米州フラッシュメモリ市場規模と市場規模株式分析 - 成長傾向と成長傾向予測 (2024 ~ 2029 年)

米州フラッシュメモリ市場は、タイプ別(NORフラッシュメモリ(密度別(2メガビット&レス、4メガビット&レス(2MB超)、8メガビット&レス(4MB超)、16メガビット&レス(8MB超)、32メガビット&レス(16MB超)、64メガビット&レス(32MB超)))に区分される、NANDフラッシュメモリ(密度別(128MB&LESS、512MB&LESS、2GIGABIT&LESS(1GB超)、256MB&LESS、1GIGABIT&LESS、4GIGABIT&LESS(2GB超))、エンドユーザー別(データセンター(エンタープライズ、サーバー)、自動車、モバイル&タブレット、クライアント(PC、クライアントSSD))。本レポートでは、上記のすべてのセグメントについて、金額ベースの市場規模(米ドル)を掲載しています。

米州フラッシュメモリ市場規模

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米州フラッシュメモリ市場概要
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調査期間 2019 - 2029
推定の基準年 2023
予測データ期間 2024 - 2029
歴史データ期間 2019 - 2022
CAGR 1.88 %
市場集中度 高い

主なプレーヤー

アメリカのフラッシュメモリ市場の主要企業

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米州フラッシュメモリー市場分析

フラッシュメモリ市場は、2022年に191.7億米ドルと評価され、予測期間中のCAGRは1.88%を記録し、2028年には210.4億米ドルに達すると予測されている。同地域ではハードディスクドライブに対するニーズが高まっており、製造されるさまざまな消費者向け電子製品にフラッシュメモリを搭載する需要が市場を牽引すると予想される。さらに、NANDやNORといったフラッシュメモリーデバイスの需要が、通信、自動車など複数のエンドユーザーにわたる幅広い用途に拡大することも、市場を牽引するだろう。

フラッシュ・メモリはフラッシュ・ストレージとも呼ばれ、ブロック単位でデータを消去し、バイト単位でデータを書き換える不揮発性メモリの一種である。電気を使って再プログラムしたり、消去したりすることができる。SSDのようなフラッシュ・メモリーは、その速度と信頼性からハードディスク・ドライブ(HDD)に徐々に取って代わりつつあり、米国、カナダなどの地域で市場を牽引している。

さまざまなコンシューマー・エレクトロニクス・アプリケーションにおける低コスト・ストレージ・ソリューションに対する需要の高まりが、市場成長の原動力となっている。さらに、NANDのようなフラッシュメモリーのタイプが代替品と比較して優れていることや、5GやIoTデバイスの普及が進んでいることが、市場全体の成長を促進すると予想される。

5GおよびIoTデバイスの普及拡大、テレコム産業の成長、民生用電子機器におけるメモリデバイスの採用増加などの要因により、米国が支配的な北米地域は、調査期間中に大幅な成長が見込まれている。例えば、エリクソンは、2026年までに米国で1億9500万以上の5G契約が利用可能になり、2029年までに5Gが米国モバイル市場全体の約71.5%を占めると予測している。このような要因がメモリー・デバイスの需要を押し上げるだろう。

さらに、同地域はIoTやAIなどの新興技術導入の最前線にあり続けており、これがフラッシュメモリーデバイス市場を牽引する一因となっている。CTAによると、米国ではすでに2,200万戸の家庭でIoTやスマート技術が利用され、生活を便利にしている。スマートホーム市場は、2023年までに235億米ドルの売上が見込まれている。(2021年には232億米ドル)。

フラッシュ・メモリー・ストレージは、スマートフォンの重要なコンポーネントへと進化した。フラッシュメモリーデバイスの需要は、主にスマートフォンの平均容量によって指数関数的に急増している。Consumer Technology Associationによると、2022年には1億5500万台以上のスマートフォンが米国に供給され、2021年から1%近く増加したことになる。さらに、スマートフォンの普及が進むにつれて、企業は競合他社との差別化を図るため、追加機能やアプリケーションを追加している。

フラッシュ・メモリは、データセンターや企業システムのストレージやデータ転送に広く使用されている。データセンターからクラウドまで幅広いITストレージシステムが、フラッシュメモリーデバイスの需要を牽引している。クラウド・サービスの普及とCOVID-19による経済的混乱のため、この地域におけるデータ・センターのニーズはここ2~3年で劇的に増加しており、フラッシュ・メモリ・デバイスの大きな需要を生み出すと予想される。

