| Período de Estudo | 2019 - 2029 |
| Tamanho do Mercado (2024) | USD 2.02 Billion |
| Tamanho do Mercado (2029) | USD 4.77 Billion |
| CAGR (2024 - 2029) | 18.76 % |
| Mercado de Crescimento Mais Rápido | Ásia-Pacífico |
| Maior Mercado | América do Norte |
| Concentração do Mercado | Médio |
Principais jogadores*Isenção de responsabilidade: Principais participantes classificados em nenhuma ordem específica |
Análise de mercado de nitreto de gálio por radiofrequência
O tamanho do mercado RF GaN é estimado em US$ 1,7 bilhão em 2024, e deverá atingir US$ 4,03 bilhões até 2029, crescendo a um CAGR de 18,76% durante o período de previsão (2024-2029).
Devido aos benefícios do uso de RF GaN em uma ampla gama de dispositivos e aplicações vinculados em tempo real, espera-se que mais indústrias usem a tecnologia da Internet das Coisas (IoT), que deverá impulsionar o crescimento do mercado. Com a tecnologia GaN em constante evolução, o GaN permite frequências mais altas em aplicações mais complexas, como phased arrays, radar e estações transceptoras base para TV a cabo (CATV), terminal de abertura muito pequena (VSAT) e comunicações de defesa.
- RF GaN desempenha um papel fundamental na infraestrutura sem fio, melhorando a eficiência e expandindo a largura de banda para suportar velocidades cada vez maiores de transmissão de dados. O mercado de RF GaN é impulsionado principalmente pela crescente adoção de 5G e pelos avanços nas comunicações sem fio. As operadoras de telecomunicações também poderiam se beneficiar do aumento do uso de transistores de potência GaN.
- A crescente adoção de RF GaN em automóveis elétricos também é um dos principais fatores que impulsionam a demanda neste mercado. Dispositivos de carboneto de silício são usados em carregadores de bateria de ônibus elétricos, táxis, caminhões e automóveis de passageiros. Além disso, o aumento das leis governamentais que favorecem o mercado de veículos elétricos estimula a demanda no mercado de RF GaN.
- A infraestrutura necessária para criar veículos autônomos e drones é outro fator que aumenta a demanda por tecnologias RF GaN. Assim, espera-se que o crescimento na adoção e desenvolvimento de veículos autônomos e drones para diversas aplicações, especialmente militares e de defesa, aumente ainda mais a adoção de dispositivos RF GaN durante o período de previsão.
- As vantagens materiais inerentes ao GaN trazem alguns desafios de fabricação associados que incluem o custo e a otimização do processamento e embalagem do dispositivo. Outros problemas incluem retenção de carga e colapso de corrente, que precisam ser resolvidos para aumentar a adoção desses dispositivos. Embora melhorias significativas tenham sido feitas em dispositivos baseados em RF GaN (desempenho e rendimento), ainda existem algumas barreiras que impedem o nitreto de gálio em carboneto de silício (GaN-on-SiC) de entrar em aplicações convencionais (ou seja, em estações base de telecomunicações sem fio). ou CATV).
- A pandemia da COVID-19 impactou as linhas de abastecimento e a indústria de telecomunicações. Prejudicou consideravelmente a penetração do 5G no setor das telecomunicações. Nesta situação crítica, espera-se que os consumidores continuem a utilizar telemóveis, mas a maioria deles poderá não conseguir investir mais numa tecnologia que ainda está numa fase inicial.
- O rápido aumento do consumo de dados resultou no crescimento das redes comerciais e está a encorajar os fornecedores de rede a adoptarem redes de próxima geração, como 4G e 5G. De acordo com o Cisco Visual Networking Index, espera-se que o tráfego global de dados móveis registe uma CAGR de 46%, atingindo 77,5 exabytes por mês até 2022.
