中国ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)市場規模・シェア分析-成長動向と予測(2024年~2029年)

中国のダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)市場は、アーキテクチャ別(DDR3、DDR4、DDR5、DDR2)、用途別(スマートフォン/タブレット、PC/ノートPC、データセンター、グラフィックス、コンシューマ製品、自動車)に区分される。市場規模および予測は、上記のすべてのセグメントについて、金額(米ドル)および数量(単位)で提供されます。

中国ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)市場規模・シェア分析-成長動向と予測(2024年~2029年)

ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)の中国市場規模

調査期間 2019 - 2029
推定の基準年 2023
市場規模 (2024) USD 22.68 Billion
市場規模 (2029) USD 27.53 Billion
CAGR (2024 - 2029) 3.95 %
市場集中度 低い

主要プレーヤー

*免責事項:主要選手の並び順不同

中国DRAM市場分析

中国のダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ市場規模は2024年にUSD 21.82 billionと推定され、2029年にはUSD 26.48 billionに達し、予測期間中(2024-2029)に3.95%のCAGRで成長すると予測される。

最近の消費者は、最新の通信技術や高度なデジタル技術の採用の増加により、容量が増加した安全なデータストレージシステムを必要としているため、DRAMのような高度なメモリソリューションへの需要が高まっています。

  • DRAM(ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリー)は、特定のタイプのRAM(ランダム・アクセス・メモリー)で、最新のデスクトップやノートパソコン、その他のコンピューティング・システムに広く採用されています。DRAMは、SSDのようなストレージ・デバイスよりもはるかに高速であるため、コンピュータの一時的なメモリ・バンクとして機能し、データは迅速かつ短期的なアクセスのために保存される。
  • 中国は近年インフラが急速に発展しており、高度なデジタル技術やコンピューティングデバイスの普及が著しく進んでいるため、DRAMの主要消費国のひとつとなっている。中国国家統計局によると、中国の消費財小売総売上高に占める電子商取引の割合は、2022年に27.2%に達した。電子商取引の成長は、コンピューティング・デバイスの導入にプラスの影響を与えている。
  • 都市化率の高まりも、スマートフォン、タブレット、ノートパソコンなどのモバイル・コンピューティング・デバイスの需要を大幅に高めており、中国市場の成長にプラスの影響を与えている。政府が都市化率のさらなる上昇に注力していることから、このような製品に対する需要は拡大すると予想され、DRAMの需要を生み出しています。例えば、中国国家統計局によると、2022年には中国の総人口の約65.2%が都市部に住むようになる。
  • また、毎年生成されるデータ量が増加する中、ITおよびデータセンター産業も盛んになっている。例えば、中国の国家発展改革委員会(NDRC)は最近、全国にさらに4つのデータセンター・メガクラスターを設立する計画を発表した。こうした動向も、同国における研究市場の成長を後押ししている。
  • しかし、DRAMのキャパシタは電荷を維持するために頻繁に充電する必要があるため、SRAMよりも消費電力が高いといった技術的限界が、同国における調査市場の成長を阻む主な要因の一つとなっている。さらに、米中貿易摩擦が中国におけるDRAM市場発展の障壁となっている。

中国ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)産業概要

中国のダイナミック・ランダム・アクセス・メモリー市場は競争が激しく、既存プレーヤーが支配的である。同市場では、ローカルプレーヤーを中心とした新規参入プレーヤーの台頭が見られるものの、当面はグローバルプレーヤーが市場を支配し続けると予想される。ベンダー各社は、市場でのプレゼンスをさらに拡大するため、新製品開発、提携、合併、買収など、いくつかの戦略を採用している。主な市場プレイヤーには、Samsung Electronics Co.Ltd.、Micron Technology Inc.、Sk hynix Inc.、ChangXin Memory Technologies Inc.などである。

  • 2023年5月 - DRAMの大手メーカーであるSK hynixは、中国無錫工場における半導体製造装置に対する米国の禁止措置により、DDR3およびDDR4 4Gb製品に特化したより高度な製造プロセスへの移行ではなく、レガシー・プロセスの拡張を発表。
  • 2022年7月 - 中国および世界のDRAMチップの大手プロバイダーであるサムスンは、電力効率を改善し、高速化した新しいグラフィックス・ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリー(DRAM)チップを開発した。同社によると、24ギガビットのグラフィックス・ダブル・データ・レート6(GDDR6)は、既存製品より30%以上高速なデータ処理速度を誇り、第3世代の10ナノメートル技術を採用している。

中国ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)市場のリーダーたち

  1. Samsung Electronics Co. Ltd

  2. Micron Technology Inc.

  3. SK Hynix Inc.

  4. ChangXin Memory Technologies, Inc.

  5. Winbond Electronics (Suzhou) Limited

  6. *免責事項:主要選手の並び順不同
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中国DRAM市場ニュース

  • 2024年4月韓国のメモリー・チップ大手、SKハイニックス(000660.KS)は、5兆3000億ウォン(約38億6000万米ドル)を投じて韓国に最新鋭のチップ工場を設立する。この工場は、新種のダイナミック・ランダム・アクセス・メモリー(DRAM)チップの生産に特化する。SKハイニックスはこの投資で、特に高帯域幅メモリー(HBM)に重点を置いてDRAM生産能力を強化することを主な目標としている。
  • 2023年11月CXMTはDRAM LPDDR5を発売し、このような技術を開発・生産する最初の中国企業として重要なマイルストーンとなる。低消費電力ダブルデータレート同期ダイナミックランダムアクセスメモリの最新版であるLPDDR5がCXMTの主役となる。同社は、12Gb LPDDR5チップ、パッケージ・オン・パッケージ(PoP)パッケージを採用した12GB LPDDR5チップ、ダイ・スタッキング・チップ(DSC)パッケージを採用した6GB LPDDR5チップを搭載したLPDDR5ラインアップを展開した。

