Объем рынка силовых полупроводников карбида кремния
| Период исследования | 2019 - 2029 |
| Размер рынка (2024) | USD 2.18 миллиарда долларов США |
| Размер рынка (2029) | USD 6.73 миллиарда долларов США |
| CAGR(2024 - 2029) | 25.24 % |
| Самый Быстрорастущий Рынок | Азиатско-Тихоокеанский регион |
| Самый Большой Рынок | Азиатско-Тихоокеанский регион |
| Концентрация рынка | Низкий |
Основные игроки
*Отказ от ответственности: основные игроки отсортированы в произвольном порядке |
Как мы можем помочь?
Анализ рынка силовых полупроводников карбида кремния
Объем рынка силовых полупроводников из карбида кремния оценивается в 2,18 млрд долларов США в 2024 году и, как ожидается, достигнет 6,73 млрд долларов США к 2029 году, при этом среднегодовой темп роста составит 25,24% в течение прогнозируемого периода (2024-2029 гг.).
Вспышка пандемии создала экономические потрясения для малых, средних и крупных предприятий по всему миру. Вдобавок к бедам, общенациональная блокировка, введенная правительствами по всему миру (чтобы минимизировать распространение вируса), привела к тому, что отрасли понесли удар и нарушили цепочки поставок и производственные операции по всему миру, поскольку большая часть Производство включает в себя работу в заводских цехах, где люди находятся в тесном контакте и сотрудничают для повышения производительности.
- SiC (карбид кремния) используется в устройствах с высокой мощностью из-за широкой запрещенной зоны. Хотя существуют различные политипы (полиморфы) SiC, 4H-SiC является наиболее идеальным для силовых устройств. Ожидается, что увеличение объемов исследований и разработок, направленных на расширение возможностей материалов, обеспечит мощный импульс для роста рынка. Например, Агентство перспективных исследовательских проектов Министерства энергетики США (ARPA-E) объявило о выделении 30 миллионов долларов США на 21 проект в рамках программы Создание инновационных и надежных схем с использованием изобретательских топологий и полупроводников (CIRCUITS).. Кроме того, такие инициативы, как инвестиции Министерства энергетики США в исследования под руководством NREL с целью снижения затрат на производство силовой электроники SiC, могут еще больше поддержать эти тенденции и расширить сферу применения более надежных устройств на основе SiC.
- Электромобили обеспечивают определенные преимущества в автомобильной промышленности, такие как увеличенный запас хода, время зарядки и производительность, чтобы удовлетворить ожидания клиентов. Однако для них необходимы силовые электронные устройства, способные эффективно и результативно работать при повышенных температурах. Следовательно, силовые модули разрабатываются с использованием широкозонных технологий SiC.
- В настоящее время электромобили становятся обычным явлением на дорогах цены снижаются, а запас хода растет. Согласно отчету Международного энергетического агентства Global EV Outlook 2021, в 2020 году на дорогах находилось более 10,2 миллиона легковых электромобилей малой грузоподъемности. Кроме того, в 2020 году регистрация электромобилей увеличилась на 41%, что создает возможности для роста рынка.
- Полупроводники также используют SiC для снижения потерь энергии и увеличения срока службы преобразователей энергии солнечной и ветровой энергии. Например, фотоэлектрическая энергия в основном требует высокой мощности, низких потерь, более быстрого переключения и надежных полупроводниковых устройств для повышения эффективности, удельной мощности и надежности. Таким образом, устройства SiC обеспечивают многообещающее решение потребностей в фотоэлектрической энергии для удовлетворения растущего спроса на энергию.
- Чтобы реализовать потенциал спроса на экологически чистые технологии, несколько игроков выходят на рынок силовых полупроводников SiC. Например, в апреле 2021 года NoMIS Power Group, дочерняя компания Политехнического института Государственного университета Нью-Йорка (SUNY Poly), объявила, что планирует разрабатывать, производить и продавать силовые полупроводниковые устройства, модули и услуги SiC для обеспечения поддержка разработчиков продуктов управления питанием.