- Organizações em todo o mundo estão inovando em novos produtos e expandindo seus negócios. Por exemplo, em junho de 2022, a Integra, fornecedora de soluções inovadoras de energia de RF e micro-ondas, anunciou que havia começado a enviar sua inovadora tecnologia RF GaN de 100 V para clientes nos Estados Unidos e na Europa. A empresa também anunciou a expansão de seu portfólio de produtos 100V RF GaN com o lançamento de sete novos produtos para os segmentos de aviônicos, energia dirigida, guerra eletrônica, radar e mercado científico, fornecendo níveis de potência de até 5kW em um único transistor.
Tendências de mercado de nitreto de gálio por radiofrequência
Forte demanda do segmento de infraestrutura de telecomunicações impulsionada por avanços na implementação de 5G
- Como principal motor da digitalização global e como uma indústria que está a passar por mudanças abrangentes no ambiente de mercado, a indústria das telecomunicações é considerada um grande utilizador de tecnologias de transformação digital. O investimento da indústria das telecomunicações na interoperabilidade e na tecnologia facilitou uma mudança de paradigma no fluxo de capital e de informação em toda a economia global, fornecendo os alicerces para o surgimento de modelos de negócios inteiramente novos em toda a indústria.
- Espera-se que a tecnologia 5G revolucione o domínio de vários serviços de banda larga e capacite a conectividade em diferentes setores verticais de usuários finais. Os principais fatores que impulsionam a participação de mercado do GaN são o aumento das assinaturas móveis, o streaming de conteúdo de vídeo online, a infraestrutura 5G e vários aplicativos IoT usando 5G. Prevê-se que o 5G suporte diferentes serviços e requisitos de serviço associados em vários cenários.
- Atualmente, o número de assinaturas móveis 5G está avaliado em 0,42 milhões e espera-se que atinja 400 milhões de assinaturas até 2022. Com o crescimento substancial nas implementações da tecnologia 5G a nível mundial, espera-se que a procura pela tecnologia RF GaN aumente.
- Em maio de 2022, STMicroelectronics (ST) e MACOM Technology Solutions Holdings (MACOM), fornecedora de produtos semicondutores para as indústrias de telecomunicações, industrial, defesa e data center, anunciaram a produção de RF GaN em silício (RF Gan-on-Si ) protótipos. Com este sucesso, ST e MACOM continuarão a trabalhar juntas e a expandir o seu relacionamento. Prevê-se que a tecnologia GaN-on-Si em desenvolvimento pela ST e MACOM ofereça desempenho competitivo e economias de escala significativas possibilitadas pela integração em fluxos de processos de semicondutores padrão.
- Qorvo é um dos fornecedores de soluções de RF para fabricantes de estações base 2G, 3G e 4G. Ela está posicionada de forma única no mercado para apoiar o desenvolvimento de infraestrutura sem fio sub-6 GHz e cmWave/mmWave. A Qorvo tem investido em soluções de produtos que abrangem bandas 5G relevantes, como 3,5, 4,8 e 28, e 39GHz, para atender o mercado, principalmente para habilitar o 5G.
- A necessidade de conjuntos de antenas densos e de pequena escala na infraestrutura 5G resulta em desafios importantes com o gerenciamento de energia e térmico em sistemas de radiofrequência (RF). Com melhor desempenho de banda larga, eficiência e densidade de energia, os dispositivos GaN oferecem potencial para soluções mais compactas que podem enfrentar esses desafios.
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Espera-se que a Ásia-Pacífico experimente um crescimento significativo
- A indústria de semicondutores discretos da região Ásia-Pacífico é impulsionada pela China, Japão, Taiwan e Coreia do Sul, constituindo cerca de 65% do mercado global de semicondutores discretos. Em contraste, outros, como o Vietname, a Tailândia, a Malásia e Singapura, contribuem para o domínio da região no mercado.
- De acordo com a Associação de Eletrônica e Semicondutores da Índia, o mercado indiano de componentes semicondutores registraria um CAGR de 10,1% (2018-2025) para atingir US$ 32,35 bilhões até 2025. O país é um destino vital para centros globais de pesquisa e desenvolvimento. Portanto, espera-se que a iniciativa em curso Make in India do Governo da Índia resulte num investimento significativo no mercado de semicondutores. Tais iniciativas do governo da Índia alavancarão o mercado de RF GaN.
