Объем рынка полупроводниковых устройств нитрида галлия (GaN)
| Период исследования | 2021 - 2029 |
| Базовый Год Для Оценки | 2023 |
| CAGR | 17.21 % |
| Самый Быстрорастущий Рынок | Азиатско-Тихоокеанский регион |
| Самый Большой Рынок | Северная Америка |
| Концентрация рынка | Низкий |
Основные игроки
*Отказ от ответственности: основные игроки отсортированы в произвольном порядке |
Как мы можем помочь?
Анализ рынка полупроводниковых устройств нитрида галлия (GaN)
Ожидается, что среднегодовой темп роста рынка полупроводниковых устройств GaN составит 17,21% в течение прогнозируемого периода. GaN (нитрид галлия) создает инновационный сдвиг во всем секторе силовой электроники. На протяжении десятилетий металлооксидно-полупроводниковые полевые транзисторы на основе кремния (MOSFET) были неотъемлемой частью повседневного современного мира, помогающей преобразовывать энергию в мощность. GaN заменяет кремний в качестве основы технологии переключения мощности, поскольку он может удовлетворить растущие потребности за счет повышения производительности, эффективности и стоимости системы.
- GaN используется для производства полупроводниковых силовых устройств, радиочастотных компонентов и светодиодов (LED). Это разрушило технологию производства кремниевых полупроводников, которые используются в радиочастотных устройствах, преобразователях энергии и аналоговых приложениях. Увеличение расходов на полупроводники положительно влияет на рост рассматриваемого рынка.
- Кроме того, рынок полупроводниковых устройств на основе GaN стимулируется растущей потребностью в радиочастотах на рынке полупроводников, ростом индустрии бытовой электроники, особенно светодиодного освещения и дисплеев, а также ростом количества электромобилей, систем подачи электроэнергии и т. д. и фотоэлектрические инверторы.
- Кроме того, GaN обеспечивает экономическую эффективность и отсутствие необходимости в охлаждении по сравнению с кремнием и арсенидом галлия. Кроме того, стоимость производства устройства GaN намного ниже, чем стоимость производства устройства MOSFET, поскольку устройства GaN производятся с использованием стандартных процедур производства кремния на тех же заводах, где производятся традиционные кремниевые полупроводники, и поскольку устройства GaN гораздо меньше при тех же функциональных характеристиках.
- Производители полупроводниковых устройств интегрируют все большее количество пассивных компонентов в каждую схему, что приводит к увеличению сложности конструкции схемы и ограничениям физического доступа. Это потребует значительного моделирования рисунка с использованием безошибочных масок для переноса рисунка на пластины без каких-либо ошибок или дефектов. Таким образом, насущная потребность OEM-производителей в повышении производительности устройств стимулирует изучаемый рынок.
- Кроме того, с растущей разработкой материалов с широкой запрещенной зоной (WBG), поставщики на рынке получают стимул производить продукцию для небольших рынков без ущерба для производительности. GaN представляет собой ряд уникальных проблем для основных пассивных компонентов, используемых в схемах преобразования энергии и управления двигателями, чтобы соответствовать темпам инноваций в полупроводниковом процессе.
- Пандемия COVID-19 привела к огромным перебоям в цепочках поставок во всех отраслях по всему миру, из-за чего многие предприятия по всему миру приостановили или сократили операции, чтобы помочь бороться с распространением вируса. Пандемия повлияла на изучаемый рынок, что привело к падению уровня производства сырья и цепочки поставок для производства компонентов. Это свидетельствует о падении продаж среди различных стран и регионов.
Тенденции рынка полупроводниковых устройств нитрида галлия (GaN)
Бытовая электроника будет занимать значительную долю рынка
- Существенным преимуществом возможности более высокой частоты переключения является то, что номинал и, следовательно, соответствующий размер конденсаторов и катушек индуктивности должны быть значительно меньшими. Вместе с меньшими требованиями к устройствам GaN, меньшие по размеру пассивные компоненты приводят к значительно меньшему общему размеру преобразователя или привода. Низкие потери проводимости (Rds-on) приводят к меньшему рассеиванию тепла, что требует управления температурным режимом. Это делает решение более энергоэффективным и еще больше уменьшает общий размер системы.
- В сегменте бытовой электроники наблюдается значительный спрос на полупроводниковые устройства на основе GaN в отраслях конечных пользователей из-за растущего спроса на смартфоны, игровые устройства, ноутбуки и телевизоры. Согласно исследованию Ассоциации потребительских технологий, в период с 2020 по 2021 год ожидается, что индустрия бытовой электроники в США вырастет на 4,3%. Однако из-за воздействия пандемии COVID-19 на рынке потребительских технологий США в 2020 году наблюдался спад на 2,2%. Ожидается, что этот рынок восстановится в 2021 году с учетом постпандемической ситуации.
