MRAM市場規模・シェア分析-成長動向と予測(2024年〜2029年)

磁気抵抗RAM(MRAM)市場は、タイプ(トグルMRAM、スピン転移トルクMRAM)、用途(家電、ロボット、自動車、エンタープライズ・ストレージ、航空宇宙・防衛)、地域によって区分される。

磁気抵抗RAM (MRAM) 市場規模

磁気抵抗RAM (MRAM) 市場分析

MRAM市場規模は2024年にUSD 2.01 billionと推定され、2029年にはUSD 22.58 billionに達し、予測期間中(2024-2029)に62.12%のCAGRで成長すると予測されている。

業界全体でのデジタル化の採用の増加、コンピューティング技術の技術進歩、モノのインターネット(IoT)、世界中でのスマートロボットの急速な開発、スマートフォン、テレビ、スマートウェアラブル、コンピューター、ドローンなどの電子デバイスへの投資の増加。将来的に市場の需要が高まる可能性があります。

  • コンピュータの急速な導入により、低コスト、小型、電力効率の高いランダム アクセス メモリ テクノロジの必要性が、産業、商業、自動車、防衛システムにおいて過去 10 年間に増加しました。 MRAM は高放射線に耐え、極端な温度条件でも動作し、改ざん耐性があるため、軍事および産業用途に適しています。
  • 次世代リードアクセスメモリの研究開発への投資の拡大により、新製品アプリケーションの機会が生まれ、市場の成長を促進する可能性があります。
  • スマートフォンの世界的な普及により、メーカーは起動時間を短縮し、メモリ領域を拡張して高性能を提供できる高度な RAM の開発を奨励しています。市場の主要企業の数は増加しており、将来的に市場で主導的な地位を獲得するために、スタンドアロン設計または組み込み設計での MRAM の開発と量産に注力しています。
  • 新型コロナウイルス感染症(COVID-19)の流行はスマートフォン業界にマイナスの影響を与えたものの、在宅活動のためのサーバーやPCメモリの需要を刺激したにもかかわらず、2020年から2021年には回復すると予想されていた。クラウド コンピューティング、AI、IoT などの重要なメガトレンドによって、メモリ市場は過去 10 年間に驚異的な成長を遂げました。
  • Intel によると、仮想化デスクトップ インフラストラクチャと仮想化ストレージ ソリューションに対するニーズの高まりにより、データセンターにおける同社のストレージおよびメモリ製品の需要が高まっています。在宅勤務の増加傾向と、新型コロナウイルス感染症のパンデミック中のデジタル リソースの使用量の増加により、2 つのアプリケーション タイプのストレージとメモリの機能を強化および高速化する必要性が高まりました。

磁気抵抗RAM(MRAM)産業概要

磁気抵抗RAM(MRAM)市場は競争が激しい。圧倒的な市場シェアを持つ大手企業は、海外における顧客基盤の拡大に注力している。これらの企業は、市場シェアと収益性を高めるため、戦略的な共同イニシアティブを活用している。しかし、技術の進歩や製品の革新に伴い、中堅・中小企業は新規契約の獲得や新市場の開拓によって市場での存在感を高めている。

  • 2022年1月 - 先端半導体技術の世界的リーダーであるサムスン電子は、MRAM(磁気抵抗ランダムアクセスメモリー)に基づく世界初のインメモリーコンピューティングを実証した。この研究は、サムスン電子ファウンドリ事業および半導体RDセンターと共同でサムスン先端技術研究所(SAIT)が実施した。この技術開発に伴い、サムスンは市場での地位強化とともに、次世代の人工知能(AI)チップに向けたメモリとシステム半導体の融合を目指す。
  • 2022年5月 - Everspinは、産業用IoTおよび組み込みシステム向けの新製品、不揮発性メモリソリューションであるEMxxLX xSPI MRAMを発売した。EMxxLX xSPI MRAMは、SPI NOR/NANDフラッシュに代わる製品として、8MB~64MBの集積度と最大400MB/秒の高速R/Wデータ転送速度を顧客に提供する。

磁気抵抗RAM(MRAM)市場のリーダーたち

  1. Honeywell International Inc.

  2. Infineon Technologies AG

  3. Intel Corporation

  4. Avalanche Technology Inc.

  5. Samsung Electronics Co. Ltd

  6. *免責事項:主要選手の並び順不同
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磁気抵抗RAM(MRAM)市場ニュース

  • 2022 年 9 月 - 次世代 MRAM 技術を提供するアバランシェ・テクノロジーと半導体ファウンドリ のユナイテッド・マイクロエレクトロニクス・コーポレーション(UMC)は、UMC の 22nm プロセス技術による新しい高信頼性パーシステント SRAM(P-SRAM)メモリ・デバイスを発表した。このメモリ・デバイスは、アバランシェ・テクノロジー社の最新世代のスピン・トランスファー・トルク磁気抵抗RAM(STT-MRAM)技術をベースにしており、既存の不揮発性ソリューションと比較して、高密度、高信頼性、高耐久性、高電力という大きなメリットを顧客に提供する。
  • 2021年7月-IITデリー(Centre for Applied Research in Electronics (CARE))の研究者は、シンガポール国立大学(NUS)と共同で、SOT-MRAM(スピン軌道トルク磁気抵抗RAM)の集積密度を高めた。研究者らによると、SOT-MRAMはSTT-MRAMよりも信頼性と書き込み速度の点で優れているが、高集積密度では劣っている。

