| 調査期間 | 2019 - 2029 |
| 推定の基準年 | 2023 |
| CAGR | 29.90 % |
| 最も急速に成長している市場 | アジア太平洋地域 |
| 最大市場 | 北米 |
| 市場集中度 | 中くらい |
主要プレーヤー*免責事項:主要選手の並び順不同 |
抵抗性RAMの市場分析
抵抗変化型RAM市場は予測期間中に29.9%のCAGRを記録すると予想される。不揮発性メモリである抵抗変化型RAMは、スタティックランダムアクセスメモリやダイナミックランダムアクセスメモリに取って代わることで、市場シェアを獲得すると予想される。この置き換えが可能になるのは、抵抗変化型ランダム・アクセス・メモリがもたらす多くの利点のためである。例えば、記憶密度が高く、3Dパッキングが可能で、1つのチップ内でメモリ・ガジェットのレイヤーを調整・整理でき、高速スイッチングで情報を素早く交換でき、スイッチング・サイクルあたりのエネルギー消費量が少なくて済む。ReRAMはまた、携帯電話やMP3プレーヤーなどの家電製品に使用されているフラッシュメモリーに取って代わることができる。
- さらに、世界のさまざまな地域でウェアラブル機器やAI対応機器などのセンサー技術の採用が拡大しているため、高速データ転送と高記憶密度に対する需要が高まっており、抵抗ランダムアクセスメモリ市場の成長に大きなチャンスや可能性をもたらしている。
- さらに、さまざまなメモリ企業がReRAM技術に投資している。例えば、昨年4月、不揮発性メモリ技術プロバイダーであるCrossBar Inc.は、リバースエンジニアリングや物理攻撃に対する耐性がシステムの必須要件であるセキュアなストレージや処理に使用するためのReRAM技術の新たな用途を発表した。同社の技術は現在、より高いレベルのコンテンツ・セキュリティーを必要とするメモリー・アプリケーション向けに提供されている。
- 抵抗変化型ランダムアクセスメモリー（ReRAM）は、不揮発性メモリー（NVM）の代替品として、特に性能とエネルギー効率が常に向上しているクラウドやデータセンターで支持を集めている。ReRAM技術は、ビデオストリーミングのようなプレミアムサービスを通じてユーザーから、またモノのインターネット（IoT）を通じてマシンから、データへの需要が高まる中、NANDに比べて20%向上した64pJ/セルのプログラムエネルギーを達成する一方で、フラッシュメモリーよりも低い読み取りレイテンシと高速書き込みバージョンを実証している。さらに、3D縦型ReRAMアレイは、データセンター環境において、標準的なDRAMベースまたはフラッシュベースのSSDを置き換えることができる高性能メモリサブシステムを提供し、より高速なデータ処理、保存、検索を、より低いエネルギー消費で、大幅に小さいフォームファクタで可能にします。
- しかし、抵抗ランダムアクセスメモリのコスト高騰と、さまざまな技術アプリケーションにおける複雑さが、予測期間を通じて市場の成長を妨げる重大な課題となっている。
- さらに、COVID-19の流行は、主にサプライチェーンの混乱に起因して、予想される市場全体の成長を阻害する可能性が高い。しかし、その後の数年間で、新素材の革新と実装が、世界中の多様な垂直分野での抵抗ランダムアクセスメモリの需要を押し上げると予想される。
抵抗性RAMの市場動向
コンシューマー・エレクトロニクス分野におけるコネクテッド・デバイスの需要増加がReRAMの需要を促進
- ReRAMは通常のRAMよりも高速に計算でき、読み取り集中型のアプリケーションに適しており、サーバーのストレージクラスメモリに最適である。さらに、相互接続デバイスに対する家電需要の高まり、ウェアラブルガジェットやAI対応ガジェットを含むセンサー技術の利用の増加、業界各社による開発などが市場成長に寄与すると予想される。
- 例えば、昨年8月、世界的なエネルギー技術事業者であり、マイクロインバーターベースの太陽光発電および蓄電システムの世界最大のメーカーであるEnphase Energy, Inc.は、Home Connectとの新たな協業を開始した。このアクセシブルなデジタルネットワークにより、多くのメーカーの家電製品を1つのアプリで制御できるようになります。
- NANDフラッシュなどの他の不揮発性ストレージ技術に比べ、ReRAMの主な利点はスイッチング速度が速いことです。ReRAMはNANDフラッシュよりもはるかに少ない電力しか消費しません。そのため、産業用、車載用、モノのインターネット（IoT）アプリケーション用のセンサーデバイスのメモリに最適です。ニューロモーフィック・コンピューティングは、ReRAMのもう一つの潜在的アプリケーションである。