- По данным MeitY (Индия), в 2021 финансовом году предполагаемая общая стоимость производства электронной промышленности составила более 5,5 триллионов индийских рупий (66,45 миллиардов долларов США). Производство мобильных телефонов было самым ценным сектором, его оценочная стоимость составила 2,2 триллиона индийских рупий (26,58 миллиарда долларов США). Другими секторами, которые заняли высокие места по стоимости, были электронные компоненты, бытовая электроника и промышленная электроника.
- GaN — это новый полупроводниковый материал, который, как ожидается, заменит кремний во многих приложениях в ближайшие годы, а зарядка аккумуляторов — первый крупный рынок, продемонстрировавший такое внедрение. GaN (нитрид галлия) имеет превосходные характеристики по сравнению с кремнием при очень высоких напряжениях, температурах и частотах переключения, что позволяет значительно повысить энергоэффективность. Поскольку в массовом производстве находится множество зарядных устройств и адаптеров GaN мощностью от 27 Вт до 300 Вт, которые питают все, от мобильных телефонов до дронов, рынок мобильных зарядных устройств должен кардинально измениться.
- Более того, технологические достижения, такие как стандарты 5G, стимулируют спрос на мощные транзисторы и базовые станции, увеличивая спрос на силовые полупроводники GaN в сегменте бытовой электроники. Многие поставщики работают вместе и формируют партнерские отношения с отраслями, которые используют их продукцию, например с бытовой электроникой, чтобы увеличить свою долю на рынке.
Чтобы понять ключевые тенденции, скачайте образец отчета
В Северной Америке ожидается значительный рост
- В последнее время североамериканский регион стал основным пользователем новых технологий проектирования, производства и исследований в полупроводниковой промышленности. Рост рынка RF GaN в Северной Америке тесно коррелирует с развитием отраслей конечных пользователей, таких как телекоммуникации, аэрокосмическая и оборонная промышленность, бытовая электроника и другие.
- В феврале 2021 года президент Джо Байден заявил, что отечественное производство полупроводников является приоритетом для его администрации. Новая администрация США намерена решить проблему растущей нехватки чипов и развеять опасения законодателей по поводу того, что аутсорсинг производства чипов сделал Соединенные Штаты более уязвимыми к сбоям в цепочках поставок. В рамках исполнительной власти Байден начал 100-дневный обзор, который может поддержать американские компании по производству микросхем за счет дополнительной государственной поддержки и новой политики.
- Соединенные Штаты также стали пионерами передовых технологий для военного применения. Кроме того, страна имеет самые высокие военные расходы в мире, что значительно выше, чем у следующих пяти стран вместе взятых, что делает ее прибыльной отраслью для конечных пользователей на рынке RF GaN.
- В США наибольший спрос на чипы приходится на большие ПК, информационную и коммуникационную инфраструктуру (включая центры обработки данных и сетевое оборудование), рынки приложений, промышленное оборудование и смартфоны. В число клиентов TSMC входят известные производители смартфонов из США, такие как Apple.
- В 2021 году правительство США запросило финансирование в размере 50 миллиардов долларов США для поддержки отечественного производства чипов. TSMC обдумывает планы вложить на заводы по производству микросхем в американском штате Аризона на десятки миллиардов долларов больше, чем сообщалось ранее. TSMC, скорее всего, будет конкурировать с Intel Corp. и Samsung Electronics Co. Ltd. за субсидии правительства США на строительство заводов. Ожидается, что такая государственная поддержка будет способствовать росту производства полупроводниковых устройств на основе GaN в стране.
Чтобы понять тенденции в географии, скачайте образец отчета
Обзор отрасли полупроводниковых приборов на основе нитрида галлия (GaN)
Рынок полупроводниковых устройств GaN по своей сути конкурентен. Некоторыми важными игроками на рынке являются Toshiba Electronic Devices Storage Corporation, GaN Systems, Infineon Technologies AG, Efficient Power Conversion Corporation, NXP Semiconductors и многие другие. Компании увеличивают свою долю на рынке, формируя многочисленные партнерские отношения и инвестируя во внедрение новых продуктов, чтобы получить конкурентное преимущество в течение прогнозируемого периода.
В июле 2022 года GaN Systems заключила партнерское соглашение с PowerSphyr Advance, чтобы предоставить комплексные решения для беспроводного питания. Компании объявили о своем партнерстве, чтобы предоставить первый в отрасли портфель комплексных решений беспроводного питания (30 Вт, 100 Вт и 500 Вт) для промышленных и автомобильных приложений по всему миру. Партнерство объединяет ведущие в отрасли полупроводники GaN компании GaN Systems с многолетним опытом PowerSphyr в области энергетических технологий. Например, PowerSphyr внедряет силовые полупроводники систем GaN в приемник решения беспроводной зарядки в дополнение к передатчику. Эта комбинация меняет правила игры в предоставлении высокопроизводительных, простых в использовании и полностью беспроводных решений для зарядки.
