Tamanho do mercado de transistores de próxima geração e análise de ações – Tendências e previsões de crescimento (2024 – 2029)

O relatório de mercado abrange empresas globais de transistores e é segmentado por tipo (transistor de alta mobilidade eletrônica (HEMT), transistor de junção bipolar (BJT), transistores de efeito de campo (FET), transistor de emissor múltiplo (MET), transistor eficaz de campo semicondutor de óxido metálico de porta dupla ), Indústria do usuário final (Aeroespacial e Defesa, Industrial, Telecomunicações, Eletrônicos de Consumo) e Geografia. O tamanho do mercado e as previsões são fornecidos em termos de valor (milhões de dólares) para todos os segmentos acima.

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Período de Estudo 2019 - 2029
Ano Base Para Estimativa 2023
CAGR 4.00 %
Mercado de Crescimento Mais Rápido Ásia-Pacífico
Maior Mercado América do Norte
Concentração de Mercado Baixo

Jogadores principais

Principais participantes do mercado de transistores de próxima geração

*Isenção de responsabilidade: Principais participantes classificados em nenhuma ordem específica

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Análise de mercado de transistores de próxima geração

Espera-se que o mercado de transistores de próxima geração cresça a um CAGR de 4% durante o período de previsão. Principalmente devido ao aumento do mercado de eletrônicos de consumo. Um bilhão de transistores estão presentes nos smartphones mais novos do mercado, garantindo uma operação mais rápida do gadget. De acordo com o IBEF, a receita do mercado de smartphones da Índia ultrapassou recentemente os 38 mil milhões de dólares, com um crescimento anual de 27%. Além disso, a Xiaomi, uma importante empresa de smartphones, vendeu 39,5 milhões de dispositivos no segundo trimestre de 2022.

  • Os materiais semicondutores representam uma das inovações significativas na indústria eletrônica. Isso pode ser atribuído à sua alta mobilidade eletrônica, amplos limites de temperatura e baixo consumo de energia. De acordo com a SEMI, as vendas mundiais de equipamentos de fabricação de semicondutores por fabricantes de equipamentos originais atingiram um recorde de US$ 117,5 bilhões em 2022, aumentando 14,7% em relação ao recorde anterior da indústria de US$ 102,5 bilhões em 2021 e com previsão de aumento de US$ 120,8 bilhões em 2023.
  • O crescente escopo de recursos avançados em dispositivos de consumo também está alimentando a necessidade de processamento rápido e em tempo real. Além disso, com o advento da IoT, recursos como IA, análise de dados, transferência e processamento de dados em tempo real estão se tornando uma necessidade básica para qualquer dispositivo avançado, criando uma enorme oportunidade para os fornecedores do mercado estudado. Além disso, a TSMC apresentou sua próxima tecnologia de processo de fabricação no Simpósio de Tecnologia da América do Norte de 2022, com destaque para os detalhes de seu nó de 2 nm de próxima geração, conhecido internamente como N2. A empresa entrará em produção com o nó de 3 nm no final de 2022.
  • Além disso, em abril de 2022, os cientistas criaram o que acreditam ser o primeiro transistor magnetoelétrico que poderia ajudar a tornar a eletrónica mais eficiente em termos energéticos. Além de reduzir o consumo de energia de qualquer microeletrônica que o incorpore, o projeto da equipe poderia reduzir o número de transistores necessários para armazenar dados específicos em até 75%, levando a dispositivos menores. Ele também poderia emprestar aquela memória de armadilha de aço microeletrônica que lembra exatamente onde seus usuários pararam, mesmo depois de ser desligado ou perder energia abruptamente.
  • Além disso, muitos participantes do mercado estão migrando para o emprego de nanofolhas em seus processos de fabricação. Por exemplo, em junho de 2022, a fabricante de chips taiwanesa TSMC revelou detalhes de seu tão aguardado nó de processo de produção de 2 nm – previsto para chegar em 2025 – que usará uma arquitetura de transistor de nanofolha e melhorias em sua tecnologia de 3 nm. De acordo com a empresa. Espera-se que as novas gerações de chips semicondutores de silício aumentem a velocidade. Serão mais eficientes em termos energéticos à medida que os nós dos processos diminuem e a indústria tecnológica continua a lutar para se manter fiel à Lei de Moore.
  • Além disso, a Pós-Covid 19 está a afectar a capacidade de produção e fabrico da indústria de semicondutores e outros componentes electrónicos. Por exemplo, em junho de 2022, segundo fontes da imprensa chinesa, o bloqueio da Omicron em Shenzhen forçou Huaqiangbei, um dos maiores mercados de eletrónica do mundo, a fechar parcialmente mais uma vez. Huaqiangbei, um centro de fornecimento de semicondutores, celulares e outros eletrônicos, está situado no distrito de Futian, em Shenzhen. De acordo com a mídia financeira Cailianshe, certos fornecedores em Huaqiangbei cessaram temporariamente as operações enquanto Shenzhen intensificava as medidas para controlar a propagação do altamente contagioso Omicron Covid-19. Esses fornecedores incluem a primeira e a segunda lojas da HuaqiangElectronics World.

