| Período de Estudo | 2019 - 2029 |
| Ano Base Para Estimativa | 2023 |
| CAGR | 29.90 % |
| Mercado de Crescimento Mais Rápido | Ásia-Pacífico |
| Maior Mercado | América do Norte |
| Concentração do Mercado | Médio |
Principais jogadores
*Isenção de responsabilidade: Principais participantes classificados em nenhuma ordem específica |
Análise de mercado de memória de acesso aleatório resistiva (RAM)
Espera-se que o mercado de RAM resistiva registre um CAGR de 29,9% durante o período de previsão. Prevê-se que a RAM resistiva, uma memória não volátil, conquiste uma participação de mercado ao substituir a memória de acesso aleatório estática e a memória de acesso aleatório dinâmica. A substituição será possível devido aos inúmeros benefícios proporcionados pela memória de acesso aleatório resistiva, como grande densidade de armazenamento e empacotamento 3D, permitindo que camadas de dispositivos de memória sejam coordenadas e organizadas em um chip, comutação rápida para troca rápida de informações e uso menos energia por ciclo de comutação. A ReRAM também pode substituir a memória flash usada em telefones celulares e outros produtos eletrônicos de consumo, como tocadores de MP3.
- Além disso, a crescente adoção de tecnologia de sensores, como dispositivos vestíveis e habilitados para IA em diversas regiões do mundo, impulsionou a demanda por transferências rápidas de dados e alta densidade de armazenamento, o que, por sua vez, oferece uma tremenda oportunidade ou possibilidade para o crescimento. do mercado de memória de acesso aleatório resistiva globalmente.
- Além disso, várias empresas de memória múltipla estão investindo na tecnologia ReRAM. Por exemplo, em abril do ano passado, a CrossBar Inc., fornecedora de tecnologia de memória não volátil, anunciou novas aplicações de sua tecnologia ReRAM para uso em armazenamento e processamento seguros, onde a resistência à engenharia reversa e a ataques físicos é um requisito essencial do sistema.. A tecnologia da empresa agora está sendo oferecida para uso em aplicações de memória que exigem níveis mais elevados de segurança de conteúdo.
- A memória resistiva de acesso aleatório (ReRAM) está ganhando força como alternativa de memória não volátil (NVM), especialmente em contextos de nuvem e data center, onde o desempenho e a eficiência energética estão melhorando constantemente. A tecnologia ReRAM demonstrou menor latência de leitura e versão de gravação mais rápida do que as memórias flash, ao mesmo tempo em que alcançou energia de programa de 64pJ/célula, o que representa uma melhoria de 20% em relação à NAND, à medida que a demanda por dados cresce dos usuários por meio de serviços premium, como streaming de vídeo e de máquinas. através da Internet das Coisas (IoT). Além disso, os arrays ReRAM verticais 3D fornecem subsistemas de memória de alto desempenho capazes de substituir SSDs padrão baseados em DRAM ou flash em ambientes de data center, permitindo processamento, armazenamento e recuperação de dados mais rápidos em formatos significativamente menores com menor consumo de energia.
- No entanto, os custos crescentes da memória resistiva de acesso aleatório e a complexidade em diversas aplicações tecnológicas tornaram-se desafios cruciais que podem dificultar o crescimento do mercado ao longo do período de previsão.
- Além disso, a pandemia COVID-19 está provavelmente a impedir o crescimento global previsto do mercado, atribuído principalmente à perturbação da cadeia de abastecimento, com várias empresas a testemunhar uma escassez de componentes como indutores e condensadores para o fabrico. Mas, nos anos subsequentes, espera-se que a inovação e a implementação de novos materiais aumentem a procura por memória de acesso aleatório resistiva em diversos setores verticais em todo o mundo.
Tendências de mercado de memória de acesso aleatório resistiva (RAM)
A crescente demanda por dispositivos conectados no segmento de eletrônicos de consumo está alimentando a demanda por ReRAM
- As ReRAMs podem computar mais rápido que as RAMs comuns, são melhores para aplicativos de leitura intensiva e são ideais para memória de classe de armazenamento em servidores. Além disso, espera-se que o aumento da demanda por eletrônicos de consumo por dispositivos interconectados, o uso crescente de tecnologias de sensores, incluindo dispositivos vestíveis e habilitados para IA, e os desenvolvimentos dos participantes da indústria contribuam para o crescimento do mercado.
- Por exemplo, em agosto do ano passado, a Enphase Energy, Inc., uma empresa mundial de tecnologia energética e a maior produtora mundial de sistemas fotovoltaicos e de armazenamento baseados em microinversores, lançou uma nova colaboração com a Home Connect. Esta rede digital acessível permite controlar eletrodomésticos de vários fabricantes com um único aplicativo.
