RF & Micro-ondas Transistor Tamanho do Mercado
| Período de Estudo | 2019 - 2029 |
| Ano Base Para Estimativa | 2023 |
| CAGR | 6.75 % |
| Mercado de Crescimento Mais Rápido | Ásia-Pacífico |
| Maior Mercado | América do Norte |
| Concentração de Mercado | Baixo |
Principais Players
*Isenção de responsabilidade: Principais participantes classificados em nenhuma ordem específica |
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RF & Análise de Mercado Transistor de Potência de Micro-ondas
Espera-se que o mercado Transistores de potência de micro-ondas cresça a um CAGR de 6.75% durante o período de previsão (2022-2027). Transistores de RF são usados em dispositivos como amplificadores estéreo, transmissores de rádio, monitores de televisão e assim por diante para lidar com sinais de radiofrequência (RF) de alta potência. Em aplicações como radar, telecomunicações e tecnologia sem fio, transistores de RF e micro-ondas são usados para amplificar ou comutar sinais eletrônicos e energia. Estes transistores desempenham um papel no bom funcionamento dos dispositivos.
Os principais impulsionadores do mercado global de Transistor de energia RF/micro-ondas para 5G incluem o aumento da demanda, o aumento do investimento em pesquisa e desenvolvimento e a rápida aprovação de novas tecnologias. O transistor de potência de micro-ondas RF amplifica ou comuta sinais de alta potência na indústria aeroespacial e militar. Sistemas de radar, sistemas de comunicação, sistemas de guerra eletrônica e sistemas de orientação de mísseis o empregam como transmissor ou receptor. O transistor de potência de micro-ondas RF aumenta a eficiência enquanto reduz o tamanho e o peso nesses sistemas.
Na comunicação, o Transistor de Potência de Micro-ondas RF é usado para amplificar ou alternar a potência de transmissão de micro-ondas. Ele também pode ser usado para controlar a direção do sinal e como um amplificador ou oscilador. Ele também pode ser usado como um dispositivo de comutação para direcionar sinais entre diferentes áreas de um circuito. O Transistor de Potência de Micro-ondas RF é um componente importante no projeto de sistemas de micro-ondas.
Devido ao recente aumento na velocidade e capacidade de informação, a saída de módulos semicondutores de alta potência usados em comunicação de informação e campos de potência, bem como o número de chips semicondutores montados por unidade de área, estão aumentando, e o superaquecimento emergiu como uma questão importante. A fim de produzir alta condutividade térmica e baixas características de expansão térmica, materiais compósitos metal-diamante estão chamando a atenção.
O Good System conseguiu produzir os melhores atributos de dissipação de calor do mundo, com condutividade térmica de classe 800W/mK e coeficiente de expansão térmica de 8PPM, como material de dissipação de calor para transistores de potência de radiofrequência (RF) para comunicação sem fio 56G e transistores bipolares de porta isolada de alta potência (IGBT) para veículos elétricos.
Além disso, a pandemia de covid-19 impactou significativamente o mercado de transistores de potência. Devido à desaceleração e à falta de disponibilidade de mão de obra em todo o mundo, as instalações de fabricação de semicondutores e eletrônicos foram paralisadas. A COVID-19 resultou em uma queda importante e sustentada na utilização de fábricas, proibições de viagens e fechamentos de locais de produção, resultando em uma desaceleração no crescimento da indústria de transmissão de energia.
RF & Micro-ondas Power Transistor Tendências de Mercado
Setor de comunicação deve impulsionar mercado
Como afirmado pela Ericsson, espera-se que o 5G seja a tecnologia de comunicação móvel mais amplamente implantada na história, cobrindo cerca de 75% da população global até 2027.
O mercado de dispositivos habilitados para 5G deve crescer rapidamente nos próximos anos, devido ao aumento dos requisitos de processamento de dados e ao aumento do consumo. Para acomodar a crescente demanda por dispositivos habilitados para 5G, os fabricantes de semicondutores para smartphones habilitados para 5G experimentarão um aumento da demanda por chips 5G. O aumento dos chips semicondutores ajudará a avançar a indústria de semicondutores, impulsionando a demanda por transistores de potência.
Para a infraestrutura 5G e 6G, o RF GaN-on-Silicon tem um potencial significativo. Os amplificadores de potência de RF de geração inicial foram dominados pela tecnologia de potência de RF incumbente de longo prazo, metal-óxido-semicondutor (LDMOS) (PAs) difundido lateralmente. O GaN pode fornecer características de RF melhoradas e uma potência de saída muito maior para esses PAs de RF do que o LDMOS. Além disso, pode ser feito em wafers de silício ou carboneto de silício (SiC).
