场份额、规模和收入增长率统计数据。 GaN 半导体器件分析包括 2029 年的市场预测展望和历史概述。获取此行业分析的样本(免费下载 PDF 报告)。

GaN 半导体器件市场规模和份额分析 - 增长趋势和预测(2024 年 - 2029 年)