GaN半導体デバイス市場規模・シェア分析 - 成長動向と予測（2024年～2029年）

窒化ガリウム半導体デバイス市場レポートは、タイプ別（パワー半導体、光半導体、RF半導体）、デバイス別（トランジスタ、ダイオード、整流器、パワーIC）、エンドユーザー産業別（自動車、民生用電子機器、航空宇宙・防衛、医療、情報通信・技術、その他のエンドユーザー産業）、地域別（米国、欧州、日本、中国、韓国、台湾、その他の地域）に分類しています。市場規模および予測は、上記のすべてのセグメントについて金額（米ドル）で提供されます。

GaN半導体デバイス市場規模・シェア分析 - 成長動向と予測（2024年～2029年）

窒化ガリウム（GaN）半導体デバイスの市場規模

GaN半導体デバイス市場の概要
調査期間 2019 - 2029
市場規模 (2024) USD 5.28 Billion
市場規模 (2029) USD 14.06 Billion
CAGR (2024 - 2029) 21.64 %
最も急速に成長している市場 アジア
最大市場 アジア
市場集中度 ミディアム

主要プレーヤー

GaN半導体デバイス市場 主要プレーヤー

*免責事項:主要選手の並び順不同

窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス市場分析

GaN半導体デバイスの市場規模は、2024ではUSD 4.34 billionと推定され、2029までにはUSD 11.57 billionに達し、予測期間中（2024-2029）には21.64%のCAGRで成長すると予測されている。

  • 太陽光発電や風力発電を含む再生可能エネルギー源に対する需要の高まりが、電力変換システムにおけるGaN半導体デバイスの使用を後押ししている。GaNの高電力密度、高速スイッチング速度、改善された熱性能は、効率的なエネルギー変換を可能にし、エネルギーの浪費を減らしてシステム全体の効率を高める。
  • 太陽光発電は、グリーンエネルギー分野で最も急成長している分野のひとつである。複数の個別半導体で構成されるソーラーパネルは、光起電力効果によって太陽光を電気に変換する。政府の優遇措置やコスト低下などの要因による太陽エネルギー需要の高まりが、ソーラーパネルの生産と設置の急増につながっている。その結果、これらのパネルを効率的に機能させるために必要なディスクリート半導体の需要が高まっている。
  • 高周波で動作し、過酷な環境条件に耐え、高出力を実現するGaNの能力は、レーダーシステム、電子戦、通信システムなどの用途に適している。GaNデバイスは、性能、信頼性の向上、システムサイズの縮小を実現し、航空宇宙・防衛技術の進歩に貢献しています。
  • しかし、窒化ガリウム半導体デバイスに関連する高コストは、調査した市場の成長にとって大きな抑制要因となっている。これらのデバイスの製造プロセスには、複雑な製造技術と特殊な装置が必要であり、これが全体的なコストを押し上げている。このため、窒化ガリウム半導体デバイスは他の半導体材料に比べて相対的に高価であり、価格に敏感な市場での採用が制限されている。
  • COVID後のシナリオでは、リモートワーク環境がハイパースケールデータセンターの成長につながり、スマートフォン、ウェアラブル、ノートパソコン、その他のIT機器の需要が増加している。
  • 全米ソフトウェア・サービス企業協会（NASSCOM）によると、インドのデータセンター投資は2025年までに46億米ドルに達する予定である。インドのデータセンターは、より成熟した市場と比較して、開発・運用の両面でコスト効率が高いことが最大の強みである。現在、インドのデータセンターは主にムンバイ、ベンガルール、チェンナイ、デリー（NCR）、ハイデラバード、プネーにある。カルカッタ、ケララ、アーメダバードは今後のデータセンター拠点となる予定だ。こうしたデータセンター市場への投資の拡大が、調査対象市場の成長を後押ししている。

窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス産業概要

GaN半導体デバイス市場は半固体状である。同市場の主なプレーヤーには、東芝電子デバイス＆ストレージ株式会社、Nexperia Holding BV (Wingtech Technology Co. Ltd.)、Infineon Technologies AG、Efficient Power Conversion Corporation、NXP Semiconductors NVなどがある。各社は、予測期間中に競争力を獲得するため、複数のパートナーシップを結び、新製品の投入に投資することで市場シェアを拡大している。