- ここ数年、ウェアラブル、IoT、AIベースのシステムなど、コネクテッドデバイスに対する大きな需要が見られます。抵抗変化型RAMは、記憶容量を増やすためにこれらの機器に使用されています。さらに、スマートシティやスマートホームの登場により、接続されるデバイスの数は増加し、メモリ容量の大きいサーバーの需要も増加することが予想されます。
- 新たなIoT要件に対応するため、複数の企業が遠隔操作を接続・拡張するイノベーションを導入し、リアルタイムで安全かつ帯域幅の重いIoTアプリケーションを実現している。例えば、より良いコネクテッド・ワールドのためのセキュアでスマートなワイヤレス・イノベーションのパイオニアであるシリコンラボは、昨年9月、Amazon Sidewalk、Matter、Wi-SUN、Wi-Fi 6など、モノのインターネットを定義するブレークスルーとパターンを推進する新しいソリューションで、相互運用性主導、マルチプロトコル対応、堅牢でセキュアな製品群を大幅に拡大した革新的ソリューションのポートフォリオを発表しました。
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アジア太平洋地域が市場の主要シェアを占める見込み
- アジア太平洋地域は、予測期間中、世界の抵抗ランダムアクセスメモリ市場で強い地位を占めると予想される。中国、韓国、インドは、アジア太平洋地域の市場成長を牽引する主要国の一つである。民生用電子機器と自動車産業が増加していることが、アジア太平洋諸国における抵抗変化型ランダムアクセスメモリの需要を促進している。
- さらに、多くの企業がこの地域にデータセンターを設立しており、これも抵抗変化型RAM市場の需要を拡大している。インド、中国、日本などの発展途上国は、企業サーバー、データセンター、AI、コネクテッドインフラの成長により、この地域の市場成長を牽引する。
- 中国は国内のIC産業を発展させており、より多くのチップを製造する計画である。また、同地域における製造業者の存在感の大きさも、同市場への大きな貢献要因となっている。中国には、世界の半導体セクターで勢力を拡大する複数のグローバルファウンドリーがある。
- ReRAM技術をベースとするメーカーへの投資が増加しており、市場成長率を押し上げている。例えば、ReRAMの新メモリ製品と関連派生製品の研究開発に注力するXinyuan Semiconductorは、中国をリードする新メモリ技術企業に成長した。
- さらに2022年3月、富士通セミコンダクタ・メモリソリューション・リミテッドは、富士通のReRAM製品群の中で最高容量の12MビットReRAM、MB85AS12MTのリリースを明らかにした。この新製品は、約 2mm x 3mm のコンパクトなパッケージサイズで 12Mbit の大容量を実現した不揮発性ストレージである。
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抵抗膜式RAMの業界概要
抵抗変化型RAM市場の競争は激しく、複数の大手企業が参入している。ラムバス社、パナソニック株式会社、アデスト・テクノロジーズ社、富士通株式会社、クロスバー社などが、この市場で事業を展開している大手企業である。これらの大手企業は、市場シェアと収益性を高めるため、生産能力の拡大や戦略的協業イニシアティブの活用に注力している。
2022年11月、Infineon TechnologiesはTSMCの抵抗性RAM（RRAM）不揮発性メモリー（NVM）技術を次世代車載用マイクロコントローラーに搭載した。RRAMは、車載設計に必要な信頼性を備え、28nmプロセス技術以降に拡張可能なマイクロコントローラ向けの新興組み込みフラッシュ技術です。この技術は干渉に対する耐性が高く、消去の必要なくビット単位での書き込みが可能である一方、現在のフラッシュメモリー技術に匹敵する耐久性とデータ保持性能を備えています。
2022年10月、世界の半導体業界向けに次世代メモリー技術を開発するウィービット・ナノ・リミテッドは、研究開発パートナーであるCEA-Letiが主に製造する抵抗ランダムアクセスメモリー（ReRAM）モジュールの完全な技術認定を完了したと発表した。これはWeebit ReRAM技術としては初めての完全な認定であり、各半導体製品について新しいターゲット・プロセスで完了しなければならない重要なステップである。
抵抗性RAM市場のリーダー
-
Panasonic Corporation
-
Adesto Technologies
-
Fujitsu Ltd
-
Crossbar Inc.
