日本パワートランジスタ市場規模・シェア分析-成長動向と予測（2024年～2029年）

日本のパワートランジスタ市場は、製品別（低電圧FET、IGBTモジュール、RFおよびマイクロ波トランジスタ、高電圧FET、IGBTトランジスタ）、タイプ別（バイポーラ接合トランジスタ、電界効果トランジスタ、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、その他のタイプ）、エンドユーザー産業別（コンシューマーエレクトロニクス、通信・技術、自動車、製造、エネルギー・電力、その他のエンドユーザー産業）に分類されています。市場規模および予測は、上記のすべてのセグメントについて金額（米ドル）で提供されます。

日本パワートランジスタ市場規模・シェア分析-成長動向と予測（2024年～2029年）

日本のパワートランジスタ市場規模

日本パワートランジスタ市場概要
調査期間 2019 - 2029
推定の基準年 2023
市場規模 (2024) USD 3.19 Billion
市場規模 (2029) USD 3.79 Billion
CAGR (2024 - 2029) 3.50 %
市場集中度 低い

主要プレーヤー

日本パワートランジスタ市場

*免責事項:主要選手の並び順不同

日本パワートランジスタ市場分析

日本のパワートランジスタ市場規模はUSD 3.08 billion（2024）と推定され、2029までにはUSD 3.66 billionに達し、予測期間中（2024-2029）に3.5%のCAGRで成長すると予測される。

日本では、自動車産業が半導体の総需要の中で大きなシェアを占めており、ドイツ自動車工業会（VDA）によると、2022年には第5位の自動車市場に浮上した。自動車産業は化石燃料車からハイブリッド車や電気自動車への移行を進めており、パワーデバイスの需要を牽引している。

  • この提携により、IGBTラインがUSJCのウェハ工場に設置され、日本で初めて300mmウェハでIGBTを生産することになる。デンソーは、システム指向のIGBTデバイスとプロセス技術を提供する。
  • 同時に、USJCは300mmウェハ製造能力を提供し、2023年前半に予定されている300mm IGBTプロセスの量産を開始する。IGBTは、電気自動車のモーターを駆動・制御するために直流電流と交流電流を変換するインバーターの効率的なパワースイッチとして機能し、パワーカードのコアデバイスとして認識されている。
  • さらに2022年2月、東芝電子デバイス＆ストレージ株式会社は、ディスクリート半導体の主要生産拠点である石川県の加賀東芝エレクトロニクス株式会社に、トランジスタを含むパワー半導体用の300ミリウエハー工場を新設すると発表した。建設は2期に分けて行われ、第1期の生産開始は2024年を予定している。フェーズ1が全生産能力に達すると、東芝のパワー半導体の生産能力は2021年度の2.5倍となる。
  • また、東芝電子デバイス＆ストレージは2022年1月、2種類の炭化ケイ素（SiC）MOSFETデュアルモジュールを発売した：定格電圧1200V、定格ドレイン電流600Aの「MG600Q2YMS3と、定格電圧1700V、定格ドレイン電流400Aの「MG400V2YMS3である。これらの定格電圧の製品は、先に発売された「MG800FXF2YMS3に加え、1200V、1700V、3300Vのデバイスをラインナップした。

日本パワートランジスタ産業概要

日本のパワートランジスタ市場は断片化されており、複数の多国籍企業の参入により、予測期間中に競争が激化すると予想される。ベンダーは、地域の要件を満たすためにカスタマイズされたソリューション・ポートフォリオの開発に注力している。同市場に参入している主要企業には、Champion Microelectronics Corporation、Fairchild Semiconductor International Inc.、Infineon Technologies AG、Renesas Electronics Corporation、NXP Semiconductors N.V.、Texas Instruments Inc.、STMicroelectronics N.V.、Linear Integrated Systems Inc.、三菱電機などがある。

2023年1月には、東芝電子デバイス＆ストレージが、新パッケージL-TOGL（大型トランジスタ外形ガルウィングリード）を採用し、低オン抵抗で高定格ドレイン電流を実現した車載用40V NチャネルパワーMOSFET「XPQR3004PBと「XPQ1R004PBを発売した。

三菱電機は2022年6月、大規模太陽光発電設備向けの新しいIGBTモジュールを発表した。このデバイスは、高電圧動作と低電力損失を同時に実現しながら、系統連系太陽光発電設備に必要なインバータの数を減らすのに役立つとしている。

日本パワートランジスタ市場リーダー

  1. Champion Microelectronics Corporation

  2. Fairchild Semiconductor International Inc.

  3. Infineon Technologies AG

  4. Renesas Electronics Corporation

  5. NXP Semiconductors N.V.

  6. *免責事項:主要選手の並び順不同
日本パワートランジスタ市場集中度
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日本パワートランジスタ市場ニュース

  • 2024年4月日本の富士電機は、フリーホイーリングダイオード（FWD）機能を備えたダイオードを搭載した最新の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）プラットフォームをベースとするネクストコアシリーズの新しいハイパワーモジュールを発表した。6月に発売される新しいHPnC Xシリーズ1700V、3300Vクラスモジュールは、DC1700V～3.3kVの大型電力変換器用に設計されている。
  • 2024年2月三菱電機株式会社は、最新製品である6.5Wシリコン高周波（RF）ハイパワー金属-酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）を発表した。この部品は、業務用携帯型双方向無線機（トランシーバー）のRFハイパワーアンプ用に設計されており、2月28日よりサンプル出荷を開始する予定です。このMOSFETは、1セルのリチウムイオン電池の3.6Vで動作しながら、6.5Wの出力電力を実現する。この開発により、業務用無線機の通信距離の延長と消費電力の低減を目指す。

