マーケットシェア の 次世代メモリ 産業
次世代メモリー市場は競争が激しく、複数の主要プレーヤーで構成されているため、非常に断片化されている。この業界の競争は、主に技術革新による持続可能な競争優位性、市場への浸透度、競争戦略の力によって左右される。同市場は資本集約的であるため、撤退障壁も高い。 同市場の主要プレーヤーには、インテル・コーポレーション、東芝、富士通などがある。同市場における最近の主な動きは以下の通りである
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2019年8月 - サムスンは新しい回路設計技術を用いた100層の活性層を持つ第6世代V-NANDメモリーを発表した。サムスンの前世代V-NAND製品と比較すると、レイテンシが10%低く、消費電力が15%低いのが特徴である。このV-NANDはまた、従来の製品よりも消費電力が低いことも特徴である
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2019年7月 - 富士通セミコンダクターは、量産品として世界最大密度とされる8Mbit ReRAM MB85AS8MTのリリースを発表した。ウェアラブル機器に適したこのReRAM製品は、パナソニックセミコンダクターソリューションズ株式会社と共同開発された。MB85AS8MTは、1.6V～3.6Vの幅広い電源電圧で動作するSPIインターフェイス搭載のEEPROM互換不揮発性メモリです。このメモリの大きな特長は、動作周波数5MHzで読み出し時の平均電流が0.15mAと極めて小さいことです。このため、データ読み出し動作が頻繁に発生するバッテリー駆動のアプリケーションに搭載した場合、バッテリー消費を最小限に抑えることができる
次世代メモリ市場のリーダー
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Intel Corporation
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Toshiba Corporation
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Fujitsu Ltd
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Honeywell International Inc.
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Micron Technology Inc.
*免責事項:主要選手の並び順不同