しかし、NORフラッシュメモリーなどフラッシュメモリーデバイスのエンドユーザー需要の増加に伴い、研究開発コストの上昇が予想される。さらに、代替品の有無も市場の課題の一つである。例えば、NORフラッシュメモリの代替品として最も一般的に使用されているのはNANDとDRAMである。しかし、密度の点では、NORフラッシュ・メモリはNANDフラッシュ・メモリと比較されることが多い。

COVID-19の発生は、中国が米国などの地域に原材料や完成品を供給する重要なサプライヤーであるため、電子機器部門に大きな影響を与えた。さらに、この期間中、著名な電子機器メーカーの売上も影響を受けた。人や物品の渡航制限が短期的には市場の成長を妨げた。

米州フラッシュメモリー市場動向

NORフラッシュはより速い成長率になると予想される

NORフラッシュはメモリの一種で、不揮発性ストレージ技術の1つである。1バイトのデータの書き込みと読み出しが必要なアプリケーションで使用される。この製品は、NANDよりも低いメモリ密度を提供し、エンドユーザー機器の消費電力を削減するように設計されている。

民生用電子機器や通信機器におけるNORフラッシュメモリの需要の高まり、データ中心のアプリケーションの出現、ストレージ容量の増加に対するニーズが、予測期間中の市場調査を推進する。さらに、ウェアラブル、民生用電子機器、その他のアプリケーションでAIが重視されるようになり、メモリサイズ要件が増加していることも、NORメモリデバイスを牽引する破壊的なトレンドとなっている。

さらに、ウェアラブルや小型IoTデバイスなどの組み込みコンピューティングデバイスでは、ごく少量の実行可能コードを格納するためにNORフラッシュメモリが頻繁に使用されるため、このようなパターンは、検討中の市場に対するこの地域の莫大な需要を浮き彫りにしている。CTAによると、米国ではすでに2,200万戸の家庭でIoTやスマート技術が利用され、生活がより便利になっている。スマートホーム市場は、2023年までに235億米ドルの収益を生み出すと予想されている。(2021年には232億米ドル)そのため、フラッシュメモリーベースのデバイスが必要とされている。

需要を満たし、市場での競争力を維持するため、この分野の主要ベンダーは、さまざまな製品の革新、買収、拡張に絶えず投資している。例えば、2022年8月、Crucial RAMブランドを所有するMicron社は、米国に最先端のメモリ生産施設を建設するため、今後10年間で400億米ドルを投資すると発表した。NORフラッシュ・デバイスの需要を促進する大きな要因のひとつは、同社が2025年以降もメモリ・チップを製造する意向である。

また、Microchip社は2022年4月、要求の厳しい航空宇宙・防衛システム向けの64MbitシリアルクアッドI/O NORフラッシュメモリデバイス、SST26LF064RTを発表しました。このCOTSメモリ技術デバイスは放射線耐性があり、50キロラッド(krads)の全電離線量(TID)環境で動作可能です。マイクロチップ社の2番目のSuperFlashデバイスは、システム開発時間、コスト、リスクを削減するように設計されています。このような進歩が市場を牽引すると期待されている。

また、この地域の産業分野も市場を大きく牽引すると予想される。ロボットでは、NORフラッシュはコード実行用の組み込みデバイスとして使用される。同地域では産業用ロボットの導入が増加しており、NORフラッシュメモリ市場は急成長が見込まれている。IFRによると、米州のロボット設置台数は2020年の34,987台から2021年には31%増の50,712台に増加する。このような要因により、様々なアプリケーションに搭載されるフラッシュメモリーデバイスのニーズが高まる。

さらに、5Gネットワークの実装が、市場のロックダウン後の拡大に拍車をかけている。CTIAによると、5Gネットワークは3億1,500万人以上の米国人をカバーし、米国の成人の3人に1人が5Gデバイスを所有しており、5Gは家庭用インターネット市場で最も急成長している。さらにGSMAは、2021年の13%から2025年には北米のモバイル加入者全体の63%を5G技術が占めるようになると予測している。このような要因も、通信分野におけるNORフラッシュメモリーデバイスの需要を押し上げるだろう。

南北アメリカのフラッシュメモリ市場2019年から2025年までの北米における5G接続数の予測(百万接続数)

自動車が市場を牽引

米州は自動車産業において重要な市場である。米国だけで生産される自動車の総数は、世界の生産台数のかなりの部分を占めている。例えば、国際自動車製造者機構(OICA)は、2021年の米国の自動車生産台数を約920万台と推定している。2021年には北米で約1,343万台の自動車が生産される。自動車生産におけるこのような大きなシェアを背景に、フラッシュメモリー市場は米国のような地域で牽引されることになる。