Em dezembro de 2021, a Microchip Technology Inc adicionou MMICs adicionais e transistores discretos ao seu portfólio de dispositivos de energia de radiofrequência (RF) de nitreto de gálio (GaN), abrangendo frequências de até 20 giga-hertz (GHz). Os dispositivos combinam alta eficiência de energia adicionada (PAE) e alta linearidade para alcançar novos níveis de desempenho em uma ampla gama de aplicações, incluindo 5G, guerra eletrônica, comunicações por satélite, sistemas de radar comercial e de defesa e equipamentos de teste.
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Ásia-Pacífico deve registrar a taxa de crescimento mais rápida
A Ásia-Pacífico é a área de crescimento mais rápido no mercado global de transistores de energia devido à presença de grandes empresas, como a Toshiba Corporation e a Mitsubishi Electric Corporation. China, Japão, Taiwan e Coreia do Sul estão entre alguns países que dominam a indústria de fabricação de semicondutores, impactando o mercado. A região também tem um mercado significativo para smartphones e tecnologias 5G e um aumento nos gastos com fabricação.
Devido à contínua transferência de vários equipamentos eletrônicos para a China, o consumo de semicondutores no Japão, Coreia do Sul e China está aumentando rapidamente em comparação com outras nações da área. Além disso, a Ásia abriga os cinco principais setores de eletrônicos de consumo do mundo, apresentando enormes perspectivas para a adoção de semicondutores em toda a região no período de previsão.
De acordo com um plano de três anos divulgado em julho de 2021 por dez entidades governamentais, a China planejava ter 560 milhões de clientes móveis 5G até o final de 2023 e uma taxa de penetração de 35% da tecnologia sem fio rápida entre grandes empresas industriais. Ele afirmou que o uso do 5G em vários setores é significativo para impulsionar a transformação digital, em rede e inteligente da economia e da sociedade.
O mercado de semicondutores em Taiwan também está crescendo devido ao apoio do governo. Em abril de 2021, o Fundo Nacional de Desenvolvimento anunciou que, entre 2021 e 2025, as empresas de Taiwan planejaram investimentos de US$ 107 bilhões para o crescimento da indústria de semicondutores. O governo também está ajudando no desenvolvimento de novas tecnologias de semicondutores com apoio financeiro, bem como programas de recrutamento de talentos.
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Visão geral da indústria de transistor de potência de micro-ondas
O mercado Transistores de potência de RF e micro-ondas é um mercado altamente competitivo devido à presença de jogadores significativos, como Onsemi Corporation, Renesas Electronics Corporation, Infineon Technologies AG, Texas Instruments Inc., NXP Semiconductors N.V., STMicroelectronics N.V., Mitsubishi Electric Corporation, Linear Integrated Systems Inc.
Maio de 2022 - A STMicroelectronics e a MACOM Technology Solutions Holdings Inc anunciaram que protótipos de radiofrequência de gálio-nitreto-on-Si (RF GaN-on-Si) foram produzidos com sucesso. ST e MACOM continuarão a colaborar e fortalecer o relacionamento como resultado desta conquista.
Julho de 2021 - A STMicroelectronics expandiu a família STPOWER de transistores de potência RF LDMOS com uma série de produtos adicionais. Três séries de produtos de transistores foram desenvolvidos para amplificadores de potência de RF (PAs) em uma variedade de aplicações industriais e comerciais. Os dispositivos RF LDMOS da empresa combinam um comprimento de canal de condução curto com uma alta tensão de ruptura, oferecendo alta eficiência e baixa resistência térmica enquanto são embalados para suportar alta potência de RF.
RF & Líderes de Mercado de Transistor de Potência de Micro-ondas
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Infineon Technologies AG
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Renesas Electronics Corporation
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NXP Semiconductors N.V
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ST Microelectronics
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Microchip Technology Inc.
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RF & Micro-ondas Transistor Notícias do Mercado
Março de 2022 - A NXP lançou a família de soluções discretas 32T32R, que visa permitir rádios 5G menores e mais leves para facilitar a implantação em locais urbanos e suburbanos. As soluções discretas de potência de RF para sistemas de antenas ativas 32T32R são baseadas na mais recente tecnologia proprietária de nitreto de gálio (GaN) da empresa e complementam o portfólio de produtos de amplificadores de potência GaN. Quando comparadas às soluções 64T64R, as soluções da empresa fornecem o dobro de potência, resultando em uma solução de conexão 5G geral mais leve e menor. Os operadores de rede podem escalar rapidamente em níveis de frequência e potência devido a essa compatibilidade com pinos.
Julho de 2021 - A Integra, uma das principais fornecedoras de soluções inovadoras de RF e Microwave Power, lançou uma tecnologia de 100V RF GaN/SiC com aplicações em radares, aviônicos, guerra eletrônica, sistemas industriais, científicos e médicos. Este dispositivo supera as limitações de desempenho de potência de RF gerando 3,6 quilowatts (kW) de potência de saída em um único transistor de GaN enquanto opera a 100V.
