次世代トランジスタ市場規模
| 調査期間 | 2019 - 2029 |
| 推定の基準年 | 2023 |
| CAGR | 4.00 % |
| 最も成長が速い市場 | アジア太平洋地域 |
| 最大の市場 | 北米 |
| 市場集中度 | 低い |
主なプレーヤー
*免責事項:主要選手の並び順不同 |
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次世代トランジスタ市場の分析
次世代トランジスタ市場は予測期間中CAGR 4%で成長する見込み。その主な理由は、コンシューマー・エレクトロニクス市場の拡大である。市場に出回っている最新のスマートフォンには10億個のトランジスタが搭載されており、より高速なガジェット操作が保証されている。IBEFによると、インドのスマートフォン市場の売上は最近380億米ドルを超え、前年同期比27％増となった。また、スマートフォンのトップ企業であるXiaomiは、2022年第2四半期に3,950万台のデバイスを出荷した。
- 半導体材料は、エレクトロニクス産業における重要な技術革新のひとつである。これは、その高い電子移動度、広い温度限界、低エネルギー消費に起因している。SEMIによると、相手先商標製品メーカーによる半導体製造装置の世界売上高は、2022年に過去最高の1,175億米ドルに達し、2021年の1,025億米ドルから27%上昇し、2023年には1,208億米ドルの増加が予測されている。
- 消費者向け機器の高度な機能の範囲が広がっていることも、高速でリアルタイムの処理に対するニーズに拍車をかけている。さらに、IoTの出現により、AI、データ分析、リアルタイム・データ転送、処理などの機能は、あらゆる高度な機器にとって基本的な必需品となりつつあり、調査対象市場のベンダーにとって大きなチャンスとなっている。さらに、TSMCは2022年の北米技術シンポジウムで今後の製造プロセス技術を披露したが、その目玉は社内で「N2と呼ばれる次世代2nmノードの詳細だった。同社は2022年末に3nmノードの生産を開始する。
- さらに2022年4月、科学者たちは、エレクトロニクスの電力効率を高めるのに役立つ初の磁気電気トランジスタを開発した。同チームの設計は、それを組み込んだマイクロエレクトロニクスのエネルギー消費を抑制するとともに、特定のデータを保存するために必要なトランジスタの数を75％も削減し、デバイスの小型化につながる可能性がある。また、シャットダウンされたり、突然電源が切れたりした後でも、ユーザーが中断した場所を正確に記憶する「スチール・トラップ・メモリーをマイクロエレクトロニクスに与えることもできる。
- さらに、市場の多くのプレーヤーが、製造工程でナノシートを採用する方向にシフトしている。例えば、台湾のチップメーカーTSMCは2022年6月、ナノシート・トランジスター・アーキテクチャーを採用し、3nm技術を強化した、2025年登場予定の待望の2nm製造プロセス・ノードの詳細を明らかにした。同社によると新世代のシリコン半導体チップは高速化が期待される。プロセス・ノードが縮小し、技術産業がムーアの法則にしがみつこうと戦い続ける中で、よりエネルギー効率が高くなるだろう。
- さらに、ポスト・コビッド19は、半導体やその他の電子部品業界の生産・製造能力に影響を及ぼしている。例えば、中国紙の情報筋によると、2022年6月、深センのオミクロン・ロックアウトにより、世界最大級の電子機器市場である華強北が再び一部閉鎖に追い込まれた。華強北は深セン市福田区に位置し、半導体、携帯電話、その他の電子機器の供給センターである。金融メディア『Cailianshe』によると、深圳市が感染力の強いオミクロン・コビッド19の蔓延を抑えるための対策を強化したため、華強北の一部の業者が一時的に営業を停止したという。これらの業者には華強電子世界の1号店と2号店が含まれる。
次世代トランジスタの市場動向
高電子移動度トランジスタ（HEMT）の採用増加
- 高電子移動度トランジスタは高い利得を生み出すため、増幅器として非常に有用である。高速スイッチングが可能である。また、これらのトランジスタの電流変動は比較的小さいため、ノイズ値は浅い。
- 多くの企業が、従来のトランジスタよりも高い周波数で動作するHEMTデバイスを開発している。例えば、ナノサイエンス・テクノロジーは2022年11月、新しい低RDS（on）650V EモードGaN HEMTデバイスを発表した。標準8x8 DFNパッケージのINN650D080BSパワー・トランジスタのオン抵抗は80m（標準60m）で、トーテムポールLLCアーキテクチャや高速バッテリー充電器などの高電力アプリケーションを可能にする。