車載アプリケーションに使用されるフラッシュ・メモリ・デバイスの需要は着実に増加している。例えば、NORフラッシュはインフォテインメントやエンジン制御アプリケーションに使用されている。しかし、車載コンピュータ化の進展に伴い、フラッシュ・メモリ・デバイスはより幅広い車載アプリケーションで使用されるようになっている。

例えば、特にNORフラッシュ・メモリは、先進運転支援システム(ADAS)、デジタル・インストルメント・クラスター、インフォテインメント・システムで急速に需要が伸びている。近年、これらのシステムの需要を牽引している主な要因の1つは、自動車事故削減におけるADASの重要性に対する認識の高まりである。米州の多くの国では、乗用車にさまざまな種類のADASを義務付ける法律が成立している。例えば、2018年以降、カナダで販売される新車にはADAS機能のひとつであるバックアップカメラの搭載が義務付けられている。

自動運転車や自律走行車の人気の高まりは、ADAS市場の重要な成長ドライバーであり、車両へのフラッシュメモリデバイスの搭載を必要としている。さらに、大容量のNANDフラッシュメモリモジュールは、様々な車載アプリケーションやシステムに不可欠である。自律走行車や電動車両への移行と、それに伴う集中型車両アーキテクチャへの移行を成功させるためには、高性能、広帯域、安定性、安全性の高いメモリが必要です。自動車やEVの世界的な販売台数の増加に伴い、メモリー製品に対する需要も高まることが予想される。

ストレージ・デバイスは、自動車が走行する限り長持ちし、車載グレードの規格に適合することが期待されている。自動車メーカー、ティア1システム設計者、および自動車サプライチェーンのその他の重要な利害関係者は、性能、信頼性、寿命、およびセキュリティを考慮して、組み込みマルチメディアカード(eMMC)、ユニバーサルフラッシュストレージ(UFS)、およびソリッドステートドライブ(SSD)などのNANDフラッシュストレージソリューションを急速に採用しています。

例えば、Micron Technology, Inc.は2022年3月、ストレージ・ソリューションの前例のない性能を推進するために、業界をリードするイノベーションで構築された世界初の232層NANDの量産を開始したと発表した。マイクロンの232層NAND技術は、データセンターや車載アプリケーションにおける高度なソリューションやリアルタイムサービス向けの高性能ストレージを可能にする。このような進歩は、車載セグメント向けのフラッシュメモリーデバイスの需要を促進すると予想されます。

フラッシュメモリ市場は、カナダの自動車産業における先進運転支援システム(ADAS)アプリケーション、インフォテインメント/テレマティクス、クラスタ/計装によって牽引されると予想される。さらに、Canadian Manufacturers and Exportersによると、自動車と部品はカナダの2大重要製造業の1つである。さらに、次世代コネクテッド自動車や自動車安全システム向けのメモリーやストレージ・デバイスの需要増加が、市場成長の原動力となっている。

米州フラッシュメモリー市場2022年1月~2023年3月の米国中古車月次販売台数(単位:万台) - 米国のフラッシュメモリー市場

米州フラッシュメモリー産業概要

米州のフラッシュメモリ市場はかなり統合されており、少数のベンダーが市場のかなりの部分を支配している。Keysight Technologies、Rohde Schwarzなどが主要プレーヤーである。これらのベンダーは、製品投入、協業、パートナーシップなどの戦略的イニシアチブを駆使して、同地域市場での競争優位性を獲得している。

2023年3月、Western Digital WDCとKioxia Corporationは、高度なスケーリング技術とウェハボンディング技術を採用した最新の3Dフラッシュメモリ技術のリリースを発表した。この技術は、スマートフォン、IoTデバイス、データセンターなど、急激なデータ増加やデータ中心のアプリケーションに最適です。1Tbのトリプルレベルセルと4つのプレーンを持つクアッドレベルセルを活用した218層の3Dフラッシュにより、新しい3Dフラッシュメモリ技術は、ビット密度が最も高い第8世代のBiCS FLASHとなります。

2022年8月、3D NANDフラッシュおよびDRAMメモリの革新的なアーキテクチャを開発するNEO Semiconductorは、フラッシュ・メモリ・サミット2022において、最新技術であるX-DRAMのリリースを発表した。X-DRAMは、ITシステムや消費者製品に使用されるメインメモリの消費電力を低減し、性能を向上させることで、従来のDRAMを凌駕します。また、メインメモリの待ち時間を短縮し、プロセッサとメモリ間の性能差を縮めます。