Tendências do mercado de transistores de próxima geração

Aumento da adoção do transistor de alta mobilidade eletrônica (HEMT)

  • Transistores de alta mobilidade eletrônica produzem alto ganho, tornando esses transistores muito úteis como amplificadores. Eles podem mudar rapidamente de velocidade. E valores de ruído superficiais são produzidos porque as variações de corrente nesses transistores são relativamente baixas.
  • Muitas empresas estão desenvolvendo dispositivos HEMT que operam em frequências mais altas que os transistores convencionais. Por exemplo, em novembro de 2022, a Nanoscience Technology anunciou um novo dispositivo GaN HEMT de baixo RDS(on) 650V E-mode. Em um pacote DFN 8x8 padrão, os transistores de potência INN650D080BS têm uma resistência de 80m (60m típico), permitindo aplicações de maior potência, como arquiteturas Totem Pole LLC ou carregadores rápidos de bateria.
  • Por exemplo, em setembro de 2022, a Ampleon lançou um novo transistor CLL3H0914L-700 GaN-SiC de alta mobilidade eletrônica. Este robusto transistor GaN é otimizado para execuções de radar onde são necessários longos pulsos de largura e ciclos de alto desempenho. O transistor foi projetado para atingir mais de 700 W de potência de saída de pico a partir de um único transistor enquanto opera a uma tensão de 50 V com eficiência líder do setor de mais de 70%, bem como desenvolvido termicamente para aplicações de pulso longo, como larguras de pulso (~2 milissegundos) e ciclos de trabalho de 20%.
  • Além disso, a crescente demanda por eletrônicos de consumo e a aplicabilidade de transistores de alta mobilidade eletrônica impulsionam o crescimento do mercado. De acordo com o IBEF, a indústria indiana de eletrodomésticos e eletrônicos de consumo atingiu recentemente US$ 9,84 bilhões e deverá mais que dobrar para atingir INR 1,48 lakh crore (US$ 21,18 bilhões) até 2025. Tais desenvolvimentos em eletrônicos de consumo impulsionarão ainda mais o crescimento do mercado estudado.
  • Além disso, a STMicroelectronics anunciou recentemente uma nova família de peças GaN designada STi2GaN, que significa ST Intelligent and Integrated GaN. As peças utilizam a tecnologia de embalagem bond-wire-free da ST para proporcionar robustez e confiabilidade. A nova família de produtos visa aproveitar a alta densidade de potência e eficiência do GaN para oferecer uma gama de dispositivos de transistor de alta mobilidade eletrônica (HEMT) de 100 e 650 V.
Mercado de Transistores de Próxima Geração – Receita da Indústria de Fabricação de Diodos, Dispositivos Semicondutores Transistores, em bilhões de dólares, Coreia do Sul, 2020 – 2024

