マーケットトレンド の GaN RF半導体デバイス 産業
ロング・ターム・エボリューション・ワイヤレス・ネットワークの普及が市場成長を牽引
- ロングタームエボリューション（LTE）ワイヤレスネットワークの台頭は、GaN RF半導体デバイス市場の主要な成長要因の1つである。データ消費量の絶え間ない増加が商用ネットワークの成長をもたらし、ネットワーク・キャリアは4Gや5Gといった次世代LTEネットワークの採用を促すだろう。
- より高い周波数のデータ帯域幅接続を提供する能力により、GaN RF技術は間もなくネットワーク・サービス・プロバイダーにとって理想的な選択肢となる。GaN RFデバイスは、デバイスが必要な帯域で最大の周波数を発生できるようにし、他の周波数帯からの干渉も防ぐのに役立つ。
- GaN RFパワー・デバイスの導入により、LTEデバイスは、消費者が音楽や写真などのコンテンツをアップロードおよびダウンロードしたり、最大周波数帯域でオンライン・ゲームをプレイしたり、オンライン・テレビ番組を視聴したりできる速度を提供できるようになり、普及が進むだろう。
- RF GaNは、無線インフラにおいて、効率を改善し帯域幅を広げることで、増え続けるデータ伝送レートをサポートするという重要な役割を果たしている。5G技術の採用増加と無線通信の進歩は、RF GaN市場の重要な促進要因になると思われる。GaNパワートランジスタの採用増加は、通信ベンダーにとっても有用であることが証明されるであろう。
この市場を形作る主な傾向を理解する
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