中国パワートランジスタ市場規模・シェア分析-成長動向と予測（2024年～2029年）

中国パワートランジスタ市場は、製品別（低電圧FET、IGBTモジュール、RFおよびマイクロ波トランジスタ、高電圧FET、IGBTトランジスタ）、タイプ別（バイポーラ接合トランジスタ、電界効果トランジスタ、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、その他のタイプ）、エンドユーザー産業別（コンシューマーエレクトロニクス、通信＆テクノロジー、自動車、エネルギー＆電力、製造、その他のエンドユーザー産業）に分類されます。市場規模および予測は、すべてのセグメントについて金額（米ドル）で提供しています。

中国パワートランジスタ市場規模・シェア分析-成長動向と予測（2024年～2029年）

中国パワートランジスタ市場規模

中国パワートランジスタ市場概要
調査期間 2019 - 2029
推定の基準年 2023
市場規模 (2024) USD 9.19 Billion
市場規模 (2029) USD 12.35 Billion
CAGR (2024 - 2029) 6.10 %
市場集中度 低い

主要プレーヤー

中国パワートランジスタ市場

*免責事項:主要選手の並び順不同

中国パワートランジスタ市場分析

中国のパワートランジスタ市場規模はUSD 8.66 billion（2024）と推定され、2029までにはUSD 11.64 billionに達し、予測期間中（2024-2029）に6.10%のCAGRで成長すると予測される。

パワーエレクトロニクスは、電力の流れを調整・制御するために家電製品に広く使用されている。パワーエレクトロニクスの用途には、電力効率の向上、サイズとシステムコストの削減、洗練されたデザインなど、家電機器の性能と実用性の向上が含まれるため、家電機器にとって極めて重要なコンポーネントである。

  • 中国は、ハイブリッド車と電気自動車の有利な市場であるため、調査対象市場の主要国のひとつである。同国は、2030年までに全自動車販売台数の40%を電気自動車にすることを目指している。2020年、政府は電気自動車を義務付け、補助金を段階的に廃止した。
  • 政府による「メイド・イン・チャイナ2025構想もパワーエレクトロニクス市場の成長につながっている。このイニシアチブは、この地域におけるパワーエレクトロニクスへの新たな投資も誘致している。例えば、ワイドバンドギャップ化合物半導体の著名なプレーヤーであるIIVI Incorporatedは、最近、中国での炭化ケイ素（SiC）ウェハー仕上げ製造拠点を拡大した。
  • エレクトロニクス製造業界も、ここ数年、着実な拡大を続けている。中国情報通信技術研究院（China Academy of Information and Communications Technology）の報告書によると、2022年1月から2月までの2ヵ月間、主要電子機器メーカーの付加価値は前年同期比12.7%増となり、国内の産業部門全体の成長率が7.5%増であったのと対照的であった。
  • また、電気自動車の人気も高まっており、中国は電気自動車を採用する主要国のひとつとみなされている。同国の第13次5ヵ年計画では、ハイブリッド車や電気自動車など、環境に配慮した輸送ソリューションの開発を推進し、同国の輸送セクターの発展を図っている。
  • 中国の電気自動車は軌道に乗っており、中国政府の2025年予測を大幅に上回る2022年に全国普及率20％の目標を達成した。これは、数十社の競合他社による新モデルが新規購入者を引きつけ、所有者に電気自動車への乗り換えを促したためだ。

中国パワートランジスタ産業概要

中国パワートランジスタ市場の競争は激しく、東芝、三菱電機、ルネサスなど、さまざまなセグメントで主要な市場シェアを占め、確立された販売網を持つ有力ベンダーが参入している。エレクトロニクス産業は最大級の市場であるため、市場シェアを損なうことなく、これほど多くの大手ベンダーが存在することは持続可能である。しかし、各ベンダーは調査対象市場でより大きなシェアを獲得しようと激しく競争している。これらのベンダーが採用している開発には次のようなものがある：。

2022年9月、ロームセミコンダクターは、自動車産業向け先端技術開発のため、Nanjing SemiDrive Technology Ltd.との提携を発表した。SemiDriveの最新の車載用SoC（X9シリーズ）は、コックピットやその他の車載アプリケーションに高度な機能を提供するため、さまざまな自動車メーカーに採用されている。

2022年9月、BYD Semiconductor Co.Ltd.は、年間生産能力50万個を目標とする8インチ車載グレードチップ生産ラインを設置すると発表した。湖南省長沙市に位置し、投資総額は10億元（1億4450万米ドル）を予定している。

中国パワートランジスタ市場のリーダー

  1. Champion Microelectronics Corp

  2. Infineon Technologies AG

  3. Renesas Electronics Corporation

  4. NXP Semiconductors N.V.

  5. Texas Instruments Inc.

  6. *免責事項:主要選手の並び順不同
中国パワートランジスタ市場集中度
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中国パワートランジスタ市場ニュース

  • 2024年3月：セコイア・キャピタルが支援するAI新興企業セレブラス・システムズは、同社の大規模チップのアップグレード版であるWSE-3を発表した。この新バージョンは、元の価格帯を維持しながら、2倍の性能を提供する。WSE-3は4兆個のトランジスタを搭載し、125ペタフロップスの演算能力を実現する。これらのチップは、中国に拠点を置くTSMCの5nmプロセスで製造される。
  • 2024年2月三菱電機株式会社は、最新製品である6.5Wシリコン無線周波数（RF）ハイパワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）を発表した。この部品は、業務用携帯型双方向無線機（トランシーバー）のRFハイパワーアンプ用に設計されており、2月28日よりサンプル出荷を開始する。このモデルは、3.6Vの単一セルリチウムイオン電池から6.5Wの出力を実現。業務用無線機の通信距離の延長と消費電力の低減が期待できる。

