マーケットシェア の 中国のダイナミック ランダム アクセス メモリ (DRAM) 産業
中国のダイナミック・ランダム・アクセス・メモリー市場は競争が激しく、既存プレーヤーが支配的である。同市場では、ローカルプレーヤーを中心とした新規参入プレーヤーの台頭が見られるものの、当面はグローバルプレーヤーが市場を支配し続けると予想される。ベンダー各社は、市場でのプレゼンスをさらに拡大するため、新製品開発、提携、合併、買収など、いくつかの戦略を採用している。主な市場プレイヤーには、Samsung Electronics Co.Ltd.、Micron Technology Inc.、Sk hynix Inc.、ChangXin Memory Technologies Inc.などである
- 2023年5月 - DRAMの大手メーカーであるSK hynixは、中国無錫工場における半導体製造装置に対する米国の禁止措置により、DDR3およびDDR4 4Gb製品に特化したより高度な製造プロセスへの移行ではなく、レガシー・プロセスの拡張を発表。
- 2022年7月 - 中国および世界のDRAMチップの大手プロバイダーであるサムスンは、電力効率を改善し、高速化した新しいグラフィックス・ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリー（DRAM）チップを開発した。同社によると、24ギガビットのグラフィックス・ダブル・データ・レート6（GDDR6）は、既存製品より30％以上高速なデータ処理速度を誇り、第3世代の10ナノメートル技術を採用している。
中国ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（DRAM）市場のリーダーたち
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Samsung Electronics Co. Ltd
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Micron Technology Inc.
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SK Hynix Inc.
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ChangXin Memory Technologies, Inc.
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Winbond Electronics (Suzhou) Limited
*免責事項:主要選手の並び順不同