- A maior velocidade de comutação constitui a principal vantagem do ReRAM sobre outras tecnologias de armazenamento não volátil, como o flash NAND. ReRAM consome muito menos energia que o flash NAND. Isso o torna mais adequado para memória em dispositivos sensores para aplicações industriais, automotivas e de Internet das Coisas (IoT). A computação neuromórfica é outra aplicação potencial para ReRAM.
- Nos últimos anos, tem sido testemunhada uma procura significativa por dispositivos conectados, como wearables, IoT e sistemas baseados em IA. RAMs resistivas são usadas nesses dispositivos para aumentar a capacidade de armazenamento. Além disso, com as próximas cidades e casas inteligentes, o número de dispositivos conectados irá certamente aumentar, o que, por sua vez, aumentará a procura de servidores com forte capacidade de memória.
- Para atender aos requisitos emergentes de IoT, diversas empresas estão introduzindo inovações para conectar e dimensionar operações remotas, concretizando aplicações de IoT em tempo real, seguras e com muita largura de banda. Por exemplo, em setembro do ano passado, a Silicon Labs, pioneira em inovação sem fio segura e inteligente para um mundo melhor conectado, revelou um portfólio de soluções inovadoras que expandiu significativamente sua gama orientada para a interoperabilidade, com suporte multiprotocolo e robustamente segura com novas soluções para promover avanços e padrões que definem a Internet das Coisas, como Amazon Sidewalk, Matter, Wi-SUN e Wi-Fi 6.
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A Ásia-Pacífico deverá deter uma participação importante no mercado
- Espera-se que a Ásia-Pacífico tenha uma posição forte no mercado global de memória de acesso aleatório resistiva durante o período de previsão. China, Coreia do Sul e Índia são alguns dos principais países que impulsionam o crescimento do mercado na região Ásia-Pacífico. A crescente indústria automotiva e de eletrônicos de consumo alimenta principalmente a demanda por memória de acesso aleatório resistiva nos países da Ásia-Pacífico.
- Além disso, muitas organizações estão a estabelecer centros de dados nesta região, o que também ampliará a procura pelo mercado de RAM resistiva. As nações em desenvolvimento, como Índia e China, e Japão, impulsionarão o crescimento do mercado nesta região devido ao crescente servidor empresarial, centros de dados, IA e infraestrutura conectada.
- A China está desenvolvendo sua indústria doméstica de CI e planeja fabricar mais chips. A presença significativa de fabricantes na região também é um importante fator que contribui para o mercado. A China é o lar de várias fundições globais com influência crescente no setor global de semicondutores.
- Os crescentes investimentos nos fabricantes baseados na tecnologia ReRAM estão impulsionando a taxa de crescimento do mercado. Por exemplo, a Xinyuan Semiconductor, que se concentra na pesquisa e desenvolvimento de novos produtos de memória ReRAM e produtos derivados associados, tornou-se a principal empresa de nova tecnologia de memória da China.
- Além disso, em março de 2022, a Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited revelou o lançamento do MB85AS12MT, um ReRAM de 12 Mbit com a maior capacidade na linha de produtos ReRAM da Fujitsu. Esta nova invenção é um armazenamento não volátil com alta capacidade de memória de 12 Mbit em um pacote compacto de cerca de 2 mm x 3 mm.
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Visão geral da indústria de memória de acesso aleatório resistiva (RAM)
O mercado de RAM resistiva é moderadamente competitivo e consiste em vários players importantes. Participantes do mercado como Rambus Inc., Panasonic Corporation, Adesto Technologies, Fujitsu Ltd e Crossbar Inc., entre outros, são algumas das principais empresas que operam no mercado. Estes grandes intervenientes estão concentrados na expansão da sua capacidade de produção e na alavancagem de iniciativas estratégicas de colaboração para aumentar a sua quota de mercado e rentabilidade.
Em novembro de 2022, a Infineon Technologies lançou a tecnologia de memória não volátil (NVM) Resistive RAM (RRAM) da TSMC em sua próxima geração de microcontroladores automotivos. RRAM é uma tecnologia flash incorporada emergente para microcontroladores que pode ser dimensionada para tecnologias de processo de 28 nm e além, com a confiabilidade necessária para projetos automotivos. A tecnologia é mais imune a interferências e permite a gravação bit a bit sem a necessidade de apagar, ao mesmo tempo em que apresenta resistência e desempenho de retenção de dados comparáveis à tecnologia atual de memória flash.