- Более того, паразитная емкость и индуктивность становятся слишком большими при использовании высоких частот, что не позволяет силовому устройству на основе SiC полностью реализовать свой потенциал. В связи с этим широкое использование SiC может потребовать обновления производственных мощностей, чего невозможно достичь при нынешних темпах развития.
Тенденции рынка силовых полупроводников карбида кремния
Ожидается, что автомобильная промышленность продемонстрирует значительный рост
- В настоящее время проводятся исследования по использованию устройств из карбида кремния (SiC) в автомобильных силовых агрегатах. Однако благодаря недавним достижениям это постепенно становится возможным решением. Например, Tesla, которая использует решение для быстрой зарядки, уже использует SiC в своих транспортных средствах. Кроме того, в настоящее время электромобили становятся обычным явлением на дорогах цены снижаются, а запас хода увеличивается. По данным Международного энергетического агентства, продажи подключаемых к электросети электромобилей по всему миру в 2021 году достигли около 6,6 миллионов.
- Полупроводники SiC идеально подходят для таких применений, как бортовые зарядные устройства и инверторы, используемые в гибридных (PHEV) и полностью электрических транспортных средствах (EV). Это связано с тем, что их энергоэффективность значительно выше по сравнению с традиционным кремнием.
- Кроме того, чтобы электромобили могли преодолевать большие расстояния и заряжаться в разумные сроки, силовая электроника автомобиля должна быть способна выдерживать высокие температуры. Полупроводники SiC имеют энергоэффективность более 95%. Только 5% энергии теряется в виде тепла во время преобразования энергии, например, при подзарядке автомобиля с помощью мощного устройства быстрой зарядки.
- В Японии Токийский университет сотрудничает с Mitsubishi Electric Corporation над повышением надежности полупроводниковых приборов SiC. Ранее компания Mitsubishi Electric представила новый ультракомпактный инвертор SiC, предназначенный для гибридных автомобилей, массовая коммерциализация которого запланирована примерно на 2021 год.
- Более того, Delphi Technologies и Cree объединились для создания инверторов первой в сочетании с SiC MOSFET Cree. Это позволило значительно снизить общую температуру силового модуля, одновременно обеспечивая более высокую выходную мощность для поддержки расширенного запаса хода для гибридных и полностью электрических автомобилей. Эти инверторы также на 40% легче и на 30% компактнее, чем конкурирующие модели.
- Кроме того, в мае 2021 года Infineon Technologies выпустила новый модуль питания с технологией CoolSiC MOSFET для автомобильного применения. Использование SiC вместо Si обеспечивает более высокий КПД преобразователей электромобилей. Например, Hyundai Motor Group сообщила, что ей удалось увеличить запас хода своих автомобилей более чем на 5% благодаря повышению эффективности в результате меньших потерь этого решения на основе SiC по сравнению с решением на основе Si, с помощью тягового усилия. инверторы на базе модуля питания Infineon CoolSiC.
- Более того, в марте 2021 года в рамках Фонда промышленной стратегии, возглавляемого Британским фондом исследований и инноваций, правительство Великобритании выделило Университету Суонси 4,8 миллиона фунтов стерлингов на производство силовых полупроводниковых устройств из карбида кремния (SiC) и создание более эффективной силовой электроники для транспорта. , дома и промышленность, а также помочь нации достичь своих амбиций с нулевым уровнем выбросов.
Чтобы понять ключевые тенденции, скачайте образец отчета
Азиатско-Тихоокеанский регион станет свидетелем самого быстрого роста
- Азиатско-Тихоокеанский регион доминирует на мировом рынке силовых полупроводников SiC, что связано с ростом мирового рынка полупроводников, который также поддерживается государственной политикой. Кроме того, полупроводниковую промышленность региона возглавляют Китай, Тайвань, Япония и Южная Корея, на которые вместе приходится около 65% мирового рынка дискретных полупроводников. Напротив, другие страны, такие как Таиланд, Вьетнам, Сингапур и Малайзия, также вносят значительный вклад в доминирование региона на рынке.