  • 2024年6月 - Infineon Technologies AGは、CoolGaNTransistor 700 V G4製品ファミリーを発表した。これらのデバイスは電力変換、特に700 Vの電圧範囲で優れています。これらのトランジスタは、入出力比 率において20%の性能向上を誇ります。この強化は、効率の向上、電力損失の最小化、より経済的なソリューションにつながります。これらのアプリケーションは、民生用充電器やノートPCアダプタから、データセンター電源、再生可能エネルギー・インバータ、バッテリ・ストレージ・ソリューションに及びます。
  • 2024年5月-東芝電子デバイス＆ストレージ株式会社は、石川県の加賀東芝エレクトロニクス株式会社（東芝の主要グループ会社）において、パワー半導体用300ミリウエハー製造施設およびオフィスビルの竣工式を開催した。今回の完工は、東芝の複数年にわたる投資計画のフェーズ1における重要なマイルストーンとなる。今後、設備の据付を進め、2024年度後半に量産を開始する。

窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス市場のリーダーたち

  1. Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

  2. Nexperia Holding BV (Wingtech Technology Co. Ltd)

  3. Infineon Technologies AG

  4. Efficient Power Conversion Corporation

  5. NXP Semiconductors NV

  6. *免責事項:主要選手の並び順不同
窒化ガリウム（GaN）半導体デバイスの市場集中度
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窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス市場ニュース

  • 2024年6月 - 株式会社東芝は、パワー半導体の生産増強のために約1,000億円（6億3,600万米ドル）を投資する意向を発表した。2027年3月までの3年間を予定しているこの取り組みは、電気自動車や産業用アプリケーションの電力制御に重要なチップの販売を強化するための戦略的な動きであり、同社の広範な再建戦略に沿ったものである。コングロマリットは、石川県と兵庫県にある工場とタイにある工場でのチップ生産を強化する計画である。
  • 2024年2月 - Nexperia BVは、複数のエンドマーケットにおける様々なアプリケーション向けのディスクリート・スイッチング・ソリューションの幅を広げるため、いくつかの新しいMOSFETのリリースを発表した。今回のリリースには、60%小型のDFN2020パッケージのPoE、eFuse、リレー交換用100Vアプリケーション特化型MOSFET（ASFET）と、電磁両立性（EMC）性能を向上させた40V NextPowerS3 MOSFETが含まれます。

窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス市場レポート-目次

1. 導入

  • 1.1 研究の前提と市場の定義
  • 1.2 研究の範囲

2. 研究方法

3. エグゼクティブサマリー

4. 市場インサイト

  • 4.1 市場概要
  • 4.2 業界の魅力 - ポーターの 5 つの力の分析
    • 4.2.1 サプライヤーの交渉力
    • 4.2.2 消費者の交渉力
    • 4.2.3 新規参入の脅威
    • 4.2.4 代替品の脅威
    • 4.2.5 競争の激しさ
  • 4.3 COVID-19の影響とその他のマクロ経済要因が市場に与える影響

5. 市場のダイナミクス

  • 5.1 市場の推進要因
    • 5.1.1 5G導入の進展により通信インフラ分野からの需要が堅調
    • 5.1.2 高性能や小型フォームファクタなどの有利な特性が軍事分野での採用を促進
  • 5.2 市場の抑制
    • 5.2.1 コストと運用上の課題

6. 市場セグメンテーション

  • 6.1 タイプ別
    • 6.1.1 パワー半導体
    • 6.1.2 光半導体
    • 6.1.3 RF半導体
  • 6.2 デバイス別
    • 6.2.1 トランジスタ
    • 6.2.2 ダイオード
    • 6.2.3 整流器
    • 6.2.4 電源IC
  • 6.3 エンドユーザー業界別
    • 6.3.1 自動車
    • 6.3.2 家電
    • 6.3.3 航空宇宙および防衛
    • 6.3.4 医学
    • 6.3.5 情報通信技術
    • 6.3.6 その他のエンドユーザー産業
  • 6.4 地理別***
    • 6.4.1 アメリカ合衆国
    • 6.4.2 ヨーロッパ
    • 6.4.3 日本
    • 6.4.4 中国
    • 6.4.5 韓国
    • 6.4.6 台湾
    • 6.4.7 ラテンアメリカ
    • 6.4.8 中東およびアフリカ