中国パワートランジスタ市場レポート-目次

1. 導入

  • 1.1 研究の前提条件と市場定義
  • 1.2 研究の範囲

2. 研究方法

3. エグゼクティブサマリー

4. 市場洞察

  • 4.1 市場概況
  • 4.2 業界の魅力 - ポーターのファイブフォース分析
    • 4.2.1 新規参入の脅威
    • 4.2.2 買い手の交渉力
    • 4.2.3 サプライヤーの交渉力
    • 4.2.4 代替品の脅威
    • 4.2.5 競争の激しさ
  • 4.3 新型コロナウイルス感染症が業界に与える影響の評価

5. 市場力学

  • 5.1 市場の推進力
    • 5.1.1 コネクテッドデバイスの需要の高まり
    • 5.1.2 化石燃料の使用量の急増により、電力効率の高い電子機器の需要が高まっています
  • 5.2 市場の制約
    • 5.2.1 温度、周波数、逆阻止能力などの制約による動作の制限

6. 市場セグメンテーション

  • 6.1 製品別
    • 6.1.1 低電圧FET
    • 6.1.2 IGBTモジュール
    • 6.1.3 RF およびマイクロ波トランジスタ
    • 6.1.4 高電圧FET
    • 6.1.5 IGBTトランジスタ
  • 6.2 タイプ別
    • 6.2.1 バイポーラ接合トランジスタ
    • 6.2.2 電界効果トランジスタ
    • 6.2.3 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
    • 6.2.4 その他のタイプ（MOSFET、JFET、NPNトランジスタ、PNPトランジスタ、GaNトランジスタ）
  • 6.3 エンドユーザー業界別
    • 6.3.1 家電
    • 6.3.2 通信技術
    • 6.3.3 自動車
    • 6.3.4 エネルギーと電力
    • 6.3.5 製造業
    • 6.3.6 その他のエンドユーザー産業

7. 競争環境

  • 7.1 会社概要
    • 7.1.1 Champion Microelectronics Corp
    • 7.1.2 Infineon Technologies AG
    • 7.1.3 Renesas Electronics Corporation
    • 7.1.4 NXP Semiconductors N.V.
    • 7.1.5 Texas Instruments Inc.
    • 7.1.6 STMicroelectronics N.V.
    • 7.1.7 Fairchild Semiconductor International Inc.
    • 7.1.8 Linear Integrated Systems Inc.
    • 7.1.9 Mitsubishi Electric Corporation
    • 7.1.10 Toshiba Corporation

8. 投資分析

9. 市場の将来展望

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中国パワートランジスタ産業セグメンテーション

パワー・トランジスタは、信号の増幅と調整に使用される。ゲルマニウムやシリコンなどの高性能半導体材料から作られています。これらのトランジスタは、特定の電圧レベルを増幅、調整することができ、特定の範囲の高レベルおよび低レベルの電圧定格を扱うことができます。

中国のパワートランジスタ市場は、製品別（低電圧FET、IGBTモジュール、RFおよびマイクロ波トランジスタ、高電圧FET、IGBTトランジスタ）、タイプ別（バイポーラ接合トランジスタ、電界効果トランジスタ、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、その他のタイプ）、エンドユーザー産業別（家電、通信＆テクノロジー、自動車、エネルギー＆電力、製造、その他のエンドユーザー産業）に区分される。

市場規模および予測は、すべてのセグメントについて金額（米ドル）ベースで提供される。

製品別 低電圧FET
IGBTモジュール
RF およびマイクロ波トランジスタ
高電圧FET
IGBTトランジスタ
タイプ別 バイポーラ接合トランジスタ
電界効果トランジスタ
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
その他のタイプ（MOSFET、JFET、NPNトランジスタ、PNPトランジスタ、GaNトランジスタ）
エンドユーザー業界別 家電
通信技術
自動車
エネルギーと電力
製造業
その他のエンドユーザー産業
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中国パワートランジスタ市場調査 よくある質問

中国パワートランジスタ市場の規模は？

中国のパワートランジスタ市場規模は、2024年には86.6億ドルに達し、年平均成長率6.10%で2029年には116.4億ドルに達すると予測される。

現在の中国パワートランジスタ市場規模は？

2024年、中国のパワートランジスタ市場規模は86.6億ドルに達すると予想される。

中国パワートランジスタ市場の主要プレーヤーは？

Champion Microelectronics Corp.、Infineon Technologies AG、Renesas Electronics Corporation、NXP Semiconductors N.V.、Texas Instruments Inc.が中国パワートランジスタ市場の主要企業である。

この中国パワートランジスタ市場は何年をカバーし、2023年の市場規模は？

2023年の中国パワートランジスタ市場規模は81.3億米ドルと推定される。本レポートは、2019年、2020年、2021年、2022年、2023年の中国パワートランジスタ市場の過去市場規模をカバーしています。また、2024年、2025年、2026年、2027年、2028年、2029年の中国パワートランジスタ市場規模を予測しています。

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Mordor Intelligence™ Industry Reportsが作成した2024年の中国パワートランジスタ市場のシェア、規模、収益成長率の統計。中国パワートランジスタの分析には、2024年から2029年までの市場予測展望と過去の概要が含まれます。この産業分析のサンプルを無料レポートPDFダウンロードで入手できます。

中国パワートランジスタ レポートスナップショット