Semi-conducteur de puissance en carbure de silicium Taille du Marché

Analyse du marché des semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium

La taille du marché des semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium est estimée à 2,18 milliards USD en 2024 et devrait atteindre 6,73 milliards USD dici 2029, avec une croissance de 25,24 % au cours de la période de prévision (2024-2029)

Lépidémie de pandémie a créé des troubles économiques pour les petites, moyennes et grandes industries du monde entier. Ajoutant à ces malheurs, le confinement à l'échelle nationale infligé par les gouvernements du monde entier (pour minimiser la propagation du virus) a en outre entraîné des répercussions sur les industries et une perturbation de la chaîne d'approvisionnement et des opérations de fabrication à travers le monde, car une grande partie de la fabrication comprend le travail en usine, où les gens sont en contact étroit et collaborent pour augmenter la productivité

• Le SiC (carbure de silicium) est utilisé pour les applications à haute puissance en raison de la large bande interdite offerte. Bien qu'il existe divers polytypes (polymorphes) de SiC, le 4H-SiC est le plus idéal pour les dispositifs de puissance. Laugmentation des activités de RD ciblant des capacités matérielles améliorées devrait donner une forte impulsion à la croissance du marché. Par exemple, l'Advanced Research Projects AgencyEnergy (ARPA-E) du Département de l'énergie des États-Unis (DOE) a annoncé un financement de 30 millions de dollars pour 21 projets dans le cadre du programme de création de circuits innovants et fiables utilisant des topologies et des semi-conducteurs inventifs (CIRCUITS).. En outre, des initiatives telles que l'investissement du DOE américain dans la recherche menée par le NREL dans le but de réduire les coûts de fabrication de l'électronique de puissance SiC pourraient soutenir davantage ces tendances et élargir la portée de dispositifs basés sur SiC plus robustes.
• Les véhicules électriques offrent certains avantages au sein de lindustrie automobile, tels quune autonomie, un temps de charge et des performances accrus, pour répondre aux attentes des clients. Cependant, ils nécessitent des dispositifs électroniques de puissance capables de fonctionner efficacement à des températures élevées. Par conséquent, les modules de puissance sont développés à laide de technologies SiC à large bande interdite.
• Les voitures électriques sont de plus en plus courantes sur les routes de nos jours, avec des prix en baisse et une autonomie en augmentation. Selon le rapport Global EV Outlook 2021 de l'Agence internationale de l'énergie, plus de 10,2 millions de voitures particulières électriques légères étaient en circulation en 2020. De plus, les immatriculations de voitures électriques ont augmenté de 41 % en 2020, ce qui crée des opportunités de croissance pour le marché.
• Les semi-conducteurs utilisent également le SiC pour réduire les pertes dénergie et prolonger la durée de vie des convertisseurs dénergie solaire et éolienne. Par exemple, lénergie photovoltaïque nécessite principalement une puissance élevée, de faibles pertes, une commutation plus rapide et des dispositifs semi-conducteurs fiables pour augmenter lefficacité, la densité de puissance et la fiabilité. Ainsi, les dispositifs SiC offrent une solution prometteuse aux besoins en énergie photovoltaïque pour répondre à la demande croissante en énergie.
• Pour exploiter le potentiel apporté par la demande de technologies propres, plusieurs acteurs se lancent sur le marché des semi-conducteurs de puissance SiC. Par exemple, en avril 2021, NoMIS Power Group, une spin-off de l'Institut polytechnique de l'Université d'État de New York (SUNY Poly), a annoncé son intention de concevoir, fabriquer et vendre des dispositifs, modules et services à semi-conducteurs de puissance SiC pour fournir support aux développeurs de produits de gestion de lénergie.
• De plus, la capacité et l'inductance parasites deviennent trop importantes dès que des fréquences élevées sont utilisées, empêchant le dispositif de puissance basé sur SiC de réaliser son plein potentiel. À cet égard, lutilisation généralisée du SiC pourrait nécessiter une mise à jour des installations de fabrication, ce qui ne peut être réalisé au rythme actuel de développement.