-
Rambus Inc.
- *免責事項:主要選手の並び順不同
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抵抗性RAM市場ニュース
- 2022年2月：イントリンシック・セミコンダクター・テクノロジーズは、酸化シリコンベースの抵抗変化型ランダムアクセスメモリ（RRAM）の微細化に成功したと発表した。このデバイスは、電気的性能特性を実証しており、高性能、低コストの組み込み型不揮発性メモリとして、先端プロセス・ノードのロジック・デバイスに使用できる可能性がある。同社のRRAMデバイスは、50nmまで微細化されている。同社によると、このデバイスは、次世代の不揮発性固体メモリとして使用するための鍵となる、優れたスイッチング動作を実証したという。
- 2022年1月：富士通セミコンダクタメモリーソリューションは、富士通のSPI接続FRAM製品ラインアップの中で最高密度となるQuad SPIインターフェイスを搭載した8MビットFRAM MB85RQ8MLXの発売を開始した。
抵抗変化型RAMの産業区分
抵抗ランダム・アクセス・メモリー（ReRAMまたはRRAM）は、誘電体固体材料の抵抗を変化させる原理で動作する不揮発性ランダム・アクセス・コンピューター・メモリーである。抵抗ランダム・アクセス・メモリは、材料の抵抗値を高い状態と低い状態の間で変化させることによってメモリ機能を適用することに基づいている。
抵抗変化型RAM市場は、アプリケーション（組み込み、スタンドアロン）、エンドユーザー（産業/IoT/ウェアラブル/自動車、SSD/データセンター/ワークステーション）、地域（米州、欧州、中国、日本、アジア太平洋（中国と日本を除く））で区分される。市場規模および予測は、上記のすべてのセグメントについて金額（百万米ドル）で提供されています。
| 応用 | 組み込み (アナログ IC、MCU/SoC/ASIC/ASSP、インメモリ コンピューティング) |
| スタンドアロン (高速/信頼性の高いメモリ、コード/データ ストレージ、低遅延ストレージ、永続メモリ) | |
| エンドユーザー | 産業用/IoT/ウェアラブル/自動車 |
| SSD/データセンター/ワークステーション | |
| 地理 | アメリカ大陸 |
| ヨーロッパ | |
| 中国 | |
| 日本 | |
| アジア太平洋 (中国と日本を除く) |
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抵抗性RAM市場に関する調査FAQ
現在の抵抗膜メモリの市場規模はどれくらいですか?
抵抗膜RAM市場は、予測期間（29.90%年から2029年）中に29.90％のCAGRを記録すると予測されています
抵抗膜RAM市場の主要プレーヤーは誰ですか?
Panasonic Corporation、Adesto Technologies、Fujitsu Ltd、Crossbar Inc.、Rambus Inc.は、抵抗性RAM市場で活動している主要企業です。
抵抗膜RAM市場で最も急速に成長している地域はどこですか?
アジア太平洋地域は、予測期間 (2024 ～ 2029 年) にわたって最も高い CAGR で成長すると推定されています。
抵抗膜RAM市場で最大のシェアを誇る地域はどこですか?
2024 年には、北米が抵抗型 RAM 市場で最大の市場シェアを占めます。
この抵抗性 RAM 市場は何年を対象としていますか?
このレポートは、2019年、2020年、2021年、2022年、2023年の抵抗型RAM市場の過去の市場規模をカバーしています。また、レポートは、2024年、2025年、2026年、2027年、2028年、2029年の抵抗型RAM市場規模も予測します。
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Mordor Intelligence™ Industry Reports によって作成された、2024 年の抵抗膜メモリの市場シェア、規模、収益成長率の統計。抵抗膜RAMの分析には、2029年までの市場予測見通しと過去の概要が含まれます。この業界分析のサンプルを無料のレポート PDF ダウンロードとして入手してください。
