| 調査期間 | 2019 - 2029 |
| 推定の基準年 | 2023 |
| CAGR | 4.50 % |
| 最も急速に成長している市場 | アジア太平洋地域 |
| 最大市場 | 北米 |
| 市場集中度 | 中くらい |
主要プレーヤー*免責事項:主要選手の並び順不同 |
パワートランジスタ市場分析
パワー・トランジスタは、民生用電子機器に使用される重要な部品である。その用途には、電力効率の向上、サイズとシステム・コストの削減、より小型で洗練されたデザインの実現、プロレベルのオーディオ品質などの新機能の提供により、民生用電子機器の性能と実用性を高めることが含まれる。
- パワー・トランジスタは、微弱な電気信号を増幅し、それに応じて調整するために広く使用されている半導体デバイスです。また、自動車やエネルギー・電力産業など、さまざまな大電力アプリケーションのスイッチとしても使用されます。
- 通信機器やコネクテッドエレクトロニクス機器におけるパワートランジスタの需要の高まりと、この分野への投資の増加は、カーボンフットプリントを削減し、使用される機器の生産性を向上させます。
- KOSISによると、韓国におけるダイオード、トランジスタ、半導体デバイスの製造からの全体的な収益は、2021年には59億米ドルであり、2024年末には62億6000万米ドルに達すると予想されている。同様の傾向はアジア太平洋地域でも見られ、予測期間中の市場成長を後押しすると予想される。
- パワー・トランジスタは、熱を素早く放散し、過熱を防ぎ、CO2排出量と電気料金を削減する。こうした利点から、パワー・トランジスタはさまざまな電子製品に欠かせない部品となっている。さらに、人口の増加と化石燃料の消費量の急増が、電力効率の高い電子機器の需要を押し上げている。
- 温度感受性、スイッチング周波数15kHz以上の動作制限、逆阻止能力などの制約による動作の制限は、長期的にはパワー・トランジスタ市場の成長を妨げる可能性がある。
- COVID-19パンデミックはパワートランジスタ市場に深刻な影響を与えた。半導体とエレクトロニクスの生産設備は、世界的な景気減速と労働力の不足により停止した。COVID-19は製造稼働率の大幅かつ長期的な低下を引き起こし、渡航禁止と製造施設の閉鎖により送電産業の成長低下を招いた。
パワートランジスタ市場動向
コンシューマー・エレクトロニクス部門が市場成長を促進する見込み
- 民生用電子機器はパワートランジスタの重要な応用分野である。イヤホン、ノートパソコン、スマートフォン、ウェアラブル機器、その他のポータブル機器など、民生用電子機器の採用が急増しており、このセグメントの成長を後押ししている。
- 5G技術の登場は、さまざまなファウンドリ・ノードの採用を支える5G対応デバイスの採用を増加させている。民生用電子機器では、より優れた効率的な半導体の需要が高まっており、パワートランジスタのニーズが高まるだろう。エリクソンのモビリティ・レポートによると、5G対応デバイスによる5G契約は2021年第1四半期に7,000万件増加し、2021年末には5億8,000万件に達すると予測されている。
- 高解像度オーディオ、高速充電、よりエネルギー効率の高い設計に対する民生用電子機器の需要の高まりは、GaN技術の成長を促進する。GaNトランジスタ技術は、デジタル世界の継続的な改善に必要な適応を提供する。
- 5G対応デバイスは、使用量の増加とデータ処理に必要なデータの急増により、今後数年間で市場が急増する。5G対応スマートフォン向けチップメーカーは、5G対応デバイスの需要増を支えるため、5Gチップの需要増に直面するだろう。半導体チップの増加は半導体の発展に寄与し、最終的にパワー・トランジスタの需要を支える。
- パワー・トランジスタの需要が伸びているため、半導体の不足が観察されており、将来的に旺盛な需要が見込まれる。さらに、米国上院は、家電や自動車業界の需要拡大に伴い、半導体製造能力を拡大するために半導体メーカーに税額控除を与えるFABS法を導入している。
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アジア太平洋地域が最も高い成長を遂げる見込み
