GaN射频半导体器件市场规模
| 研究期 | 2019 - 2029 |
| 估计的基准年 | 2023 |
| CAGR | 30.58 % |
| 增长最快的市场 | 亚太地区 |
| 最大的市场 | 北美 |
| 市场集中度 | 中等的 |
主要参与者
*免责声明：主要玩家排序不分先后 |
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GaN射频半导体器件市场分析
GaN RF半导体器件市场预计在预测期内（2021-2026年）复合年增长率为30.58%。 COVID-19 的爆发已开始影响各个行业的供应线，电信行业也不例外。对于电信行业来说，COVID-19 预计将严重阻碍 5G 的普及。在这种危急情况下，预计消费者不会停止使用手机，但他们中的大多数人可能无法对仍处于初级阶段的技术进行更多投资。由于物联网（IoT）的发展、5G网络的出现以及在各个垂直行业的广泛应用将为射频氮化镓半导体市场提供巨大的增长机会。
- 物联网的成功实施需要通过网络传输数据，而无需人机交互。物联网的日益普及将导致信号拥塞，并需要使用 GaN 技术来放大与所有互连设备通信所需的功率、容量和带宽。
- MEMS技术的发展是物联网设备不可或缺的一部分，也将对GaN射频半导体器件市场产生积极影响。智能手机、游戏设备、笔记本电脑和电视的需求不断增长，预计将推动GaN半导体器件市场的发展消费电子行业。
- 与 SiC 日益激烈的竞争可能会阻碍 GaN 射频半导体的市场份额，因为SiC具有比GaN更高的导热率，这意味着SiC器件理论上可以在比GaN 更高的功率密度下运行。
- 尽管该行业面临挑战，但新冠肺炎 (COVID-19) 造成的持续危机可以成为技术进步的推动力。然而，在某些情况下，5G 已经证明了它的价值。例如，在中国武汉，华为三天之内就在一家专科医院安装了5G网络。经过努力，支持 5G 的机器人能够帮助照顾医院中的患者并进行测量，从而减少医务人员需要花在感染性患者身上的时间。
GaN射频半导体器件市场趋势
长期演进无线网络的激增推动市场增长
- 长期演进 (LTE) 无线网络的兴起是 GaN RF 半导体器件市场的主要增长因素之一。不断增长的数据消耗导致了商业网络的增长，并将促使网络运营商采用下一代LTE网络，例如4G和5G。
- 由于能够提供更高频率的数据带宽连接，GaN RF 技术很快将成为网络服务提供商的理想选择。 GaN RF 器件有助于确保器件能够在必要频段产生最大频率，并防止来自其他频段的任何干扰。
- GaN RF功率器件的部署将使LTE设备提供的速度允许消费者上传和下载内容（例如音乐和照片），并且还可以在最大频段上玩在线游戏和观看在线电视节目，这将导致增长在他们的收养中。
- RF GaN 在无线基础设施中发挥着至关重要的作用，可提高效率并拓宽带宽以支持不断增长的数据传输速率。 5G 技术的日益普及和无线通信的进步将成为 RF GaN 市场的重要驱动力。 GaN 功率晶体管的日益普及也可能对电信供应商有用。
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北美占据最大份额
- 北美氮化镓半导体市场的增长与电信、航空航天和国防、消费电子、汽车、工业等最终用户行业的增长密切相关。
- 此外，行业领先企业的存在也有助于提高该地区的份额。北美地区的增长得益于推动国防部门在军事应用中更广泛地使用基于 GaN 的晶体管、军用雷达和电子战。
- 此外，电视、笔记本电脑、游戏设备、个人电脑和平板电脑等消费电子产品的需求不断增长，进一步推动了北美市场的增长。
- 此外，技术专业知识导致可转换笔记本电脑、超高清或4K电视机以及其他各种无线电子产品的增长，增加了该地区消费电子市场对RF GaN半导体的需求。
- 根据半导体行业协会（SIA）和世界半导体贸易统计数据，半导体行业直接雇佣了美国近25万工人，2021年1月美国半导体公司销售额总计80.5亿美元。
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GaN射频半导体器件行业概况
GaN RF 半导体器件市场既不整合也不分散。一些主要参与者包括 GaN Systems、NXP Semiconductor、Qorvo Inc.、Wolfspeed, Inc.（CREE 公司）、Broadcom Inc.、Efficient Power Conversion、Fujitsu Semiconductor、NTT Advanced Technology、Texas Instruments 等。
- 2021 年 5 月 - NXP Semiconductors NV 出售了价值 20 亿美元的债券，以帮助资助半导体的开发，以减少电源适配器和电动汽车等产品的能耗。这是为了在半导体工厂实现更少的碳足迹和更节能的生产。恩智浦表示，它已将温室气体全氟化合物 (PFC) 的绝对排放量减少了 66%。
GaN 射频半导体器件市场领导者
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GaN Systems
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Qorvo Inc.