7. 競争環境

  • 7.1 企業プロフィール*
    • 7.1.1 東芝デバイス＆ストレージ株式会社
    • 7.1.2 Nexperia Holding BV（ウィングテックテクノロジー株式会社）
    • 7.1.3 インフィニオンテクノロジーズAG
    • 7.1.4 エフィシエント・パワー・コンバージョン・コーポレーション
    • 7.1.5 NXPセミコンダクターズNV
    • 7.1.6 テキサス・インスツルメンツ株式会社
    • 7.1.7 MACOMテクノロジーズソリューションズホールディングス株式会社
    • 7.1.8 STマイクロエレクトロニクスNV
    • 7.1.9 マイクロチップテクノロジー株式会社
    • 7.1.10 ソイテック
    • 7.1.11 Qorvo 株式会社
    • 7.1.12 ローム株式会社

8. 投資分析

9. 市場の未来

**空き状況によります
***最終報告書では、ラテンアメリカと中東・アフリカは「その他の地域として扱われる。
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窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス市場のセグメント化

GaNは、シリコンMOSFETと比較して新しい技術である。この市場で検討されているさまざまなデバイスは、トランジスタ、整流器、ダイオードである。GaN半導体デバイスとしては、パワー半導体、光半導体、RF半導体がある。

GaN半導体デバイス市場は、タイプ別（パワー半導体、光半導体、RF半導体）、デバイス別（トランジスタ、ダイオード、整流器、パワーIC）、エンドユーザー産業別（自動車、民生用電子機器、航空宇宙・防衛、医療、情報通信・技術、その他のエンドユーザー産業）、地域別（米国、欧州、日本、中国、韓国、台湾、その他の地域）に区分される。市場規模および予測は、上記のすべてのセグメントについて金額（米ドル）で提供されています。

タイプ別 パワー半導体
光半導体
RF半導体
デバイス別 トランジスタ
ダイオード
整流器
電源IC
エンドユーザー業界別 自動車
家電
航空宇宙および防衛
医学
情報通信技術
その他のエンドユーザー産業
地理別*** アメリカ合衆国
ヨーロッパ
日本
中国
韓国
台湾
ラテンアメリカ
中東およびアフリカ
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窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス市場調査FAQ

GaN半導体デバイス市場の規模は？

GaN半導体デバイス市場規模は、2024年に43.4億ドルに達し、2029年には年平均成長率21.64%で115.7億ドルに達すると予測される。

現在のGaN半導体デバイス市場規模は？

2024年には、GaN半導体デバイス市場規模は43.4億ドルに達すると予想される。

GaN半導体デバイス市場の主要プレーヤーは？

東芝電子デバイス＆ストレージ株式会社、Nexperia Holding BV (Wingtech Technology Co. Ltd.)、Infineon Technologies AG、Efficient Power Conversion Corporation、NXP Semiconductors NVが、GaN半導体デバイス市場で事業を展開している主要企業である。

GaN半導体デバイス市場で最も急成長している地域は？

アジアは予測期間（2024-2029年）に最も高いCAGRで成長すると推定される。

GaN半導体デバイス市場で最大のシェアを占める地域は？

2024年には、アジアがGaN半導体デバイス市場で最大の市場シェアを占める。

このGaN半導体デバイス市場は何年をカバーし、2023年の市場規模は？

2023年のGaN半導体デバイス市場規模は34億米ドルと推定される。本レポートは、2019年、2020年、2021年、2022年、2023年のGaN半導体デバイス市場の過去の市場規模をカバーしています。また、2024年、2025年、2026年、2027年、2028年、2029年のGaN半導体デバイス市場規模を予測しています。

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Mordor Intelligence™ Industry Reportsが作成した2024年のGaN半導体デバイス市場シェア、規模、収益成長率の統計です。GaN半導体デバイスの分析には、2029年までの市場予測展望と過去の概要が含まれます。この産業分析のサンプルを無料レポートPDFダウンロードで入手できます。

GaN半導体デバイス レポートスナップショット