- 例えば、アンプレオンは2022年9月、新しいCLL3H0914L-700 GaN-SiC 高電子移動度トランジスタを発表しました。この堅牢なGaNトランジスタは、長パルス幅と高デューティサイクルが要求されるレーダー用に最適化されています。このトランジスタは、70%以上の業界をリードする効率で50Vの電圧で動作しながら、1つのトランジスタから700Wを超えるピーク出力電力を達成するように設計されており、また、パルス幅（～2ミリ秒）や20%のデューティ・サイクルなどの長パルス・アプリケーション向けに熱的に開発されています。
- さらに、民生用電子機器への需要の高まりと高電子移動度トランジスタの適用可能性が、市場成長の原動力となっている。IBEFによると、インドの家電・民生用電子機器産業は最近98億4,000万米ドルに達し、2025年には2倍以上の14億8,000万インドルピー（211億8,000万米ドル）に達すると予想されている。このような家電製品の発展は、研究された市場の成長をさらに促進するだろう。
- さらにSTマイクロエレクトロニクスは最近、STi2GaN（ST Intelligent and Integrated GaN）と名付けたGaN部品の新ファミリーを発表した。この部品は、STのボンド・ワイヤ・フリー・パッケージ技術を使用しており、堅牢性と信頼性を提供します。この新しい製品ファミリは、GaNの高い電力密度と効率を活用して、100Vおよび650Vの高電子移動度トランジスタ（HEMT）デバイスを提供することを目的としています。
この市場を形作る主な傾向を理解する
アジア太平洋地域が大きく成長
- アジア太平洋地域はエレクトロニクスの中心地であり、特にこの地域で消費される電子機器は年間数十億個製造されている。しかし、アジア太平洋地域は、世界中に電子部品を輸出する上で重要な役割を果たしている。この地域における民生用電子機器市場の急速な成長は、世界次世代トランジスタ市場におけるアジア太平洋地域の主要な成長要因である。
- さらに、中国や日本といったこの地域の発展途上国は、大規模な電子機器製造拠点を有しており、トランジスタ市場で重要なプレーヤーとなる可能性を秘めている。さらに、次世代携帯電話は、より優れた仕様で携帯電話の性能を向上させることに全力を注ぐだろう。より多くのトランジスターを集積することで、消費者のニーズに完璧に応える、より高速な処理を備えた小型の携帯電話になると予想される。IBEFによると、2022年第1四半期の「インド製スマートフォンの出荷台数は前年同期比7％増の4,800万台超に達し、インド製スマートフォンの出荷台数は1億9,000万台超となった。
- IBEFによると、「エレクトロニクスに関する国家政策2019は、2025年までに10億台（1,900億米ドル相当）の携帯電話端末の生産を目標としており、そのうち6億台（1,000億米ドル相当）が輸出される見込みである。
- さらに中国は、この状況を変えるため、半導体産業の成長を「メイド・イン・チャイナ2025の主要な構成要素に据えている。中国は、14億人の国民が毎日使う数多くのスマートフォンやPC、その他のデバイスの国内需要の80％をチップの国内生産で賄いながら、エレクトロニクス分野での市場シェアを拡大する意向だ。これらの要素はすべて、市場拡大を支えるものと予想される。
- さらに、この地域にはサムスン、インテル、TSMCといった半導体市場のプレーヤーがいる。これらの企業は、2023年以降、3nmまたは2nm技術世代を使用するロジック・デバイスの生産が、主力であるFinFETトランジスタ・アーキテクチャからナノシートのようなアーキテクチャに徐々に切り替わっていくことを認めている。
- さらに2022年4月には、韓国第3位のコングロマリットであるSKグループが、バッテリー関連事業の強化の一環として、電気自動車の主要部品として台頭しつつあるシリコンとカーバイド（SiC）を成分とするパワー半導体の国内唯一のメーカーであるイエス・パワーテクニクスを買収する。SKは、Yes Powertechnixの95.8％を取得するために、経営権とさらに1200億ウォン（9500万米ドル）を購入すると発表した。さらにSKは最近、268億ウォンを投資してYes Powertechnixの33.6％の株式を取得した。このような開発は、この地域の需要を促進する可能性がある。
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次世代トランジスタ産業の概要
