パワー半導体 市場規模

パワー半導体市場分析

パワー半導体市場規模は、2023年に418.1億米ドルと推定され、予測期間（2023-2028年）のCAGRは3.66%を記録し、2028年には492.3億米ドルに達すると予測されている

• 自動車の電動化、二酸化炭素排出削減目標、クリーンエネルギー生産がパワー半導体産業の成長を大きく加速させた。需要は今後数年間で急速に増加し、技術革新と生産能力への投資を促進すると予想される。パワー・デバイスは、ディスクリート・デバイス、パワー・モジュール、あるいはIC機能との組み合わせとして、さまざまなアプリケーションで見られる。これには、産業用モーター・ドライブ、風力タービン、太陽光発電（PV）設備、列車、UPS、電気自動車（EV）充電インフラ、家電製品などが含まれる。
• MOSFETやIGBTなどのパワー・トランジスターは、熱の迅速な放散に役立ち、過熱を防ぎ、二酸化炭素の排出と電気料金を最小限に抑えます。このような利点から、MOSFETはさまざまな電子製品に欠かせない部品となっている。世界的な人口の増加と化石燃料の使用量の増加により、電力効率の高い電子機器に対する需要が高まっている。
• さらに、複雑なシステムにおける組込みプロセッサやアプリケーション・プロセッサ、その他のコンポーネントには、複数の電源レールと電源領域が必要です。こうしたシステムの電源管理にディスクリート・デバイスを使用すると、コストが高くつく可能性があります。複数の電圧レギュレータと制御回路を1チップに集積したパワーマネージメント集積回路（PMIC）は、完全な電源ソリューションの実装に非常に適しています。PMICは、部品点数と基板面積を削減すると同時に、システム電力を簡単かつコスト効率よく管理します。
• しかし、SiCデバイスはその駆動要件に課題がある。SiCベースのデバイスの主な目標はIGBTを置き換えることですが、この2つのデバイスの駆動要件は大きく異なります。ほとんどのトランジスタは、対称レール（±5Vなど）を使用する駆動要件を含んでいる。一方、SiCデバイスは、完全にオフであることを保証するために小さな負電圧が必要なため、非対称レール（-1V～-20Vなど）を必要とする。これは、追加のDC-DCドライバや、3つの接続（+、0V、-）を持つ特殊なバッテリーが必要になるため、携帯機器への応用が困難になる可能性がある。こうした要因が市場の成長を制限する可能性がある。
• パンデミックは業界全体のデジタル変革を加速させ、デジタル技術の採用を数年早めた。AIやIoTのような新興技術の採用が増加することで、パワー半導体市場の成長見通しは明るい。パンデミックはIoTの採用も加速させ、市場にプラスの影響を与えた。