磁気抵抗RAM(MRAM)市場レポート-目次

1. 導入

  • 1.1 研究の前提条件と市場定義
  • 1.2 研究の範囲

2. 研究方法

3. エグゼクティブサマリー

4. 市場洞察

  • 4.1 市場概況
  • 4.2 業界の魅力 - ポーターのファイブフォース分析
    • 4.2.1 新規参入の脅威
    • 4.2.2 消費者の交渉力
    • 4.2.3 サプライヤーの交渉力
    • 4.2.4 代替品の脅威
    • 4.2.5 競争の激しさ
  • 4.3 バリューチェーン分析
  • 4.4 新型コロナウイルス感染症による業界への影響の評価

5. 市場ダイナミクス

  • 5.1 市場の推進力
    • 5.1.1 電子機器の小型化要求の高まり
    • 5.1.2 RFIDタグにおけるMRAMの使用量の増加
  • 5.2 市場の課題
    • 5.2.1 電磁界面の問題による高い設計コスト

6. 市場セグメンテーション

  • 6.1 タイプ
    • 6.1.1 MRAMの切り替え
    • 6.1.2 スピントランスファートルクMRAM
  • 6.2 募集
    • 6.2.1 スタンドアロン
    • 6.2.2 埋め込み
  • 6.3 応用
    • 6.3.1 家電
    • 6.3.2 ロボット工学
    • 6.3.3 エンタープライズストレージ
    • 6.3.4 自動車
    • 6.3.5 航空宇宙と防衛
    • 6.3.6 その他の用途
  • 6.4 地理
    • 6.4.1 北米
    • 6.4.2 ヨーロッパ
    • 6.4.3 アジア太平洋地域
    • 6.4.4 ラテンアメリカ
    • 6.4.5 中東とアフリカ

7. 競争環境

  • 7.1 会社概要
    • 7.1.1 Avalanche Technology Inc.
    • 7.1.2 NVE Corporation
    • 7.1.3 Qualcomm Incorporated
    • 7.1.4 Crocus Nano Electronics LLC
    • 7.1.5 Everspin Technologies Inc.
    • 7.1.6 HFC Semiconductor Corporation
    • 7.1.7 Tower Semiconductor
    • 7.1.8 Honeywell International Inc.
    • 7.1.9 Infineon Technologies AG
    • 7.1.10 Intel Corporation
    • 7.1.11 Samsung Electronics Co. Ltd
    • 7.1.12 Spin Transfer Technologies
    • 7.1.13 Numem

8. 投資分析

9. 市場の未来

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磁気抵抗効果RAM(MRAM)産業区分

磁気抵抗RAM(MRAM)は、電荷の代わりに磁気状態を利用してランダムアクセスメモリにデータビットを格納する不揮発性方式であり、電源が投入されるまでデータを保持するため、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)やスタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)とは異なる。

磁気抵抗RAM(MRAM)市場は、タイプ(トグルMRAMとスピン転移トルクMRAM)、アプリケーション(家電、ロボット、自動車、エンタープライズ・ストレージ、航空宇宙・防衛)、地域によって区分される。

タイプ MRAMの切り替え
スピントランスファートルクMRAM
募集 スタンドアロン
埋め込み
応用 家電
ロボット工学
エンタープライズストレージ
自動車
航空宇宙と防衛
その他の用途
地理 北米
ヨーロッパ
アジア太平洋地域
ラテンアメリカ
中東とアフリカ
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磁気抵抗RAM(MRAM)市場調査FAQ

MRAM市場の規模はどれくらいですか?

MRAM市場規模は2024年に20億1,000万米ドルに達し、62.12%のCAGRで成長し、2029年までに225億8,000万米ドルに達すると予想されています。

現在のMRAM市場規模はどれくらいですか?

2024 年の MRAM 市場規模は 20 億 1,000 万ドルに達すると予想されています。

MRAM市場の主要プレーヤーは誰ですか?

Honeywell International Inc.、Infineon Technologies AG、Intel Corporation、Avalanche Technology Inc.、Samsung Electronics Co. Ltdは、MRAM市場で活動している主要企業です。

MRAM市場で最も急速に成長している地域はどこですか?

アジア太平洋地域は、予測期間 (2024 ~ 2029 年) にわたって最も高い CAGR で成長すると推定されています。

MRAM市場で最大のシェアを誇るのはどの地域ですか?

2024 年には、北米が MRAM 市場で最大の市場シェアを占めます。

この MRAM 市場は何年を対象にしており、2023 年の市場規模はどれくらいでしょうか?

2023 年の MRAM 市場規模は 12 億 4,000 万米ドルと推定されています。このレポートは、2019年、2020年、2021年、2022年、2023年のMRAM市場の過去の市場規模をカバーしています。また、レポートは、2024年、2025年、2026年、2027年、2028年、2029年のMRAM市場規模も予測します。

MRAM産業レポート

Mordor Intelligence™ Industry Reports が作成した 2024 年の MRAM 市場シェア、規模、収益成長率の統計。 MRAM 分析には、2029 年までの市場予測見通しと過去の概要が含まれます。この業界分析のサンプルを無料のレポート PDF ダウンロードとして入手してください。

MRAM レポートスナップショット

MRAM市場規模・シェア分析-成長動向と予測(2024年〜2029年)