- По данным Индийской ассоциации электроники и полупроводников, ожидается, что к 2025 году объем рынка полупроводниковых компонентов Индии составит 32,35 миллиарда долларов США, а среднегодовой темп роста составит 10,1% (2018-2025 годы). Страна является прибыльным местом для размещения мировых центров исследований и разработок. Таким образом, ожидается, что продолжающаяся инициатива правительства Сделай в Индии приведет к инвестициям в рынок полупроводников.
- Более того, этот регион является центром электроники, который ежегодно производит миллионы электронных устройств для экспорта в другие страны и потребления в этом районе. Такой высокий уровень производства электронных компонентов и устройств во многом способствует увеличению рыночной доли изучаемого рынка. Например, растущий спрос на бытовую электронику в Индии также способствовал росту регионального рынка. По данным IBEF, к 2024 финансовому году спрос на электронное оборудование в Индии достигнет 400 миллиардов долларов США, что будет способствовать дальнейшему росту рынка.
- Китай является крупнейшим в мире производителем электроэнергии. Ожидается, что спрос на энергию в стране увеличится, что приведет к росту производства энергии. Например, по данным МЭА, в Китае продажи электромобилей выросли более чем вдвое; далее, в 2021 году было продано примерно на 3,3 миллиона электромобилей больше, чем в других странах.
- Автомобильная промышленность в Китае развивается, и страна играет все более важную роль на мировом автомобильном рынке. Правительство Китая рассматривает свою автомобильную промышленность, включая сектор автозапчастей, как одну из своих основных отраслей. Правительство ожидает, что производство автомобилей в Китае достигнет 30 миллионов единиц к 2020 году и 35 миллионов единиц к 2025 году.
- Кроме того, рынок электромобилей в Индии набирает обороты благодаря амбициозным планам и инициативам правительства. За последние несколько лет государственные органы Индии сделали несколько политических заявлений, касающихся электромобилей, продемонстрировав твердую приверженность, конкретные действия и значительные амбиции по внедрению электромобилей в стране.
Чтобы понять тенденции в географии, скачайте образец отчета
Обзор отрасли производства полупроводниковых приборов на основе карбида кремния
Рынок силовых полупроводников из карбида кремния является высококонкурентным. В его состав входят несколько крупных игроков, в том числе Infineon Technologies AG, Texas Instruments Inc., ST Microelectronics NV, Hitachi Power Semiconductor Device Ltd, NXP Semiconductor, Fuji Electric Co. Ltd, Semikron International GmbH, Cree Inc., ON Semiconductor Corporation, Mitsubishi Electric. Корпорация и другие. Эти компании представляют новые продукты, партнерские отношения и приобретения, чтобы увеличить свою долю на рынке.
- Июнь 2021 г. - Hitachi, японская компания по производству электроники, объявила о планах расширить свое существующее присутствие в Хиллсборо за счет строительства большой исследовательской лаборатории полупроводников для сотрудничества с производственными клиентами в Соединенных Штатах для создания новых технологий.
- Апрель 2021 г. — Infineon Technologies AG выпустила новый модуль EasyPACK 2B в свою линейку продуктов на 1200 В. Модуль предлагает трехуровневую топологию Active NPC (ANPC), включающую полевые МОП-транзисторы CoolSiC, устройства TRENCHSTOP IGBT7, датчик температуры NTC и контакты технологии контактов PressFIT.
Лидеры рынка силовых полупроводников из карбида кремния
-
Infineon technologies AG
-
Texas instruments Inc.
-
STMicroelectronics NV
-
NXP semiconductor
-
ON Semiconductor Corporation
*Отказ от ответственности: основные игроки отсортированы в произвольном порядке
Нужны дополнительные сведения о игроках и конкурентах на рынке?