Ásia-Pacífico experimentará crescimento significativo do mercado

  • A região Ásia-Pacífico é um centro eletrónico com milhares de milhões de dispositivos eletrónicos fabricados anualmente para consumo, especificamente nesta região. No entanto, a região Ásia-Pacífico desempenha um papel significativo na exportação de componentes eletrónicos em todo o mundo. O rápido crescimento do mercado de eletrônicos de consumo nesta região é o principal fator de crescimento para a região Ásia-Pacífico no Mercado Global de Transistores de Próxima Geração.
  • Além disso, as economias em desenvolvimento da região, como a China e o Japão, têm enormes bases de produção de produtos eletrónicos e têm potencial para se tornarem intervenientes significativos no mercado de transístores. Além disso, os telefones da próxima geração estariam inteiramente focados em melhorar o desempenho dos telefones com melhores especificações. Espera-se que a integração de mais transistores direcione para telefones menores com processamento mais rápido, o que atende perfeitamente às necessidades do consumidor. De acordo com o IBEF, as remessas de smartphones Made-in-India aumentaram 7% em relação ao ano anterior no primeiro trimestre de 2022, atingindo mais de 48 milhões de unidades, enquanto mais de 190 milhões de smartphones fabricados na Índia foram enviados.
  • De acordo com o IBEF, a Política Nacional de Electrónica 2019 visa a produção de mil milhões de telemóveis avaliados em 190 mil milhões de dólares até 2025, dos quais 600 milhões de aparelhos avaliados em 100 mil milhões de dólares serão provavelmente exportados.
  • Além disso, a China fez do crescimento da sua indústria de semicondutores uma componente chave da sua agenda Made in China 2025 para alterar esta situação. A China pretende aumentar a sua quota de mercado na electrónica, ao mesmo tempo que faz com que a produção local de chips satisfaça 80% da procura interna dos numerosos smartphones, PCs e outros dispositivos que os seus 1,4 mil milhões de cidadãos utilizam diariamente. Todos esses elementos são esperados para apoiar a expansão do mercado.
  • Além disso, a região conta com diversos players no mercado de semicondutores, como Samsung, Intel e TSMC. Essas empresas reconheceram que, a partir de 2023, a produção de dispositivos lógicos usando as gerações de tecnologia de 3 nm ou 2 nm mudará gradualmente das arquiteturas de transistor FinFET para arquiteturas semelhantes a nanofolhas.
  • Além disso, em abril de 2022, o terceiro maior conglomerado da Coreia do Sul, SK Group, adquirirá a Yes Powertechnix, o único fabricante nacional de semicondutores de potência baseados em um componente de silício e carboneto (SiC), que está emergindo como um componente-chave de veículos elétricos, como parte de um esforço de todo o grupo para fortalecer seus negócios relacionados a baterias. A SK Inc. disse que compraria direitos de gestão e mais 120 bilhões de wons coreanos (US$ 95 milhões) para adquirir 95,8% da Yes Powertechnix. Além disso, a empresa investiu recentemente KRW 26,8 mil milhões para adquirir uma participação de 33,6% na Yes Powertechnix. Esse desenvolvimento poderá alimentar a procura da região.
Mercado de transistores de próxima geração – Taxa de crescimento por região

Visão geral da indústria de transistores de próxima geração

O mercado de transistores de próxima geração é altamente competitivo. A própria indústria de semicondutores está passando por uma fase de especialização. Historicamente, a indústria concentrou-se na produção de chips de computador que pudessem desempenhar diversas funções generalizadas. Esses chips estavam relacionados entre si até certo ponto. Mas hoje, as aplicações dos semicondutores são mais matizadas e diferenciadas, levando à proliferação de players de nicho com conhecimentos especializados em vários setores verticais. Além disso, nesta indústria, muitos intervenientes externalizam as suas funcionalidades, exceto alguns intervenientes importantes como a Intel, que concebem, fabricam e fabricam produtos semicondutores. Isto torna o setor profundamente ligado às cadeias de abastecimento globais e tornou esta indústria altamente competitiva e profundamente colaborativa.

  • Junho de 2022 – GaN Systems, o player multinacional em semicondutores de potência GaN (nitreto de gálio), introduziu um novo transistor no portfólio mais amplo de transistores de potência GaN da indústria. O GS-065-018-2-L expande o portfólio de transistores de alto desempenho e baixo custo da empresa e apresenta menor resistência, maior robustez e desempenho térmico e uma classificação VDS (transitória) de 850V.