В июле 2022 года Infineon Technologies AG сотрудничала с Delta Electronics в разработке решений для питания серверов и игровых ПК на базе WBG, чтобы предоставить конечным клиентам превосходные решения. Последние примеры сотрудничества включают игровую платформу Delta Titanium мощностью 1,6 кВт и блок питания для серверов мощностью 1,4 кВт. Серверный источник питания мощностью 1,4 кВт использует технологию CoolSiC MOSFET компании Infineon Technology и многолетний опыт Delta в области силовой электроники для достижения КПД 96%. Еще одним примером высочайшей эффективности является игровая платформа мощностью 1,6 кВт, работающая на основе технологии Infineon CoolGaN и дополненная микросхемами драйвера затвора EiceDRIVER. Эта конструкция имеет эффективность до 96% при широком диапазоне входных сигналов и нескольких выходах и соответствует титановому стандарту в промышленной области. Этот 600-вольтовый HEMT в электронном режиме, адаптированный в топологии чередующегося тотемного PFC, стал возможен благодаря CoolGaN GIT от Infineon.
Лидеры рынка полупроводниковых приборов из нитрида галлия (GaN)
-
GaN Systems
-
Infineon Technologies AG
-
Efficient Power Conversion Corporation
-
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
-
NXP Semiconductors
*Отказ от ответственности: основные игроки отсортированы в произвольном порядке
Нужны дополнительные сведения о игроках и конкурентах на рынке?
Новости рынка полупроводниковых приборов из нитрида галлия (GaN)
- Июнь 2022 г. GaN Systems выпустила новый высокопроизводительный и недорогой транзистор в самой широкой в отрасли линейке силовых GaN-транзисторов для потребительских, промышленных приложений и центров обработки данных. GS-065-018-2-L расширяет линейку высокопроизводительных и недорогих транзисторов компании и отличается более низким сопротивлением в открытом состоянии, повышенной надежностью и тепловыми характеристиками, а также классом VDS (переходный режим) 850 В. Стандартный для отрасли форм-фактор PDFN транзистора шириной 88 мм упрощает внедрение заказчиками, масштабируемость и коммерциализацию. GS-065-018-2-L — это транзистор с нижним охлаждением на 650 В, 18 А, 78 мОм, идеально подходящий для небольших и легких потребительских адаптеров для ноутбуков и игровых консолей, а также для более высокой плотности мощности и эффективности в телевизорах и серверных источниках питания.
- Февраль 2022 г. Infineon Technologies AG укрепляет свое лидерство на рынке силовых полупроводников за счет увеличения производственных мощностей по производству полупроводников с широкой запрещенной зоной (SiC и GaN). Компания инвестирует более 2 миллиардов евро (2,12 миллиарда долларов США) в строительство третьего модуля на своей площадке в Кулиме, Малайзия. После полного оснащения новый модуль будет приносить дополнительный годовой доход в размере 2 миллиардов евро (2,12 миллиарда долларов США) за счет продуктов на основе карбида кремния и нитрида галлия. Расширение мощностей SiC и GaN готовит Infineon Technologies AG к ускорению освоения рынков с широкой запрещенной зоной.
Отчет о рынке полупроводниковых устройств нитрида галлия (GaN) – Содержание
1. ВВЕДЕНИЕ
1.1 Допущения исследования и определение рынка
1.2 Объем исследования
2. МЕТОДОЛОГИЯ ИССЛЕДОВАНИЯ
3. УПРАВЛЯЮЩЕЕ РЕЗЮМЕ
4. РЫНОЧНАЯ ИНФОРМАЦИЯ
4.1 Обзор рынка
4.2 Привлекательность отрасли: анализ пяти сил Портера
4.2.1 Рыночная власть поставщиков
4.2.2 Переговорная сила потребителей
4.2.3 Угроза новых участников
4.2.4 Угроза заменителей
4.2.5 Интенсивность конкурентного соперничества
4.3 Влияние COVID-19 на рынок полупроводниковых приборов GaN
5. ДИНАМИКА РЫНКА
5.1 Драйверы рынка
5.1.1 Высокий спрос со стороны сегмента телекоммуникационной инфраструктуры, обусловленный достижениями во внедрении 5G
5.1.2 Благоприятные характеристики, такие как высокая производительность и малый форм-фактор, способствуют внедрению в военном сегменте.