- アジア太平洋地域は、株式会社東芝や三菱電機株式会社などの大手企業の存在により、パワートランジスタ市場において世界的に最も急成長している地域である。中国、日本、台湾、韓国は大きな市場シェアを持つ主要国である。この地域は、スマートフォンや5G技術の市場も大きく、自動車（特にEV）への投資も増加している。例えば、窒化ガリウム系パワー半導体メーカーであるGaN systems社は、EVの重要なアプリケーションの効率と電力密度を高めるために設計された同社のGaNパワートランジスタについて、BMW社と包括的な容量契約を締結した。
- 電気自動車、民生用電子機器、エネルギー・電力の需要増に対応するため、この地域全体で電子機器製造が増加しており、パワートランジスタ市場の成長を促進すると予想される。
- 中国は半導体市場に大きく貢献している。電気自動車需要の急増は、電気自動車における半導体の使用を促進する。
- 多様な電子機器の中国への移転が続いているため、半導体の消費は、この地域の他の国に比べて、日本、韓国、中国で急速に伸びている。加えて、世界の上位5大民生用電子機器部門は中国を拠点としており、推定される時間枠の中で、この地域全体に半導体採用の巨大な機会をもたらしている。
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パワートランジスタ産業概要
パワートランジスタ市場は、Fairchild Semiconductor International Inc.、Champion Microelectronics Corp.、Renesas Electronics Corporation、Infineon Technologies AG、Texas Instruments Inc.、NXP Semiconductors N.V.、STMicroelectronics N.V.、三菱電機株式会社、Linear Integrated Systems Inc.、株式会社東芝などの主要企業が存在するため、競争の激しい市場となっている。
- 2022年4月 - EPCは、最大RDS(on)が80mΩ、パルス出力電流が26Aの350V GaNトランジスタ、EPC2050を発表しました。この超小型サイズにより、同等のシリコン・ソリューションに比べて10分の1の面積でパワー・ソリューションを実現できます。EPC2050の高速スイッチング速度と小型サイズによるアプリケーションの利点には、医療用モータ向けの120 V-150 Vモータ制御、航空宇宙アプリケーションなどの120 V-160 VへのDC-DC変換、400 V入力を12 V、20 V、または48 V出力に変換するDC-DCソリューション、DC-ACインバータ、トーテムポールPFCなどのマルチレベルコンバータなどがあります。
- 2022年3月 - Transphorm, Inc.とTDKのグループ会社であるTDKラムダは、AC-DC GaNベースのPFH500F製品ラインを拡充します。製品ラインアップには、TDKの500W AC-DC電源のPFH500F-12とPFH500F-48が含まれます。このシリーズは、トランスフォーム社の72mΩ、8x8 PQFN GaN FET（TP65H070LDG）を使用しています。このパワートランジスタの高電力密度により、TDKは薄型ベースプレートによるGaN電源の冷却を可能にしました。TDKは、過酷な環境で動作する多種多様な産業用アプリケーションをサポートできる、よりスリムで密閉された電源モジュールを製造しました。アプリケーションには、カスタムファンレス電源、レーザー、5G通信、信号処理、商用オフザシェルフ（COTS）電源、デジタルサイネージ／ディスプレイなどが含まれます。
パワートランジスタ市場のリーダー
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NXP Semiconductors N.V
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Texas Instruments Incorporated
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STMicroelectronics N.V.