Em outubro de 2022, a Weebit Nano Limited, desenvolvedora de tecnologias de memória de próxima geração para a indústria mundial de semicondutores, declarou que havia concluído a qualificação tecnológica completa de seu módulo de memória resistiva de acesso aleatório (ReRAM), fabricado principalmente por seu parceiro de PD. CEA-Leti. Esta é a primeira qualificação completa da tecnologia Weebit ReRAM, uma etapa crucial que deve ser concluída para cada produto semicondutor em cada novo processo alvo.
Líderes de mercado de memória de acesso aleatório resistiva (RAM)
-
Panasonic Corporation
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Adesto Technologies
-
Fujitsu Ltd
-
Crossbar Inc.
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Rambus Inc.
- *Isenção de responsabilidade: Principais participantes classificados em nenhuma ordem específica
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Notícias do mercado de memória de acesso aleatório resistiva (RAM)
- Fevereiro de 2022 A Intrinsic Semiconductor Technologies declarou que escalou com sucesso seus dispositivos de memória de acesso aleatório resistivos (RRAM) baseados em óxido de silício. Eles demonstraram características de desempenho elétrico, que podem permitir seu uso como memória não volátil, incorporada, de alto desempenho e baixo custo em dispositivos lógicos em nós de processamento avançados. Os dispositivos RRAM da empresa foram dimensionados para dimensões de 50 nm. A empresa disse que os dispositivos demonstraram excelente comportamento de comutação, o que é fundamental para seu uso como a próxima geração de memória de estado sólido não volátil.
- Janeiro de 2022 A Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited revelou a disponibilidade do 8Mbit FRAM MB85RQ8MLX com interface Quad SPI, a mais alta densidade na linha de produtos FRAM de conexão SPI da Fujitsu.
Segmentação da indústria Memória de acesso aleatório resistiva (RAM)
Memória de acesso aleatório resistiva(ReRAM ou RRAM) é uma memória de computador de acesso aleatório não volátil que opera com base no princípio de alterar a resistência em um material dielétrico de estado sólido. A memória de acesso aleatório resistiva baseia-se na aplicação da função de memória, alterando a resistência do material entre um estado alto e baixo.
O Mercado de RAM resistiva é segmentado por Aplicação (Incorporado, Autônomo), Usuário Final (Industrial/IoT/Wearables/Automotivo, SSD/Datacenters/Estações de Trabalho) e Geografia (Américas, Europa, China, Japão, Ásia-Pacífico ((excl China e Japão)). Os tamanhos e previsões do mercado são fornecidos em termos de valor (milhões de dólares) para todos os segmentos acima.
| Aplicativo | Incorporado (ICs analógicos, MCU/SoC/ASIC/ASSPs, computação em memória) |
| Autônomo (memória rápida/confiável, armazenamento de código/dados, armazenamento de baixa latência e memória persistente) | |
| Usuário final | Industrial/IoT/Wearables/Automotivo |
| SSD/datacenters/estações de trabalho | |
| Geografia | Américas |
| Europa | |
| China | |
| Japão | |
| Ásia-Pacífico (excluindo China e Japão) |
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Perguntas frequentes sobre pesquisa de mercado de memória de acesso aleatório resistiva (RAM)
Qual é o tamanho atual do mercado de RAM resistiva?
O Mercado de RAM resistiva deverá registrar um CAGR de 29,90% durante o período de previsão (2024-2029)
Quem são os principais atores do mercado de RAM resistiva?
Panasonic Corporation, Adesto Technologies, Fujitsu Ltd, Crossbar Inc., Rambus Inc. são as principais empresas que operam no mercado de RAM resistiva.
Qual é a região que mais cresce no mercado de RAM resistiva?
Estima-se que a Ásia-Pacífico cresça no maior CAGR durante o período de previsão (2024-2029).
Qual região tem a maior participação no mercado de RAM resistiva?
Em 2024, a América do Norte é responsável pela maior participação de mercado no mercado de RAM resistiva.
Que anos este mercado de RAM resistiva cobre?
O relatório abrange o tamanho histórico do mercado de RAM resistiva para os anos 2019, 2020, 2021, 2022 e 2023. O relatório também prevê o tamanho do mercado de RAM resistiva para os anos 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 e 2029.
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Relatório da indústria de RAM resistiva
Estatísticas para a participação de mercado de RAM resistiva em 2024, tamanho e taxa de crescimento de receita, criadas por Mordor Intelligence™ Industry Reports. A análise de RAM resistiva inclui uma perspectiva de previsão de mercado para 2029 e uma visão histórica. Obtenha uma amostra desta análise do setor como um download gratuito em PDF do relatório.