日本パワートランジスタ市場レポート-目次

1. 導入

  • 1.1 研究の前提条件と市場定義
  • 1.2 研究の範囲

2. 研究方法

3. エグゼクティブサマリー

4. 市場洞察

  • 4.1 市場概況
  • 4.2 業界の魅力 - ポーターのファイブフォース分析
    • 4.2.1 新規参入の脅威
    • 4.2.2 買い手の交渉力
    • 4.2.3 サプライヤーの交渉力
    • 4.2.4 代替品の脅威
    • 4.2.5 競争の激しさ
  • 4.3 新型コロナウイルス感染症が市場に与える影響の評価

5. 市場力学

  • 5.1 市場の推進力
    • 5.1.1 コネクテッドデバイスの需要の高まり
    • 5.1.2 化石燃料の使用量の急増により、電力効率の高い電子デバイスの需要が増加
  • 5.2 市場の制約
    • 5.2.1 温度、周波数、逆阻止能力などの制約による動作の制限

6. 市場セグメンテーション

  • 6.1 製品別
    • 6.1.1 低電圧FET
    • 6.1.2 IGBTモジュール
    • 6.1.3 RF およびマイクロ波トランジスタ
    • 6.1.4 高電圧FET
    • 6.1.5 IGBTトランジスタ
  • 6.2 タイプ別
    • 6.2.1 バイポーラ接合トランジスタ
    • 6.2.2 電界効果トランジスタ
    • 6.2.3 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
    • 6.2.4 その他（MOSFET、JFET、NPNトランジスタ、PNPトランジスタ、GaNトランジスタ）
  • 6.3 エンドユーザー業界別
    • 6.3.1 家電
    • 6.3.2 コミュニケーションとテクノロジー
    • 6.3.3 自動車
    • 6.3.4 製造業
    • 6.3.5 エネルギーと電力
    • 6.3.6 その他のエンドユーザー産業

7. 競争環境

  • 7.1 会社概要
    • 7.1.1 Champion Microelectronics Corporation
    • 7.1.2 Fairchild Semiconductor International Inc.
    • 7.1.3 Infineon Technologies AG
    • 7.1.4 Renesas Electronics Corporation
    • 7.1.5 NXP Semiconductors N.V.
    • 7.1.6 Texas Instruments Inc.
    • 7.1.7 STMicroelectronics N.V.
    • 7.1.8 Linear Integrated Systems Inc.
    • 7.1.9 Mitsubishi Electric Corporation
    • 7.1.10 Toshiba Corporation
    • 7.1.11 Vishay Intertechnology Inc.
    • 7.1.12 Analog Devices Inc.
    • 7.1.13 Broadcom Inc.

8. 投資分析

9. 市場の未来

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日本のパワートランジスタ産業セグメント

パワー・トランジスタは、信号の増幅と調整に使用される。ゲルマニウムやシリコンなどの高性能半導体材料から作られています。これらのトランジスタは、特定の電圧レベルを増幅および制御し、特定の範囲の高レベルおよび低レベルの定格電圧を扱うことができます。

この調査には、低電圧FET、IGBTモジュール、RFおよびマイクロ波トランジスタ、高電圧FET、IGBTトランジスタ、バイポーラ接合トランジスタ、電界効果トランジスタ、ヘテロ接合バイポーラトランジスタなど、家電、通信、テクノロジー、自動車、製造、エネルギー・電力などさまざまなエンドユーザー産業向けのさまざまな製品が含まれる。競争環境は、複数企業の市場浸透度、有機的・無機的成長戦略を考慮に入れている。

上記のすべてのセグメントについて、市場規模および予測を金額（米ドル）で掲載しています。

製品別 低電圧FET
IGBTモジュール
RF およびマイクロ波トランジスタ
高電圧FET
IGBTトランジスタ
タイプ別 バイポーラ接合トランジスタ
電界効果トランジスタ
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
その他（MOSFET、JFET、NPNトランジスタ、PNPトランジスタ、GaNトランジスタ）
エンドユーザー業界別 家電
コミュニケーションとテクノロジー
自動車
製造業
エネルギーと電力
その他のエンドユーザー産業
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日本パワートランジスタ市場調査 よくある質問

日本のパワートランジスタ市場の規模は？

日本のパワートランジスタ市場規模は2024年に30.8億ドルに達し、年平均成長率3.5%で2029年には36.6億ドルに達すると予測される。

現在の日本のパワートランジスタ市場規模は？

2024年、日本のパワートランジスタ市場規模は30.8億ドルに達すると予想される。

日本のパワートランジスタ市場の主要プレーヤーは？

Champion Microelectronics Corporation、Fairchild Semiconductor International Inc.、Infineon Technologies AG、Renesas Electronics Corporation、NXP Semiconductors N.V.が日本のパワートランジスタ市場で事業を展開している主要企業である。

日本のパワートランジスタ市場は何年をカバーし、2023年の市場規模は？

2023年の日本パワートランジスタ市場規模は29.7億米ドルと推定される。本レポートでは、2019年、2020年、2021年、2022年、2023年の日本パワートランジスタ市場の過去市場規模をカバーしています。また、2024年、2025年、2026年、2027年、2028年、2029年の日本パワートランジスタ市場規模を予測しています。

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Mordor Intelligence™ Industry Reportsが作成した2024年の日本のパワートランジスタ市場のシェア、規模、収益成長率の統計。日本のパワートランジスタの分析には、2024年から2029年までの市場予測展望と過去の概要が含まれます。この産業分析のサンプルを無料レポートPDFダウンロードで入手できます。

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