Новости рынка силовых полупроводников карбида кремния
- Июль 2022 г. - SemiQ объявила о выпуске силового переключателя из карбида кремния 2-го поколения, SiCMOSFET на 1200 В, 80 мОм, расширяя свой портфель устройств SiCpower. Новый MOSFET дополняет существующие SiCrectifiers компании на 650 В, 1200 В и 1700 В, которые обеспечивают высокую эффективность высокопроизводительных приложений, таких как электромобили.
- Май 2022 г. — STMicroelectronics объявила о своем партнерстве с Semikron в поставке технологии карбида кремния (SiC) для модулей питания eMPack для электромобилей (EV), поставляемых компанией.
- Май 2022 г. — Microchip выпустила полностью интегрированную систему точной шкалы времени на основе карбида кремния для интеллектуальной транспортной инфраструктуры. Система точной шкалы времени (PTSS) — это полностью интегрированная система, способная обеспечить точность измерения времени, сравнимую с лучшими национальными лабораториями мира.
- Апрель 2021 г. — Компания ON Semiconductor из Феникса, штат Аризона, представила новые автомобильные (AECQ101) и промышленные карбидокремниевые (SiC) диоды нового поколения с напряжением 1200 В, которые подходят для мощных устройств, таких как зарядные станции для электромобилей и солнечные инверторы, источники бесперебойного питания. источники питания (ИБП), бортовые зарядные устройства для электромобилей (OBC) и преобразователи постоянного тока в постоянный ток для электромобилей.
- Февраль 2021 г. — Компания ON Semiconductor, один из пионеров в области энергоэффективных инноваций, представила новую линейку МОП-транзисторов из карбида кремния (SiC) с напряжением 650 В для требовательных приложений, требующих высокой удельной мощности, эффективности и надежности. Разработчики добьются значительно более высокой производительности в таких приложениях, как бортовые зарядные устройства (OBC) электромобилей (EV), солнечные инверторы, серверные блоки питания (PSU), телекоммуникации и источники бесперебойного питания (ИБП), заменив существующие кремниевые технологии коммутации на новые устройства SiC (ИБП).
Отчет о рынке силовых полупроводников карбида кремния – Содержание
1. ВВЕДЕНИЕ
1.1 Допущения исследования и определение рынка
1.2 Объем исследования
2. МЕТОДОЛОГИЯ ИССЛЕДОВАНИЯ
3. УПРАВЛЯЮЩЕЕ РЕЗЮМЕ
4. РЫНОЧНЫЙ ИНСАЙТ
4.1 Обзор рынка
4.2 Анализ цепочки создания стоимости в отрасли
4.3 Привлекательность отрасли: анализ пяти сил Портера
4.3.1 Рыночная власть поставщиков
4.3.2 Переговорная сила потребителей
4.3.3 Угроза новых участников
4.3.4 Интенсивность конкурентного соперничества
4.3.5 Угроза заменителей
4.4 Влияние COVID-19 на рынок
4.5 Снимок технологии
5. ДИНАМИКА РЫНКА
5.1 Драйверы рынка
5.1.1 Увеличение спроса на бытовую электронику и беспроводную связь
5.1.2 Растущий спрос на энергоэффективные портативные устройства с батарейным питанием
5.2 Проблемы рынка
5.2.1 Нехватка кремниевых пластин и переменные требования к вождению
6. СЕГМЕНТАЦИЯ РЫНКА
6.1 По отраслям конечных пользователей
6.1.1 Автомобильная промышленность (xEV и инфраструктура зарядки электромобилей)
6.1.2 ИТ и телекоммуникации
6.1.3 Электроэнергия (источник питания, ИБП, фотоэлектрическая энергия, ветер и т. д.)