- Em fevereiro de 2022, a Navitas Semiconductor, fornecedora de circuitos integrados (ICs) GaN, anunciou sua participação na Conferência de Investidores da China International Capital Corporation Limited (CICC). O GaN power IC proprietário da empresa integra energia GaN e acionamento, controle e proteção GaN em um único pacote SMT. Tal participação alavancará o mercado de GaN na região.
- Espera-se que a demanda por RF GaN em toda a região da APAC aumente devido ao crescente interesse dos investidores no desenvolvimento de infraestrutura para apoiar a tecnologia 5G. Por exemplo, de acordo com a GSMA, espera-se que a operadora móvel da Ásia-Pacífico gaste mais de 400 mil milhões de dólares até 2025, dos quais 331 mil milhões de dólares serão gastos em implementações de 5G.
- O crescimento das empresas RF GaN na China faz parte de uma tendência mais ampla à medida que o país passa de uma economia industrial para uma economia orientada para a inovação. O mercado chinês está a testemunhar uma procura explosiva de aplicações comerciais de telecomunicações sem fios e as empresas chinesas já estão a desenvolver redes de telecomunicações de próxima geração.
- Além disso, em dezembro de 2021, pesquisadores do IIT Kanpur, na Índia, desenvolveram um modelo padrão da indústria de alto desempenho de transistor de alta mobilidade de elétrons (HEMT) de alumínio GaN (AlGaN). Este modelo fornece um método de projeto simples que pode ser usado para fabricar circuitos de RF de alta potência. Os circuitos de RF incluem amplificadores e interruptores usados em transmissões sem fio e são úteis em aplicações aeroespaciais e de defesa. Inovações constantes por parte dos pesquisadores impulsionarão o crescimento do mercado de RF GaN na região.
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Visão geral da indústria de nitreto de gálio por radiofrequência
A rivalidade competitiva entre os players do mercado RF GaN é alta devido à presença de alguns players importantes como Raytheon Technologies, microeletrônica STM, entre outros. A sua capacidade de inovar continuamente as suas ofertas permitiu-lhes obter uma vantagem competitiva sobre outros intervenientes. Por meio de pesquisa e desenvolvimento, parcerias estratégicas e fusões e aquisições, esses players conseguiram conquistar uma posição forte no mercado.
Em junho de 2022, a Qorvo, um fornecedor proeminente de soluções inovadoras de RF que conectam o mundo, foi selecionada pelo Departamento de Defesa dos EUA (DoD) para prosseguir com o Advanced Integration Interconnection and Fabrication Growth for Domestic State-of-the-Art (SOTA ) Programa RF GaN, também conhecido como STARRY NITE, como parte do roteiro de microeletrônica do Escritório do Subsecretário de Pesquisa e Engenharia de Defesa (OUSD RE). O programa busca desenvolver e amadurecer fundições SOTA RF GaN abertas e domésticas em alinhamento com o ecossistema de embalagens avançadas do DoD.
Em maio de 2022, STMicroelectronics e MACOM Technology Solutions Holdings Inc., um importante fornecedor de produtos semicondutores para as indústrias industrial, de telecomunicações, de defesa e de data center, anunciaram a produção bem-sucedida de protótipos RF Gan on Silicon (RF Gan-on-Si).. Com esta conquista, a ST e a MACOM continuariam a trabalhar juntas e a melhorar o seu relacionamento.
Líderes de mercado de nitreto de gálio por radiofrequência
-
Mitsubishi Electric Corporation
-
STMicroelectronics NV
-
Qorvo Inc.
-
Analog Devices Inc.
-
Raytheon Technologies
- *Isenção de responsabilidade: Principais participantes classificados em nenhuma ordem específica
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Notícias do mercado de nitreto de gálio por radiofrequência
- Setembro de 2022 MaxLinear Inc. e RFHIC anunciaram uma colaboração para fornecer uma solução de amplificador de potência de 400 MHz pronta para produção para rádios Macrocell 5G, utilizando tecnologias MaxLinear MaxLIN Digital Predistortion e Crest Factor Reduction para otimizar o desempenho dos mais recentes transistores GaN RF da série ID-400W da RFHIC. Combinar o transistor GaN RF duplo reverso ID41411DR da RFHIC com MaxLIN DPD e disponibilizá-lo como uma solução pré-verificada permitiria aos desenvolvedores de produtos Radio Access Network (RAN) fornecer rapidamente PAs Macro de banda ultralarga de 400 MHz para todas as implantações globais de banda média 5G com alta eficiência energética e baixas emissões.
