Phân tích thị phần và quy mô thị trường bộ nhớ loại lưu trữ - Dự báo và xu hướng tăng trưởng (2024 - 2029)

Phân tích thị trường bộ nhớ lớp lưu trữ

Thị trường bộ nhớ lớp lưu trữ (SCM) dự kiến ​​​​sẽ đạt tốc độ CAGR là 35,6% trong giai đoạn dự báo. SCM lấp đầy khoảng trống về hiệu suất và độ tin cậy cụ thể trong hệ thống phân cấp bộ nhớ. Các trường hợp sử dụng của nó bao gồm từ bộ đệm lưu trữ hiệu suất cao đến việc thay thế flash để có phương tiện lưu trữ nhanh hơn do khả năng định địa chỉ của nó ở cấp độ khối và byte.

• Bộ nhớ lớp lưu trữ (SCM) là một thành phần quan trọng trong quá trình chuyển đổi từ bộ lưu trữ cơ học quay, chẳng hạn như ổ đĩa, sang RAM trạng thái rắn, không ổn định. Do đó, SCM hứa hẹn mang đến các giải pháp hiệu suất cao hơn và tiết kiệm năng lượng hơn các sản phẩm flash SLC/MLC NAND hiện có.
• Bộ nhớ lớp lưu trữ (SCM) có tốc độ đọc và ghi nhanh hơn NAND flash. Hơn nữa, nó có đặc tính độ bền cao hơn do có khả năng chống ghi lại dữ liệu cao hơn đáng kể. Các tính năng của SCM bao gồm các ưu điểm so với flash NAND và chi phí trên mỗi GB thấp hơn so với DRAM.
• Hơn nữa, khả năng hoạt động ở tốc độ gần như bộ nhớ, cũng như độ bền và khả năng bền bỉ cực cao khi mất điện, giúp SCM phù hợp với các ứng dụng nhạy cảm với độ trễ như ứng dụng giao dịch tài chính, phân tích, ứng dụng lưu trữ gắn trực tiếp và cơ sở dữ liệu.
• Nhu cầu xử lý trong bộ nhớ ngày càng được sử dụng nhiều trong các ứng dụng Dữ liệu lớn, như truy vấn cơ sở dữ liệu tương tác, đã thúc đẩy Intel và các nhà sản xuất chip khác tăng băng thông bộ nhớ. Khi chạy khối lượng công việc phân tích, chẳng hạn như khung điện toán cụm dựa trên Spark, Intel tuyên bố các truy vấn chạy trên bộ nhớ liên tục nhanh hơn tám lần so với trên các tổ hợp lưu trữ DRAM.
• Sự gia tăng của các bộ chứa ứng dụng trong trung tâm dữ liệu cũng đã thúc đẩy yêu cầu về bộ nhớ liên tục trong những năm gần đây. Do đó, các nhà cung cấp có mặt trong hệ sinh thái thị trường đang nhấn mạnh những lợi thế của tầng bộ nhớ dài hạn lớn hơn, bao gồm việc tăng cường sử dụng CPU và máy chủ cũng như tốc độ phân phối ứng dụng phân tán nhanh hơn.
• Trong tương lai, khi dữ liệu số được lưu trữ trong bộ nhớ bất biến, điều cần thiết là phải có cơ chế phát hiện và sửa các lỗi cụ thể. Mã sửa lỗi (ECC) cung cấp mã hóa dữ liệu để bộ giải mã có thể xác định và sửa lỗi trong dữ liệu.
• Nhiều ngành công nghiệp dành cho người dùng cuối ở các quốc gia khác nhau đã bị ảnh hưởng bởi đại dịch, dẫn đến việc nhiều hoạt động kinh doanh khác nhau phải ngừng hoạt động. Ví dụ, việc áp dụng các biện pháp phong tỏa ở Ấn Độ đồng nghĩa với việc đóng cửa tất cả các lĩnh vực và hoạt động. Việc triển khai khóa này dẫn đến tác động lớn đến mọi ngành, với phần lớn các doanh nghiệp bị thua lỗ. Theo Intel, nhu cầu ngày càng tăng về cơ sở hạ tầng máy tính để bàn ảo hóa và các giải pháp lưu trữ ảo hóa đang thúc đẩy nhu cầu về các sản phẩm lưu trữ và bộ nhớ trong trung tâm dữ liệu. Nhu cầu tăng cường và tăng tốc khả năng lưu trữ và bộ nhớ cho hai loại ứng dụng này xuất phát từ số lượng lớn người lao động chuyển đến văn phòng tại nhà và sự gia tăng sử dụng các tài nguyên kỹ thuật số do đại dịch COVID-19 thúc đẩy. Nhóm Giải pháp Bộ nhớ Bất biến của Intel chứng kiến ​​doanh thu quý đầu tiên tăng 46% so với cùng kỳ năm ngoái lên 1,3 tỷ USD.

Xu hướng thị trường bộ nhớ lớp lưu trữ

Trí nhớ liên tục được dự đoán sẽ tăng trưởng đáng kể

Để hiểu các xu hướng chính, hãy Tải Xuống Bản Báo Cáo Mẫu

Tải xuống PDF