中国DRAM市場レポート-目次

1. 導入

  • 1.1 研究の前提条件と市場定義
  • 1.2 研究の範囲

2. 研究方法

3. エグゼクティブサマリー

4. 市場洞察

  • 4.1 市場概況
  • 4.2 業界のバリューチェーン分析
  • 4.3 業界の魅力 - ポーターのファイブフォース分析
    • 4.3.1 新規参入の脅威
    • 4.3.2 買い手の交渉力
    • 4.3.3 サプライヤーの交渉力
    • 4.3.4 代替品の脅威
    • 4.3.5 競争の激しさ
  • 4.4 市場のマクロ経済分析

5. 市場力学

  • 5.1 市場の推進力
    • 5.1.1 ハイエンドスマートフォンやPCの需要の拡大
    • 5.1.2 データセンターへの投資の増加
  • 5.2 市場の制約
    • 5.2.1 米国との貿易紛争

6. 価格分析(グローバルレベル)

  • 6.1 スポット価格 (GB あたり) (米ドル) 2015 年から 2020 年以降のドラムの種類 (DDR3、DDR4 など) ごとの推移
  • 6.2 価格傾向分析

7. 市場セグメンテーション

  • 7.1 アーキテクチャ別 (価値とボリューム)
    • 7.1.1 DDR3
    • 7.1.2 DDR4
    • 7.1.3 DDR5
    • 7.1.4 DDR2/その他
  • 7.2 用途別(金額と量)
    • 7.2.1 スマートフォン・タブレット
    • 7.2.2 PC/ラップトップ
    • 7.2.3 データセンター
    • 7.2.4 グラフィックス
    • 7.2.5 消費者製品
    • 7.2.6 自動車
    • 7.2.7 その他の用途

8. 競争環境

  • 8.1 会社概要
    • 8.1.1 Samsung Electronics Co. Ltd
    • 8.1.2 Micron Technology Inc.
    • 8.1.3 SK Hynix Inc.
    • 8.1.4 ChangXin Memory Technologies Inc.
    • 8.1.5 Nanya Technology Corporation
    • 8.1.6 Winbond Electronics (Suzhou) Limited
    • 8.1.7 Kingston Technology
    • 8.1.8 Transcend Information
    • 8.1.9 Infineon Technologies AG

9. 投資分析

10. 市場の未来

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中国ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)産業セグメンテーション

ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)は、異なるキャパシタにデータを保存するランダム・アクセス・メモリ(RAM)デバイスの一種である。このタイプのメモリ・デバイスは、ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)などの他のメモリ・タイプよりも大幅に高速である。そのため、最新のコンピューティングデバイスやストレージデバイスへの採用が増加しています。

本調査では、中国の様々なエンドユーザー産業におけるDRAMの需要、技術動向、成長トレンドを包括的に分析しています。また、最近の動向や市場ダイナミクスの変化についても分析し、市場機会の全体像を俯瞰しています。本調査では、市場をアーキテクチャ別、アプリケーション別に分類し、COVID-19が中国のDRAM産業に与える影響を分析したセクションも含まれています。市場規模および予測は、上記のすべてのセグメントについて、金額(10億米ドル)および数量(10億ユニット)で提供しています。

アーキテクチャ別 (価値とボリューム) DDR3
DDR4
DDR5
DDR2/その他
用途別(金額と量) スマートフォン・タブレット
PC/ラップトップ
データセンター
グラフィックス
消費者製品
自動車
その他の用途
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中国ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)市場調査 よくある質問

中国のDRAM市場規模は?

中国のダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)市場規模は2024年に218.2億ドルに達し、CAGR 3.95%で成長し、2029年には264.8億ドルに達すると予測される。

現在の中国のDRAM市場規模は?

2024年、中国のダイナミック・ランダム・アクセス・メモリー(DRAM)市場規模は218.2億ドルに達すると予想される。

中国ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)市場の主要プレーヤーは?

サムスン電子Ltd.、Micron Technology Inc.、SK Hynix Inc.、ChangXin Memory Technologies, Inc.、Winbond Electronics (Suzhou) Limitedが中国DRAM市場の主要企業である。

この中国ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)市場は何年をカバーし、2023年の市場規模は?

2023年の中国ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)市場規模は209.6億米ドルと推定されます。本レポートでは、2019年、2020年、2021年、2022年、2023年の中国ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)市場の過去市場規模を調査しています。また、2024年、2025年、2026年、2027年、2028年、2029年の中国ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)市場規模を予測しています。

中国DRAM産業レポート

Mordor Intelligence™ Industry Reportsが作成した2024年中国ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)市場シェア、規模、収益成長率の統計データです。中国ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)の分析には、2024年から2029年までの市場予測展望と過去の概要が含まれます。この産業分析のサンプルを無料レポートPDFダウンロードで入手できます。

中国のダイナミック ランダム アクセス メモリ (DRAM) レポートスナップショット