Semi-conducteur de puissance en carbure de silicium Part de marché

Part de marché de Semi-conducteur de puissance en carbure de silicium Industrie

Le marché des semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium est très concurrentiel. Elle se compose de plusieurs acteurs importants, dont Infineon Technologies AG, Texas Instruments Inc., ST Microelectronics NV, Hitachi Power Semiconductor Device Ltd, NXP Semiconductor, Fuji Electric Co. Ltd, Semikron International GmbH, Cree Inc., ON Semiconductor Corporation, Mitsubishi Electric. Société et autres. Ces entreprises lancent de nouveaux produits, des partenariats et des acquisitions pour augmenter leur part de marché

• Juin 2021 - Hitachi, une entreprise japonaise d'électronique, a annoncé son intention d'étendre sa présence existante à Hillsboro en construisant un grand laboratoire de recherche sur les semi-conducteurs pour coopérer avec des clients fabricants aux États-Unis afin de créer de nouvelles technologies.
• Avril 2021 - Infineon Technologies AG a lancé un nouveau module EasyPACK 2B pour sa gamme de produits 1 200 V. Le module offre une topologie Active NPC (ANPC) à trois niveaux, comprenant des MOSFET CoolSiC, des dispositifs TRENCHSTOP IGBT7, un capteur de température NTC et des broches de technologie de contact PressFIT.

Leaders du marché des semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium

1. Infineon technologies AG

2. Texas instruments Inc.

3. STMicroelectronics NV

4. NXP semiconductor

5. ON Semiconductor Corporation

*Avis de non-responsabilité : les principaux acteurs sont triés sans ordre particulier