Líderes de mercado de transistores de próxima geração

  1. NXP Semiconductors N.V.

  2. Infineon Technologies AG

  3. STMicroelectronics N.V.

  4. Fairchild Semiconductor International, Inc. (ON Semiconductor Corp.)

  5. Texas Instruments Incorporated

*Isenção de responsabilidade: Principais participantes classificados em nenhuma ordem específica

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Notícias do mercado de transistores de próxima geração

  • Setembro de 2022 - A EPC Power Conversion Corporation anunciou o EPC2050, um transistor 350 V GaN com um RDS(on) máximo de 80 mΩ e uma corrente de saída pulsada de 26 A. O EPC2050 mede apenas 1,95 mm x 1,95 mm, tornando as soluções baseadas em EPC2050 dez vezes menor do que soluções que usam dispositivos de silício equivalentes.
  • Julho de 2022 - Magnachip Semiconductor Corporation anunciou que a empresa lançou um novo transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico de 24 V (MOSFET) para baterias de fones de ouvido sem fio. O novo MOSFET de 24 V atende ao objetivo dos projetistas de baterias de prolongar a vida útil da bateria após uma carga rápida, reduzindo a perda de condução. A densidade da célula central deste novo produto foi aumentada em 30% em comparação com a versão anterior, enquanto o design da célula central, terminação e blocos de origem foi aprimorado para reduzir o RDS(on) em 24%.
  • Março de 2022 – A NXP Semiconductors anunciou novos transistores de potência RF GaN para sistemas de antena ativa 32T32R usando sua tecnologia proprietária mais delinquente de nitreto de gálio (GaN). A série exclusiva complementa o portfólio existente de soluções de amplificadores de potência GaN discretos da NXP para rádios 64T64R, protegendo todas as bandas de frequência celular de 2,3 GHz a 4,0 GHz.

Relatório de mercado de transistores de próxima geração – Índice

  1. 1. INTRODUÇÃO

    1. 1.1 Resultados do estudo

      1. 1.2 Suposições do estudo

        1. 1.3 Escopo do estudo

        2. 2. METODOLOGIA DE PESQUISA

          1. 3. SUMÁRIO EXECUTIVO

            1. 4. DINÂMICA DE MERCADO

              1. 4.1 Visão geral do mercado

                1. 4.2 Introdução à dinâmica do mercado

                  1. 4.3 Drivers de mercado

                    1. 4.3.1 Avanços tecnológicos que levam à demanda por densidades crescentes de dispositivos

                      1. 4.3.2 Proliferação de eletrônicos de consumo

                      2. 4.4 Restrições de mercado

                        1. 4.4.1 O custo de manutenção da Lei de Moore está aumentando com baixos retornos

                        2. 4.5 Análise da cadeia de valor da indústria

                          1. 4.6 Atratividade da Indústria – Análise das Cinco Forças de Porter

                            1. 4.6.1 Ameaça de novos participantes

                              1. 4.6.2 Poder de barganha dos compradores

                                1. 4.6.3 Poder de barganha dos fornecedores

                                  1. 4.6.4 Ameaça de produtos substitutos

                                    1. 4.6.5 Intensidade da rivalidade competitiva

                                  2. 5. SEGMENTAÇÃO DE MERCADO

                                    1. 5.1 Por tipo

                                      1. 5.1.1 Transistor de alta mobilidade eletrônica (HEMT)

                                        1. 5.1.2 Transistor de junção bipolar (BJT)

                                          1. 5.1.3 Transistores de efeito de campo (FET)

                                            1. 5.1.4 Transistor Emissor Múltiplo (MET)

                                              1. 5.1.5 Transistor eficaz do campo duplo do semicondutor de óxido metálico da porta

                                              2. 5.2 Por setor de usuário final

                                                1. 5.2.1 Aeroespacial e Defesa

                                                  1. 5.2.2 Industrial

                                                    1. 5.2.3 Telecomunicações

                                                      1. 5.2.4 Eletrônicos de consumo

                                                      2. 5.3 Por geografia

                                                        1. 5.3.1 América do Norte

                                                          1. 5.3.2 Europa

                                                            1. 5.3.3 Ásia-Pacífico

                                                              1. 5.3.4 América latina

                                                                1. 5.3.5 Oriente Médio e África

                                                              2. 6. CENÁRIO COMPETITIVO

                                                                1. 6.1 Perfis de empresa

                                                                  1. 6.1.1 NXP Semiconductors N.V.

                                                                    1. 6.1.2 Infineon Technologies AG

                                                                      1. 6.1.3 STMicroelectronics N.V.

                                                                        1. 6.1.4 Fairchild Semiconductor International, Inc. (ON Semiconductor Corp.)

