アメリカズパワートランジスタ 市場規模

米州パワートランジスタ市場分析

米州のパワートランジスタ市場は、今年中に4.60%,890万米ドルとなり、予測期間終了時には28億8,010万米ドルに達すると予測され、予測期間中のCAGRは4.60％を記録する

• COVID-19は初期段階で市場に大きな影響を与えた。労働力不足はパワートランジスタの生産能力と市場成長に影響を与えた。強制封鎖のため、自動車販売台数が減少し、世界中の自動車メーカーが注文を減らした。しかし、2021年には、多くの規制がこの地域で正常化され、パワートランジスタの需要も正常に戻った。今後数年間は、パンデミックがもたらしたデジタル化のトレンドの高まりとともに、市場は再び成長すると予想される。
• 金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）や絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）などのパワートランジスタは、熱の迅速な放散に役立ち、過熱を防ぎ、二酸化炭素の排出と電気料金を最小限に抑える。これらの利点により、IGBTはさまざまな電子製品に欠かせない部品となっている。世界的な人口の増加と化石燃料の使用量の増加により、電力効率の高い電子機器に対する需要が高まっている。
• BJTよりもMOSFETの需要が高まっているのは、BJTよりも大電流での熱損失が大幅に少ないからである。同様に、MOSFETは他のデバイスよりも効率が高く、パワーエレクトロニクスにおけるMOSFETの需要を牽引している。ベンダー各社は、パワーエレクトロニクスやパワーアンプなどで使用される高出力・高周波MOSFETの導入に注力している。
• 例えば、三菱電機は2022年7月、業務用無線機のパワーアンプに使用する50Wの高出力シリコン高周波MOSFETモジュールを発売した。このシリコンRFハイパワーMOSFET（RA50H7687M1）は、700MHzの周波数帯に適した業務用無線機向けに、高い総合効率と比類のない出力を実現している。これにより、無線機の通信距離の拡大と消費電力の低減が見込まれます。
• さらに、従来の電力増幅器では電力損失が生じるため、入力または出力インピーダンス整合回路を内蔵し、出力電力性能が検証された無線周波数（RF）ハイパワーMOSFETモジュールの需要が生じている。三菱電機などの主要ベンダーは、新型MOSFETを搭載した900MHzモジュールを来年中に発売し、周波数帯域を拡大する計画だ。同社によると、763MHzから870MHz帯で50Wの出力を持ち、総合効率40％のモデルは、消費電力の削減と無線通信範囲の拡大に貢献すると予測されている。
• さらに、研究対象地域における電気自動車（EV）市場の加速に伴い、多くの自動車メーカーは現在、800V駆動システムを採用し、軽量化とコスト削減を図りながら、効率を高め、高速充電を実現し、航続距離を伸ばしている。SiCMOSFETのようなワイドバンドギャップ・デバイスは、自動車メーカーがEVパワートレインやそのような要素が重要なその他のアプリケーション向けに最先端のパワーデバイスを進化させるのに役立っている。
• 例えば、STマイクロエレクトロニクスは2022年12月、電気自動車の性能と走行距離を向上させるために設計された新しい炭化ケイ素（SiC）ハイパワー・モジュールを発表した。5つの新しいSiC-MOSFETベースのパワーモジュールは、KIA EV6といくつかのモデルで共有されるE-GMP電気自動車プラットフォームで使用されるために現代自動車によって選択された。
• さらに2022年9月、SemiQは第2世代炭化ケイ素パワースイッチである1200V 40mΩ SiC MOSFETの発売を発表し、SiCパワーデバイスのポートフォリオを拡大した。SiC MOSFETは、電気自動車や電源装置などの高性能アプリケーションに高効率をもたらし、過酷な環境でも確実に動作するよう特別に設計・テストされています。