5.2 Проблемы рынка
5.2.1 Стоимость и эксплуатационные проблемы
6. СЕГМЕНТАЦИЯ РЫНКА
6.1 По типу
6.1.1 Силовые полупроводники
6.1.2 Опто-полупроводники
6.1.3 Радиочастотные полупроводники
6.2 По устройствам
6.2.1 Транзисторы
6.2.2 Диоды
6.2.3 Выпрямители
6.2.4 Силовые ИС
6.3 По отраслям конечных пользователей
6.3.1 Автомобильная промышленность
6.3.2 Бытовая электроника
6.3.3 Аэрокосмическая и оборонная промышленность
6.3.4 Медицинский
6.3.5 Информационные коммуникации и технологии
6.3.6 Другие отрасли конечных пользователей
6.4 По географии
6.4.1 Северная Америка
6.4.1.1 Соединенные Штаты
6.4.1.2 Канада
6.4.2 Европа
6.4.2.1 Великобритания
6.4.2.2 Германия
6.4.2.3 Франция
6.4.2.4 Остальная Европа
6.4.3 Азиатско-Тихоокеанский регион
6.4.3.1 Китай
6.4.3.2 Япония
6.4.3.3 Индия
6.4.3.4 Южная Корея
6.4.3.5 Остальная часть Азиатско-Тихоокеанского региона
6.4.4 Латинская Америка
6.4.5 Ближний Восток и Африка
7. КОНКУРЕНТНАЯ СРЕДА
7.1 Профили компании
7.1.1 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
7.1.2 GaN Systems
7.1.3 Infineon Technologies AG
7.1.4 Efficient Power Conversion Corporation
7.1.5 NXP Semiconductors
7.1.6 Texas Instruments Incorporated
7.1.7 Wolfspeed, Inc.
7.1.8 NexGen Power Systems
7.1.9 Microchip Technology Inc.
7.1.10 Soitec
7.1.11 Qorvo, Inc.
7.1.12 NTT Advanced Technology Corporation
8. ИНВЕСТИЦИОННЫЙ АНАЛИЗ
9. БУДУЩЕЕ РЫНКА
Сегментация отрасли полупроводниковых приборов нитрида галлия (GaN)
GaN — это новая технология по сравнению с кремниевыми МОП-транзисторами. На исследуемом рынке рассматриваются различные устройства транзисторы, выпрямители и диоды. Рассматриваемые полупроводниковые устройства GaN представляют собой силовые полупроводники, оптополупроводники и радиочастотные полупроводники.
Рынок полупроводниковых устройств GaN сегментирован по типу (силовые полупроводники, опто-полупроводники, радиочастотные полупроводники), по устройствам (транзисторы, диоды, выпрямители, силовые ИС), по отраслям конечных пользователей (автомобильная промышленность, бытовая электроника, аэрокосмическая и оборонная промышленность, медицина). , информационные коммуникации и технологии), а также по географии. Размеры рынка и прогнозы представлены в стоимостном выражении (млн долларов США) для всех вышеперечисленных сегментов.
| По типу | ||
| ||
| ||
|
| По устройствам | ||
| ||
| ||
| ||
|
| По отраслям конечных пользователей | ||
| ||
| ||
| ||
| ||
| ||
|
| По географии | ||||||||||||
| ||||||||||||
| ||||||||||||
| ||||||||||||
| ||||||||||||
|
Часто задаваемые вопросы по исследованию рынка полупроводниковых устройств на основе нитрида галлия (GaN)
Каков текущий размер рынка полупроводниковых устройств на основе GaN?
По прогнозам, среднегодовой темп роста рынка полупроводниковых устройств GaN составит 17,21% в течение прогнозируемого периода (2024-2029 гг.).
Кто являются ключевыми игроками на рынке GaN Semiconductor Devices?
GaN Systems, Infineon Technologies AG, Efficient Power Conversion Corporation, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, NXP Semiconductors – основные компании, работающие на рынке полупроводниковых устройств GaN.
Какой регион на рынке GaN Semiconductor Devices является наиболее быстрорастущим?
По оценкам, Азиатско-Тихоокеанский регион будет расти с самым высоким среднегодовым темпом роста за прогнозируемый период (2024-2029 гг.).
Какой регион имеет самую большую долю на рынке GaN Semiconductor Devices?
В 2024 году на долю Северной Америки будет приходиться наибольшая доля рынка полупроводниковых устройств GaN.
Какие годы охватывает рынок GaN Semiconductor Devices?
В отчете рассматривается исторический размер рынка GaN Semiconductor Devices за годы 2021, 2022 и 2023 годы. В отчете также прогнозируется размер рынка GaN Semiconductor Devices на годы 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 и 2029 годы.
Отчет об отрасли полупроводниковых устройств GaN
Статистические данные о доле, размере и темпах роста доходов на рынке GaN Semiconductor Devices в 2024 году, предоставленные Mordor Intelligence™ Industry Reports. Анализ GaN Semiconductor Devices включает прогноз рынка до 2029 года и исторический обзор. Получите образец этого отраслевого анализа в виде бесплатного отчета в формате PDF, который можно загрузить.
