マーケットシェア の グローバル RF およびマイクロ波パワー トランジスタ 産業
RFおよびマイクロ波パワートランジスタ市場は、Onsemi Corporation、Renesas Electronics Corporation、Infineon Technologies AG、Texas Instruments Inc.、NXP Semiconductors N.V.、STMicroelectronics N.V.、三菱電機株式会社、Linear Integrated Systems Inc.、株式会社東芝などの主要プレイヤーの存在により、競争の激しい市場となっている
- 2022年5月 - STマイクロエレクトロニクスとMACOM Technology Solutions Holdings Inc.は、高周波GaN-on-Si（RF GaN-on-Si）プロトタイプの製造に成功したと発表しました。STとMACOMは、今回の成果を受けて、今後も協力関係を継続し、関係を強化していきます
- 2021年7月 - STマイクロエレクトロニクスは、RF LDMOSパワー・トランジスタのSTPOWERファミリを拡張し、多数の製品を追加しました。3つの製品シリーズのトランジスタは、さまざまな産業用および商業用アプリケーションのRFパワー・アンプ（PA）向けに開発されました。同社のRF LDMOSデバイスは、短い伝導チャネル長と高い耐圧を兼ね備えており、高効率と低熱抵抗を実現すると同時に、高いRF電力に耐えるように設計されている
RF＆マイクロ波パワートランジスタ市場のリーダーたち
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Infineon Technologies AG
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Renesas Electronics Corporation
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NXP Semiconductors N.V
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ST Microelectronics
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Microchip Technology Inc.
*免責事項:主要選手の並び順不同