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Wolfspeed, Inc.(A CREE Company)
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Texas Instruments
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Broadcom Inc.
*免责声明：主要玩家排序不分先后
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GaN RF 半导体器件市场新闻
- 2020 年 9 月 - NXP Semiconductor NV 宣布在亚利桑那州钱德勒开设 150 毫米（6 英寸）射频氮化镓 (GaN) 工厂，这是美国最先进的 5G 射频功率放大器工厂。新的内部工厂结合了恩智浦作为射频功率行业领导者的专业知识及其大批量制造技术，从而实现了简化的创新，支持工业、航空航天和国防市场中 5G 基站和先进通信基础设施的扩展。
GaN 射频半导体器件市场报告 - 目录
1. 介绍
1.1 研究成果
1.2 研究假设
1.3 研究范围
2. 研究方法论
3. 执行摘要
4. 市场动态
4.1 市场概况
4.2 Covid-19 影响评估
4.3 市场驱动因素
4.3.1 长期演进无线网络的激增
4.4 市场限制
4.4.1 来自SiC的竞争
4.5 行业价值链分析
4.6 行业吸引力 - 波特五力分析
4.6.1 买家/消费者的议价能力
4.6.2 供应商的议价能力
4.6.3 新进入者的威胁
4.6.4 替代产品的威胁
4.6.5 竞争激烈程度
4.7 RF GaN 专利概况概述
5. 市场细分
5.1 按申请
5.1.1 国防和航空航天
5.1.2 电信
5.1.3 消费类电子产品
5.1.4 汽车
5.1.5 工业的
5.1.6 其他应用（数据中心、可再生能源等）
5.2 按地理
5.2.1 北美
5.2.2 欧洲
5.2.3 亚太地区
5.2.4 拉美
5.2.5 中东和非洲
6. 竞争格局
6.1 公司简介
6.1.1 GaN Systems
6.1.2 NXP Semiconductor
6.1.3 Qorvo Inc.
6.1.4 Wolfspeed Inc.(A CREE Company)
6.1.5 Broadcom Inc.
6.1.6 Efficient Power Conversion
6.1.7 Fujitsu Semiconductor
6.1.8 NTT Advanced Technology
6.1.9 Texas Instruments
7. 投资分析
8. 市场的未来
GaN射频半导体器件行业细分
GAN 由于高击穿场、高饱和速度、出色的热性能等多种原因在射频应用中脱颖而出，因此在长距离或高端功率水平传输信号方面发挥了重要作用。市场研究重点关注影响北美、欧洲、亚太地区、拉丁美洲以及中东和非洲等主要地区市场的趋势。该研究还跟踪了关键市场参数、潜在增长影响因素和行业内运营的主要供应商，以及 COVID-19 对整个 RF GaN 行业及其绩效的影响。
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GaN RF 半导体器件市场研究常见问题解答
目前 GaN RF 半导体器件市场规模有多大？
GaN射频半导体器件市场预计在预测期内（2024-2029年）复合年增长率为30.58%
谁是 GaN 射频半导体器件市场的主要参与者？
GaN Systems、Qorvo Inc.、Wolfspeed, Inc.(A CREE Company)、Texas Instruments、Broadcom Inc. 是 GaN RF 半导体器件市场的主要公司。
GaN射频半导体器件市场增长最快的地区是哪个？
预计亚太地区在预测期内（2024-2029 年）复合年增长率最高。
哪个地区在 GaN 射频半导体器件市场中占有最大份额？
2024年，北美将占据GaN射频半导体器件市场最大的市场份额。
GaN RF 半导体器件市场涵盖哪些年份？
该报告涵盖了 GaN RF 半导体器件市场的历史市场规模：2019 年、2020 年、2021 年、2022 年和 2023 年。该报告还预测了 GaN RF 半导体器件的市场规模：2024 年、2025 年、2026 年、2027 年、2028 年和2029 年。
GaN射频半导体器件行业报告
Mordor Intelligence™ 行业报告创建的 2024 年 GaN 射频半导体器件市场份额、规模和收入增长率统计数据。 GaN RF 半导体器件分析包括 2029 年的市场预测展望和历史概述。获取此行业分析的样本（免费下载 PDF 报告）。