次世代トランジスタ市場は競争が激しい。半導体産業そのものが専門化の局面を迎えている。歴史的に、この業界はいくつかの一般化された機能を実行できるコンピューター・チップの生産に集中してきた。これらのチップはある程度互いに関連していた。しかし今日、半導体の用途はより微妙で差別化されたものとなり、さまざまな業種にわたって専門知識を持つニッチ・プレーヤーが急増するに至っている。さらに、この業界では、半導体製品の設計、製造、製造を行うインテルのような一部の大手プレイヤーを除き、多くのプレイヤーがその機能をアウトソーシングしている。このため、この業界はグローバル・サプライ・チェーンと深く結びついており、この業界は激しい競争と深い協力関係にある。
- 2022年6月 - GaN（窒化ガリウム）パワー半導体の多国籍企業であるGaN Systemsは、業界で最も幅広いGaNパワートランジスタのポートフォリオに新しいトランジスタを発表した。GS-065-018-2-Lは、GaN Systemsの高性能、低コスト・トランジスタ・ポートフォリオを拡大し、オン抵抗の低減、堅牢性と熱性能の向上、850VのVDS（過渡）定格を特徴としています。
次世代トランジスタ市場のリーダー
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NXP Semiconductors N.V.
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Infineon Technologies AG
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STMicroelectronics N.V.
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Fairchild Semiconductor International, Inc. (ON Semiconductor Corp.)
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Texas Instruments Incorporated
*免責事項:主要選手の並び順不同
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次世代トランジスタ市場ニュース
- 2022年9月 - EPC Power Conversion Corporationは、最大RDS(on)が80 mΩ、パルス出力電流が26 Aの350 V GaNトランジスタ、EPC2050を発表しました。EPC2050のサイズはわずか1.95mm x 1.95mmで、EPC2050ベースのソリューションは、同等のシリコンデバイスを使用したソリューションに比べて10分の1の小型化を実現しています。
- 2022年7月-マグナチップ・セミコンダクター・コーポレーションは、ワイヤレスイヤホン・バッテリー用の新しい24V金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）を発表した。新しい24V MOSFETは、導通損失を低減することで、急速充電後の電池寿命延長という電池設計者の目標に対応します。この新製品は、コアセル密度を従来品より30%向上させるとともに、コアセル、終端、ソースパッドの設計を強化し、RDS(on)を24%低減しました。
- 2022年3月 - NXPセミコンダクターズは、最も遅れている独自の窒化ガリウム（GaN）技術を使用した32T32Rアクティブアンテナシステム用の新しいRF GaNパワートランジスタを発表しました。このユニークなシリーズは、NXPの64T64R無線機向けディスクリートGaNパワーアンプソリューションの既存ポートフォリオを補完するもので、2.3GHzから4.0GHzまでのすべてのセルラー周波数帯域を保護します。
次世代トランジスタ市場レポート - 目次
1. 導入
1.1 研究成果物
1.2 研究の前提条件
1.3 研究の範囲
2. 研究方法
3. エグゼクティブサマリー
4. 市場ダイナミクス
4.1 市場概況
4.2 市場動向の紹介
4.3 市場の推進力
4.3.1 デバイス密度の増加の需要につながる技術の進歩
4.3.2 家庭用電化製品の普及
4.4 市場の制約
4.4.1 ムーアの法則を維持するコストは増大し、収益は低い
4.5 業界のバリューチェーン分析
4.6 業界の魅力 - ポーターのファイブフォース分析
4.6.1 新規参入の脅威
4.6.2 買い手の交渉力
4.6.3 サプライヤーの交渉力
4.6.4 代替品の脅威
4.6.5 競争の激しさ
5. 市場セグメンテーション
5.1 タイプ別
5.1.1 高電子移動度トランジスタ (HEMT)
5.1.2 バイポーラ接合トランジスタ (BJT)
5.1.3 電界効果トランジスタ (FET)
5.1.4 マルチエミッタトランジスタ (MET)