米州フラッシュメモリー市場リーダー

  1. Infineon Technologies AG

  2. Micron Technology Inc.

  3. Samsung Electronics

  4. Integrated Silicon Solution Inc.

  5. NEO Semiconductor

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米州フラッシュメモリー市場集中度
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米州フラッシュメモリー市場ニュース

  • 2023年2月航空宇宙および防衛向けのミッションクリティカルなエレクトロニクスをグローバルに提供するフロントグレード社は、世界初の宇宙用途向けPEM認定3D TLC 4Tb NANDフラッシュメモリを発表した。フロントグレードのフライト・ユニットは、大容量メモリ・ストレージの需要に応えるユーザーを支援するもので、デバイスのフットプリントは132ボールJEDECで、サイズは12x18x1.4mm、重量は0.5gmである。データ・トランザクション・スループットは10Gbpsで、スペース向けNANDメモリーとしては最高性能となる見込み。
  • 2023年2月インフィニオンテクノロジーズAGは、バッテリー駆動の小型電子機器向けに最適化されたSEMPER Nano NORフラッシュメモリーを発表した。ヒアラブル、フィットネストラッカー、ヘルスモニター、GPSトラッカー、ドローンなど、ウェアラブルおよび産業用アプリケーションの登場により、より正確なトラッキング、重要な情報のロギング、ノイズキャンセリング、セキュリティの強化などが可能になります。

Table of Contents

  1. 1. 導入

    1. 1.1 研究の前提条件と市場定義

      1. 1.2 研究の範囲

      2. 2. 研究方法

        1. 3. エグゼクティブサマリー

          1. 4. 市場洞察

            1. 4.1 市場概況

              1. 4.2 サプライチェーン分析

                1. 4.3 マクロトレンド(新型コロナウイルス感染症後のシナリオ、サプライチェーンの混乱、経済的不確実性など)が市場に及ぼす影響

                  1. 4.4 業界の魅力 - ポーターのファイブフォース分析

                    1. 4.4.1 新規参入の脅威

                      1. 4.4.2 買い手/消費者の交渉力

                        1. 4.4.3 サプライヤーの交渉力

                          1. 4.4.4 代替品の脅威

                            1. 4.4.5 競争の激しさ

                          2. 5. 市場力学

                            1. 5.1 市場の推進力

                              1. 5.1.1 データセンターの需要の増大

                                1. 5.1.2 拡大するIoTのアプリケーション

                                2. 5.2 市場の制約

                                  1. 5.2.1 信頼性の問題

                                3. 6. 市場セグメンテーション

                                  1. 6.1 タイプ別

                                    1. 6.1.1 NANDフラッシュメモリ

                                      1. 6.1.1.1 密度別

                                        1. 6.1.1.1.1 128MB以下

                                          1. 6.1.1.1.2 512MB以下

                                            1. 6.1.1.1.3 2ギガビット以下(1GB以上)

                                              1. 6.1.1.1.4 256MB以下

                                                1. 6.1.1.1.5 1ギガビット以下

                                                  1. 6.1.1.1.6 4ギガビット以下(2GB以上)

                                                2. 6.1.2 NORフラッシュメモリ

                                                  1. 6.1.2.1 密度別

                                                    1. 6.1.2.1.1 2メガビット以下

                                                      1. 6.1.2.1.2 4メガビット以下(2MB以上)

                                                        1. 6.1.2.1.3 8メガビット以下(4MB以上)

                                                          1. 6.1.2.1.4 16メガビット以下(8MB以上)

                                                            1. 6.1.2.1.5 32メガビット以下(16MB以上)

                                                              1. 6.1.2.1.6 64メガビット以下(32MB以上)

                                                          2. 6.2 エンドユーザー別

                                                            1. 6.2.1 データセンター (エンタープライズおよびサーバー)

                                                              1. 6.2.2 自動車

                                                                1. 6.2.3 モバイルとタブレット

                                                                  1. 6.2.4 クライアント(PC、クライアントSSD)

                                                                    1. 6.2.5 その他のエンドユーザー アプリケーション

                                                                  2. 7. 競争環境

                                                                    1. 7.1 会社概要

                                                                      1. 7.1.1 Infineon Technologies AG

                                                                        1. 7.1.2 Micron Technology Inc.

                                                                          1. 7.1.3 Samsung Electronics

                                                                            1. 7.1.4 Kioxia Corporation

                                                                              1. 7.1.5 Western Digital Corporation

                                                                                1. 7.1.6 Intel Corporation

                                                                                  1. 7.1.7 Microchip Technology Inc.