- Junho de 2022 Para sua linha de produtos RF GaN de 100 V, a Integra anunciou a inclusão de mais sete dispositivos com níveis de potência de até 5 kW em um único transistor para as áreas de aviônica, energia dirigida, guerra eletrônica, radar e aplicações científicas. Esses itens usam a tecnologia 100 V RF GaN da Integra, que é projetada para fornecer a máxima potência e eficiência possível em um único transistor, mantendo temperaturas de junção operacionais estáveis.
Segmentação da Indústria de Nitreto de Gálio por Radiofrequência
GAN se destaca em aplicações de RF por vários motivos, como alto campo de ruptura, alta velocidade de saturação e propriedades térmicas robustas, pois têm sido fundamentais na transmissão de sinais em longas distâncias ou em níveis de potência de ponta.
Este relatório segmenta o mercado por Aplicação (Militar, Infraestrutura de Telecomunicações, Comunicação por Satélite, Banda Larga com Fio, Radar Comercial e Aviônicos e Energia RF), Material (GaN-on-Sic e GaN-on-Silicon) e Geografia (América do Norte, Europa, Ásia-Pacífico e Médio Oriente e África). Os tamanhos e previsões do mercado são fornecidos em termos de valor (milhões de dólares) para todos os segmentos acima.
| Por aplicativo | Militares |
| Infraestrutura de Telecomunicações (Backhaul, RRH, Massive MIMO, Small Cells) | |
| Comunicação via satélite | |
| Banda larga com fio | |
| Radar Comercial e Aviônicos | |
| Energia RF | |
| Por tipo de material | GaN-em-Si |
| GaN-em-SiC | |
| Outros tipos de materiais (GaN-on-GaN, GaN-on-Diamond) | |
| Geografia | América do Norte |
| Europa | |
| Ásia-Pacífico | |
| Oriente Médio e África |
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Perguntas frequentes sobre pesquisa de mercado de nitreto de gálio por radiofrequência
Qual é o tamanho do mercado RF GaN?
O tamanho do mercado RF GaN deverá atingir US$ 1,70 bilhão em 2024 e crescer a um CAGR de 18,76% para atingir US$ 4,03 bilhões até 2029.
Qual é o tamanho atual do mercado RF GaN?
Em 2024, o tamanho do mercado RF GaN deverá atingir US$ 1,70 bilhão.
Quem são os principais atores do mercado RF GaN?
Mitsubishi Electric Corporation, STMicroelectronics NV, Qorvo Inc., Analog Devices Inc., Raytheon Technologies são as principais empresas que operam no mercado RF GaN.
Qual é a região que mais cresce no mercado RF GaN?
Estima-se que a Ásia-Pacífico cresça no maior CAGR durante o período de previsão (2024-2029).
Qual região tem a maior participação no mercado RF GaN?
Em 2024, a América do Norte é responsável pela maior participação de mercado no mercado RF GaN.
Que anos esse mercado RF GaN cobre e qual era o tamanho do mercado em 2023?
Em 2023, o tamanho do mercado RF GaN foi estimado em US$ 1,43 bilhão. O relatório abrange o tamanho histórico do mercado RF GaN para os anos 2019, 2020, 2021, 2022 e 2023. O relatório também prevê o tamanho do mercado RF GaN para os anos 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 e 2029.
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Relatório da indústria RF GaN
Estatísticas para a participação de mercado de RF GaN em 2024, tamanho e taxa de crescimento de receita, criadas pela Mordor Intelligence™ Industry Reports. A análise RF GaN inclui uma perspectiva de previsão de mercado para 2029 e uma visão geral histórica. Obtenha uma amostra desta análise do setor como um download gratuito em PDF do relatório.