6.1.4 Промышленное (Моторные приводы)
6.1.5 Другие отрасли конечных пользователей (железнодорожная, нефтегазовая, военная, медицинская, научно-исследовательская и т. д.)
6.2 По географии
6.2.1 Америка
6.2.2 Европа, Ближний Восток и Африка
6.2.3 Азиатско-Тихоокеанский регион
7. КОНКУРЕНТНАЯ СРЕДА
7.1 Профили компании
7.1.1 Infineon technologies AG
7.1.2 UnitedSiC
7.1.3 ST Microelectronics NV
7.1.4 ON Semiconductor Corporation
7.1.5 GeneSiC Semiconductor Inc.
7.1.6 Danfoss A/S
7.1.7 Microsemi Corporation
7.1.8 Toshiba Corporation
7.1.9 Mitsubishi Electric Corporation
7.1.10 Fuji Electric Co. Ltd
7.1.11 Semikron International
8. ИНВЕСТИЦИОННЫЙ АНАЛИЗ
9. БУДУЩЕЕ РЫНКА
Сегментация производства полупроводниковой промышленности карбида кремния
Исследование рынка классифицирует рынок, предоставляя подробную информацию о применении SiC в различных отраслях конечного пользователя, таких как автомобилестроение, бытовая электроника, информационные технологии и телекоммуникации, энергетика, промышленность, военная и аэрокосмическая промышленность. Исследование рынка также кратко объясняет его возможности и проблемы в нескольких географических регионах. Также дается оценка влияния COVID-19 на рынок.
| По отраслям конечных пользователей | ||
| ||
| ||
| ||
| ||
|
| По географии | ||
| ||
| ||
|
Часто задаваемые вопросы по исследованию рынка силовых полупроводников карбида кремния
Насколько велик рынок силовых полупроводников из карбида кремния?
Ожидается, что объем рынка силовых полупроводников из карбида кремния достигнет 2,18 млрд долларов США в 2024 году, а среднегодовой темп роста составит 25,24% и достигнет 6,73 млрд долларов США к 2029 году.
Каков текущий размер рынка силовых полупроводников из карбида кремния?
Ожидается, что в 2024 году объем рынка силовых полупроводников из карбида кремния достигнет 2,18 миллиарда долларов США.
Кто являются ключевыми игроками на рынке Карбид кремния Силовые полупроводники?
Infineon technologies AG, Texas instruments Inc., STMicroelectronics NV, NXP semiconductor, ON Semiconductor Corporation — основные компании, работающие на рынке силовых полупроводников из карбида кремния.
Какой регион на рынке Карбид кремния Силовые полупроводники является наиболее быстрорастущим?
По оценкам, Азиатско-Тихоокеанский регион будет расти с самым высоким среднегодовым темпом роста за прогнозируемый период (2024-2029 гг.).
Какой регион занимает наибольшую долю на рынке силовых полупроводников карбида кремния?
В 2024 году Азиатско-Тихоокеанский регион будет занимать наибольшую долю рынка силовых полупроводников из карбида кремния.
Какие годы охватывает рынок силовых полупроводников карбида кремния и каков был размер рынка в 2023 году?
В 2023 году объем рынка силовых полупроводников из карбида кремния оценивался в 1,74 миллиарда долларов США. В отчете рассматривается исторический объем рынка силовых полупроводников карбида кремния за годы 2019, 2020, 2021, 2022 и 2023 годы. В отчете также прогнозируется размер рынка силовых полупроводников карбида кремния на годы 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 и 2029 годы..
Отчет о производстве полупроводниковых приборов на основе карбида кремния
Статистические данные о доле, размере и темпах роста доходов на рынке силовых полупроводников из карбида кремния в 2024 году, предоставленные Mordor Intelligence™ Industry Reports. Анализ рынка силовых полупроводников на основе карбида кремния включает прогноз рынка до 2029 года и исторический обзор. Получите образец этого отраслевого анализа в виде бесплатного отчета в формате PDF, который можно загрузить.