RF & Micro-ondas Power Transistor Relatório de Mercado - Índice
1. INTRODUÇÃO
1.1 Premissas do Estudo e Definições de Mercado
1.2 Escopo do estudo
2. METODOLOGIA DE PESQUISA
3. SUMÁRIO EXECUTIVO
4. INFORMAÇÕES DE MERCADO
4.1 Visão geral do mercado
4.2 Atratividade da Indústria – Análise das Cinco Forças de Porter
4.2.1 Poder de barganha dos compradores/consumidores
4.2.2 Poder de barganha dos fornecedores
4.2.3 Ameaça de novos participantes
4.2.4 Ameaça de produtos substitutos
4.2.5 Intensidade da rivalidade competitiva
4.3 Avaliação do Impacto do COVID -19 no Mercado
5. DINÂMICA DE MERCADO
5.1 Drivers de mercado
5.1.1 Crescentes tecnologias de comunicação avançadas, como 5G
5.1.2 Aumento da demanda por dispositivos conectados
5.2 Restrições de mercado
5.2.1 Limitações nas operações devido a restrições como temperatura, capacidade de bloqueio reverso de frequência, etc.
6. SEGMENTAÇÃO DE MERCADO
6.1 Por tipo
6.1.1 LDMOS
6.1.2 GaN
6.1.3 GaAs
6.1.4 Outros (GaN-on-Si)
6.2 Por aplicativo
6.2.1 Comunicação
6.2.2 Industrial
6.2.3 Aeroespacial e Defesa
6.2.4 Outros (científicos, médicos)
6.3 Geografia
6.3.1 América do Norte
6.3.2 Europa
6.3.3 Ásia-Pacífico
6.3.4 América latina
6.3.5 Médio Oriente e África
7. CENÁRIO COMPETITIVO
7.1 Perfis de empresa
7.1.1 Infineon Technologies AG
7.1.2 Renesas Electronics Corporation
7.1.3 NXP Semiconductors N.V.
7.1.4 Texas Instruments Inc.
7.1.5 STMicroelectronics N.V.
7.1.6 Linear Integrated Systems Inc.
7.1.7 Mitsubishi Electric Corporation
7.1.8 Toshiba Corporation
7.1.9 Onsemi Corporation
7.1.10 Microchip Technology Inc.
8. ANÁLISE DE INVESTIMENTOS
9. TENDÊNCIAS FUTURAS
RF & Segmentação da Indústria de Transistor de Potência de Micro-ondas
O transistor de potência é um componente essencial no setor de comunicação. Ele melhora o desempenho e a usabilidade desses dispositivos, aumentando a eficiência energética, reduzindo o tamanho e o custo do sistema, permitindo designs menores e mais elegantes e adicionando novos recursos, como qualidade de áudio de nível profissional. O mercado é segmentado por Tipo (LDMOS, GaN, GaAs e Outros), Aplicação (Comunicação, Industrial, Aeroespacial e Defesa, e outros) e Geografia.
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RF & Micro-ondas Power Transistor Market Research FAQs
Qual é o tamanho atual do mercado global de Transistores de potência de RF e micro-ondas?
Prevê-se que o mercado global Transistores de potência de micro-ondas registre um CAGR de 6.75% durante o período de previsão (2024-2029)
Quem são os chave global players no mercado Transistores de potência de micro-ondas global?
Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, NXP Semiconductors N.V, ST Microelectronics, Microchip Technology Inc. são as principais empresas que operam no mercado global de transistores de potência de RF e micro-ondas.
Qual é a região que mais cresce no mercado global RF &Micro-ondas Transistores de potência?
Estima-se que a Ásia-Pacífico cresça no CAGR mais alto durante o período de previsão (2024-2029).
Qual região tem a maior participação no mercado global Transistores de potência de RF e micro-ondas?
Em 2024, a América do Norte responde pela maior participação de mercado no mercado global de transistores de potência de RF e micro-ondas.
Em que anos este mercado global Transistores de potência de RF e micro-ondas cobre?
O relatório cobre o tamanho histórico do mercado global de Transistores de potência de micro-ondas por anos 2019, 2020, 2021, 2022 e 2023. O relatório também prevê o tamanho do mercado global de Transistores de potência de RF e micro-ondas para os anos 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 e 2029.
Relatório da indústria global de transistores de potência de micro-ondas
Estatísticas para o 2024 Global RF & Micro-ondas Power Transistores participação de mercado, tamanho e taxa de crescimento da receita, criado pela Mordor Intelligence™ Industry Reports. A análise global de Transistores de potência de RF e micro-ondas inclui uma previsão de mercado, perspectivas para 2029 e visão geral histórica. Obtenha uma amostra desta análise da indústria como um download gratuito do relatório em PDF.