5.1.5 デュアルゲート金属酸化物半導体電界効果トランジスタ
5.2 エンドユーザー業界別
5.2.1 航空宇宙と防衛
5.2.2 産業用
5.2.3 電気通信
5.2.4 家電
5.3 地理別
5.3.1 北米
5.3.2 ヨーロッパ
5.3.3 アジア太平洋地域
5.3.4 ラテンアメリカ
5.3.5 中東とアフリカ
6. 競争環境
6.1 会社概要
6.1.1 NXP Semiconductors N.V.
6.1.2 Infineon Technologies AG
6.1.3 STMicroelectronics N.V.
6.1.4 Fairchild Semiconductor International, Inc. (ON Semiconductor Corp.)
6.1.5 Texas Instruments Incorporated
6.1.6 Intel Corporation
6.1.7 GLOBALFOUNDRIES Inc.
6.1.8 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company
6.1.9 Samsung Electronics Co., Ltd
6.1.10 Microchip Technology Inc.
7. 投資分析
8. 市場の未来
次世代トランジスタ産業のセグメント化
トランジスタは、電気信号と電力を増幅またはスイッチングする半導体デバイスである。トランジスタは、現代のエレクトロニクスの基本的な構成要素のひとつである。本調査では、進化を遂げ、シリコン以外の新素材を製造プロセスに使用する様々なタイプのトランジスタ市場を分析する。
次世代トランジスター市場は、タイプ別（高電子移動度トランジスター（HEMT）、バイポーラ接合トランジスター（BJT）、電界効果トランジスター（FET）、マルチエミッタトランジスター（MET）、デュアルゲート金属酸化膜半導体電界効果トランジスター）、エンドユーザー産業別（航空宇宙・防衛、産業、通信、コンシューマーエレクトロニクス）、地域別に区分されている。市場規模および予測は、上記のすべてのセグメントについて金額（百万米ドル）で提供されています。また、Covid-19が市場に与える影響とその影響を受ける構成要素についても調査対象としています。さらに、市場の拡大に影響を与える要因の混乱は、促進要因と抑制要因に関する調査でカバーされています。
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次世代トランジスタ市場に関する調査FAQ
現在の次世代トランジスタの市場規模はどれくらいですか？
次世代トランジスタ市場は、予測期間（2024年から2029年）中に4％のCAGRを記録すると予測されています
次世代トランジスタ市場の主要プレーヤーは誰ですか?
NXP Semiconductors N.V.、Infineon Technologies AG、STMicroelectronics N.V.、Fairchild Semiconductor International, Inc. (ON Semiconductor Corp.)、Texas Instruments Incorporatedは、次世代トランジスタ市場で活動している主要企業です。
次世代トランジスタ市場で最も急速に成長している地域はどこですか?
アジア太平洋地域は、予測期間 (2024 ～ 2029 年) にわたって最も高い CAGR で成長すると推定されています。
次世代トランジスタ市場で最大のシェアを誇る地域はどこですか?
2024 年には、北米が次世代トランジスタ市場で最大の市場シェアを占めます。
この次世代トランジスタ市場は何年までカバーされますか?
このレポートは、次世代トランジスタ市場の過去の市場規模を2019年、2020年、2021年、2022年、2023年までカバーしています。レポートはまた、次世代トランジスタ市場規模を2024年、2025年、2026年、2027年、2028年、2029年まで予測しています。。
次世代トランジスタ産業レポート
Mordor Intelligence™ Industry Reports が作成した、2024 年の次世代トランジスタ市場シェア、規模、収益成長率の統計。次世代トランジスタの分析には、2029 年までの市場予測見通しと過去の概要が含まれます。この業界分析のサンプルを無料のレポート PDF ダウンロードとして入手してください。
次世代トランジスタ レポートスナップショット