                                                                          1. 6.1.5 Texas Instruments Incorporated

                                                                            1. 6.1.6 Intel Corporation

                                                                              1. 6.1.7 GLOBALFOUNDRIES Inc.

                                                                                1. 6.1.8 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company

                                                                                  1. 6.1.9 Samsung Electronics Co., Ltd

                                                                                    1. 6.1.10 Microchip Technology Inc.

                                                                                  2. 7. ANÁLISE DE INVESTIMENTO

                                                                                    1. 8. FUTURO DO MERCADO

                                                                                      bookmark Você pode comprar partes deste relatório. Confira os preços para seções específicas
                                                                                      Obtenha o detalhamento de preços agora

                                                                                      Segmentação da indústria Transistores de próxima geração

                                                                                      Um transistor é um dispositivo semicondutor que amplifica ou comuta sinais elétricos e energia. O transistor é um dos blocos básicos da eletrônica moderna. O estudo analisa o mercado de diversos tipos de transistores que estão evoluindo e utilizando materiais emergentes além do silício em seu processo de fabricação.

                                                                                      O mercado de transistores de próxima geração é segmentado por tipo (transistor de alta mobilidade de elétrons (HEMT), transistor de junção bipolar (BJT), transistores de efeito de campo (FET), transistor de emissor múltiplo (MET), transistor eficaz de campo semicondutor de óxido metálico de porta dupla), Indústria de usuário final (aeroespacial e defesa, industrial, telecomunicações, eletrônicos de consumo) e geografia. Os tamanhos e previsões do mercado são fornecidos em termos de valor (milhões de dólares) para todos os segmentos acima. O impacto da Covid-19 no mercado e seus componentes impactados também são abordados no escopo do estudo. Além disso, a perturbação dos fatores que afetam a expansão do mercado foi abordada na pesquisa sobre drivers e restrições.

                                                                                      Por tipo
                                                                                      Transistor de alta mobilidade eletrônica (HEMT)
                                                                                      Transistor de junção bipolar (BJT)
                                                                                      Transistores de efeito de campo (FET)
                                                                                      Transistor Emissor Múltiplo (MET)
                                                                                      Transistor eficaz do campo duplo do semicondutor de óxido metálico da porta
                                                                                      Por setor de usuário final
                                                                                      Aeroespacial e Defesa
                                                                                      Industrial
                                                                                      Telecomunicações
                                                                                      Eletrônicos de consumo
                                                                                      Por geografia
                                                                                      América do Norte
                                                                                      Europa
                                                                                      Ásia-Pacífico
                                                                                      América latina
                                                                                      Oriente Médio e África

                                                                                      Perguntas frequentes sobre pesquisa de mercado de transistores de próxima geração

                                                                                      O mercado de transistores de próxima geração deverá registrar um CAGR de 4% durante o período de previsão (2024-2029)

                                                                                      NXP Semiconductors N.V., Infineon Technologies AG, STMicroelectronics N.V., Fairchild Semiconductor International, Inc. (ON Semiconductor Corp.), Texas Instruments Incorporated são as principais empresas que operam no mercado de transistores de última geração.

                                                                                      Estima-se que a Ásia-Pacífico cresça no maior CAGR durante o período de previsão (2024-2029).

                                                                                      Em 2024, a América do Norte é responsável pela maior participação de mercado no mercado de transistores de última geração.

                                                                                      O relatório abrange o tamanho histórico do mercado de transistores de próxima geração para anos 2019, 2020, 2021, 2022 e 2023. O relatório também prevê o tamanho do mercado de transistores de próxima geração para anos 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 e 2029.

                                                                                      Relatório da indústria de transistores de próxima geração

                                                                                      Estatísticas para a participação de mercado de transistores de próxima geração de 2024, tamanho e taxa de crescimento de receita, criadas por Mordor Intelligence™ Industry Reports. A análise dos transistores de próxima geração inclui uma perspectiva de previsão de mercado para 2029 e uma visão histórica. Obtenha uma amostra desta análise do setor como um download gratuito em PDF do relatório.

                                                                                      close-icon
                                                                                      80% de nossos clientes procuram relatórios feitos sob medida. Como você quer que adaptemos o seu?

                                                                                      Por favor, insira um ID de e-mail válido

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