                                                                                    1. 7.1.8 Integrated Silicon Solution Inc.

                                                                                      1. 7.1.9 NEO Semiconductor

                                                                                        1. 7.1.10 Intel Corporation

                                                                                          1. 7.1.11 Western Digital Corporation

                                                                                        2. 8. ベンダーの市場シェア

                                                                                          1. 9. 投資分析

                                                                                            1. 10. 市場機会と将来のトレンド

                                                                                              bookmark このレポートの一部を購入できます。特定のセクションの価格を確認してください
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                                                                                              米州フラッシュメモリー産業セグメント

                                                                                              フラッシュ・メモリーは、電気的に消去・再プログラムが可能な不揮発性の電子コンピューター・メモリー記憶媒体である。フラッシュ・メモリは、データやコードを保存するために組み込みシステムで広く使用されている。従来のハードディスク・ドライブとは異なり、フラッシュ・メモリは電源を切った後でもデータを保存できる。NORフラッシュとNANDフラッシュは、フラッシュ・メモリの2つの主要なタイプです。どちらもフローティング・ゲートで構成される同じセル設計を採用している。この市場調査は、フラッシュメモリの金額と数量で構成されている。

                                                                                              米州フラッシュメモリー市場は、タイプ別(NORフラッシュメモリー(密度別)(2メガビット&レス、4メガビット&レス(2MB超)、8メガビット&レス(4MB超)、16メガビット&レス(8MB超)、32メガビット&レス(16MB超)、64メガビット&レス(32MB超))に区分される。LESS(32MB超))、NANDフラッシュメモリ(密度別(128MB&LESS、512MB&LESS、2GIGABIT&LESS(1GB超)、256MB&LESS、1GIGABIT&LESS、4GIGABIT&LESS(2GB超)))、エンドユーザー別(データセンター(エンタープライズ、サーバー)、自動車、モバイル&タブレット、クライアント(PC、クライアントSSD)))。本レポートでは、上記のすべてのセグメントについて、金額ベースの市場規模(米ドル)を掲載しています。

                                                                                              タイプ別
                                                                                              NANDフラッシュメモリ
                                                                                              密度別
                                                                                              128MB以下
                                                                                              512MB以下
                                                                                              2ギガビット以下(1GB以上)
                                                                                              256MB以下
                                                                                              1ギガビット以下
                                                                                              4ギガビット以下(2GB以上)
                                                                                              NORフラッシュメモリ
                                                                                              密度別
                                                                                              2メガビット以下
                                                                                              4メガビット以下(2MB以上)
                                                                                              8メガビット以下(4MB以上)
                                                                                              16メガビット以下(8MB以上)
                                                                                              32メガビット以下(16MB以上)
                                                                                              64メガビット以下(32MB以上)
                                                                                              エンドユーザー別
                                                                                              データセンター (エンタープライズおよびサーバー)
                                                                                              自動車
                                                                                              モバイルとタブレット
                                                                                              クライアント(PC、クライアントSSD)
                                                                                              その他のエンドユーザー アプリケーション
                                                                                              customize-icon 異なるエリアやエリアが必要ですか?
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                                                                                              アメリカのフラッシュメモリ市場は、予測期間(1.88%年から2029年)中に1.88%のCAGRを記録すると予測されています

                                                                                              Infineon Technologies AG、Micron Technology Inc.、Samsung Electronics、Integrated Silicon Solution Inc.、NEO Semiconductorは、アメリカのフラッシュメモリ市場で活動している主要企業です。

                                                                                              このレポートは、2019年、2020年、2021年、2022年、2023年のアメリカ大陸のフラッシュメモリ市場の歴史的市場規模をカバーしています。また、レポートは、2024年、2025年、2026年、2027年、2028年、2029年のアメリカ大陸のフラッシュメモリ市場規模も予測します。

                                                                                              Americas Flash Memory Industry Report

                                                                                              Mordor Intelligence™ Industry Reports が作成した、2024 年のアメリカ大陸フラッシュ メモリ市場シェア、規模、収益成長率の統計。アメリカのフラッシュメモリ分析には、2024年から2029年までの市場予測見通しと過去の概要が含まれます。得る この業界分析のサンプルを無料のレポート PDF としてダウンロードできます。

                                                                                              close-icon
                                                                                              80% のお客様がオーダーメイドのレポートを求めています。 あなたのものをどのように調整したいですか?

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