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Mitsubishi Electric Corporation
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Toshiba Corporation
- *免責事項:主要選手の並び順不同
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パワートランジスタ市場ニュース
- 2022年3月 - NXPは、都市部や郊外での配備を容易にするため、より小型で軽量な5G無線を実現するよう設計された32T32Rディスクリート・ソリューションの新ファミリーを発表した。32T32Rアクティブ・アンテナ・システム用のRFパワー・ディスクリート・ソリューションは、NXP独自の最新の窒化ガリウム（GaN）技術を採用し、GaNパワー・アンプの現在の製品ポートフォリオを強化するものです。同社のソリューションは、64T64Rソリューションと比較して2倍の電力を提供し、5G接続ソリューション全体の軽量化と小型化を実現する。このピンの互換性により、ネットワーク事業者は周波数と電力レベルにわたって迅速に拡張することができる。
- 2021年7月 - STMicroelectronicsは、RF LDMOSパワー・トランジスタのSTPOWERファミリに幅広い新デバイスを投入しました。これらのトランジスタは、さまざまな産業用および商業用アプリケーションのRFパワー・アンプ（PA）向けに最適化された3つの製品シリーズです。同社のRF LDMOSデバイスは、短い伝導チャネル長と高耐圧を組み合わせ、高効率と低熱抵抗を特徴とし、高RF電力を扱うためにパッケージ化されている。
パワートランジスタ産業セグメント
パワー・トランジスタは、信号の増幅と調整に使用される。ゲルマニウムやシリコンなどの高性能半導体材料から作られています。これらのトランジスタは、特定の電圧レベルを増幅・調整することができ、特定の範囲の高レベルおよび低レベルの電圧定格を扱うことができる。
パワートランジスタ市場は、製品別（低電圧FET、IGBTモジュール、RF・マイクロ波トランジスタ、高電圧FET、GBTトランジスタ）、タイプ別（バイポーラ接合型トランジスタ、電界効果トランジスタ、ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ）、エンドユーザー別（家電、通信、テクノロジー、自動車、製造、エネルギー・電力）、地域別に分類される。
| 製品 | 低電圧FET |
| IGBTモジュール | |
| RF およびマイクロ波トランジスタ | |
| 高電圧FET | |
| IGBTトランジスタ | |
| タイプ | バイポーラ接合トランジスタ |
| 電界効果トランジスタ | |
| ヘテロ接合バイポーラトランジスタ | |
| その他（MOSFET、JFET、NPNトランジスタ、PNPトランジスタ、GaNトランジスタ） | |
| 地理 | 北米 |
| ヨーロッパ | |
| アジア太平洋地域 | |
| ラテンアメリカ | |
| 中東とアフリカ |
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パワートランジスタ市場に関する調査FAQ
現在のパワートランジスタ市場規模はどれくらいですか?
パワートランジスタ市場は、予測期間（4.5%年から2029年）中に4.5％のCAGRを記録すると予測されています
パワートランジスタ市場の主要プレーヤーは誰ですか?
NXP Semiconductors N.V、Texas Instruments Incorporated、STMicroelectronics N.V.、Mitsubishi Electric Corporation、Toshiba Corporationは、パワートランジスタ市場で活動している主要企業です。
パワートランジスタ市場で最も急速に成長している地域はどこですか?
アジア太平洋地域は、予測期間（2024年から2029年）にわたって最も高いCAGRで成長すると推定されています。
パワートランジスタ市場で最大のシェアを誇るのはどの地域ですか?
2024年には、北米がパワートランジスタ市場で最大の市場シェアを占めます。
このパワートランジスタ市場は何年を対象としていますか?
このレポートは、2019年、2020年、2021年、2022年、2023年のパワートランジスタ市場の過去の市場規模をカバーしています。また、レポートは、2024年、2025年、2026年、2027年、2028年、2029年のパワートランジスタ市場規模も予測します。
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パワートランジスタ・インダストリーレポート
Mordor Intelligence™ Industry Reports が作成した、2024 年のパワー トランジスタ市場シェア、規模、収益成長率の統計。パワートランジスタ分析には、2029 年までの市場予測見通しと過去の概要が含まれます。この業界分析のサンプルを無料のレポート PDF ダウンロードとして入手してください。
