抵抗膜式RAM 市場規模

抵抗性RAMの市場分析

抵抗変化型RAM市場は予測期間中に29.9%のCAGRを記録すると予想される。不揮発性メモリである抵抗変化型RAMは、スタティックランダムアクセスメモリやダイナミックランダムアクセスメモリに取って代わることで、市場シェアを獲得すると予想される。この置き換えが可能になるのは、抵抗変化型ランダム・アクセス・メモリがもたらす多くの利点のためである。例えば、記憶密度が高く、3Dパッキングが可能で、1つのチップ内でメモリ・ガジェットのレイヤーを調整・整理でき、高速スイッチングで情報を素早く交換でき、スイッチング・サイクルあたりのエネルギー消費量が少なくて済む。ReRAMはまた、携帯電話やMP3プレーヤーなどの家電製品に使用されているフラッシュメモリーに取って代わることができる

• さらに、世界のさまざまな地域でウェアラブル機器やAI対応機器などのセンサー技術の採用が拡大しているため、高速データ転送と高記憶密度に対する需要が高まっており、抵抗ランダムアクセスメモリ市場の成長に大きなチャンスや可能性をもたらしている。
• さらに、さまざまなメモリ企業がReRAM技術に投資している。例えば、昨年4月、不揮発性メモリ技術プロバイダーであるCrossBar Inc.は、リバースエンジニアリングや物理攻撃に対する耐性がシステムの必須要件であるセキュアなストレージや処理に使用するためのReRAM技術の新たな用途を発表した。同社の技術は現在、より高いレベルのコンテンツ・セキュリティーを必要とするメモリー・アプリケーション向けに提供されている。
• 抵抗変化型ランダムアクセスメモリー（ReRAM）は、不揮発性メモリー（NVM）の代替品として、特に性能とエネルギー効率が常に向上しているクラウドやデータセンターで支持を集めている。ReRAM技術は、ビデオストリーミングのようなプレミアムサービスを通じてユーザーから、またモノのインターネット（IoT）を通じてマシンから、データへの需要が高まる中、NANDに比べて20%向上した64pJ/セルのプログラムエネルギーを達成する一方で、フラッシュメモリーよりも低い読み取りレイテンシと高速書き込みバージョンを実証している。さらに、3D縦型ReRAMアレイは、データセンター環境において、標準的なDRAMベースまたはフラッシュベースのSSDを置き換えることができる高性能メモリサブシステムを提供し、より高速なデータ処理、保存、検索を、より低いエネルギー消費で、大幅に小さいフォームファクタで可能にします。
• しかし、抵抗ランダムアクセスメモリのコスト高騰と、さまざまな技術アプリケーションにおける複雑さが、予測期間を通じて市場の成長を妨げる重大な課題となっている。
• さらに、COVID-19の流行は、主にサプライチェーンの混乱に起因して、予想される市場全体の成長を阻害する可能性が高い。しかし、その後の数年間で、新素材の革新と実装が、世界中の多様な垂直分野での抵抗ランダムアクセスメモリの需要を押し上げると予想される。