Analyse de la taille et de la part du marché des semi-conducteurs de puissance RF – Tendances de croissance et prévisions (2024-2029)

Le marché des semi-conducteurs de puissance RF est segmenté par technologie (LDMOS, GaAs et GaN), application (infrastructure de télécommunications et aérospatiale et défense) et géographie.

Analyse de la taille et de la part du marché des semi-conducteurs de puissance RF – Tendances de croissance et prévisions (2024-2029)

Taille du marché des semi-conducteurs de puissance RF

Période d'étude 2019 - 2029
Année de Base Pour l'Estimation 2023
CAGR 13.25 %
Marché à la Croissance la Plus Rapide Asie-Pacifique
Plus Grand Marché Asie-Pacifique
Concentration du Marché Haut

Acteurs majeurs

*Avis de non-responsabilité : les principaux acteurs sont triés sans ordre particulier

Analyse du marché des semi-conducteurs de puissance RF

Le marché des semi-conducteurs de puissance RF devrait enregistrer un TCAC de 13,25 % au cours de la période de prévision (2021-2026). Ladoption croissante des semi-conducteurs de puissance RF dans les smartphones et lutilisation de la 5G sont lun des principaux facteurs augmentant la demande. Avec le besoin croissant de débits de données plus élevés et dune plus grande efficacité spectrale, la demande dInternet haut débit mobile à haut débit augmente. Cela a conduit à la mise en œuvre du LTE, qui devrait en outre stimuler lexpansion du marché de lénergie RF.

  • L'adoption croissante de solutions de gestion efficaces dans le secteur de l'énergie attire également de nombreux fournisseurs vers des produits innovants axés sur le secteur. Cela élargit encore le champ dapplication des dispositifs à semi-conducteurs de puissance RF. Par exemple, Cadence Design Systems, Inc. a annoncé avoir amélioré la solution Cadence Voltus IC Power Integrity avec une option d'algorithme largement parallèle (XP) utilisant une technologie de traitement distribué pour l'approbation du réseau électrique au niveau des technologies de processus de nœuds avancés.
  • La tendance croissante à la numérisation et laugmentation des projets de villes intelligentes dans divers pays du monde créent également des opportunités potentielles pour la croissance du marché des semi-conducteurs de puissance RF. Lutilisation accrue de dispositifs de puissance RF dans diverses applications déclairage stimule également la croissance du marché mondial de la puissance RF.
  • Cependant, les problèmes liés au coût élevé de lénergie RF en raison de lamélioration des performances devraient remettre en cause la croissance du marché. Par exemple, en octobre 2018, Cree, Inc. a annoncé avoir signé un accord stratégique à long terme pour produire et fournir ses tranches de carbure de silicium Wolfspeed à l'un des principaux fabricants mondiaux de dispositifs électriques.

Aperçu du marché des semi-conducteurs de puissance RF

Le marché des semi-conducteurs de puissance RF est consolidé. Une part de marché importante est occupée par les principaux acteurs du marché. De plus, le coût de fabrication des semi-conducteurs de puissance RF est élevé, ce qui rend difficile lentrée du nouvel acteur sur le marché. Certains des principaux acteurs incluent Analog DevicesInc., Aethercomm Inc., CreeInc., Mitsubishi Electric Corporation, NXP Semiconductors NV, Qorvo Inc., STMicroelectronics NV, entre autres.

  • Juin 2019 -NXP Semiconductors NV a dévoilé l'un des portefeuilles de solutions RF les plus intégrés du secteur pour les infrastructures cellulaires 5G et les marchés industriels et commerciaux. S'appuyant sur son solide héritage, sa RD révolutionnaire, sa fabrication de classe mondiale et sa présence mondiale, la suite complète de solutions de NXP dépasse les demandes actuelles d'amplification de puissance RF 5G pour les stations de base - du MIMO aux systèmes d'antennes actives massives basés sur MIMO pour les cellules cellulaires et les ondes millimétriques (mmWave). ) bandes de spectre.
  • Mai 2019 - Dans le cadre de sa stratégie de croissance à long terme, Cree, Inc. a annoncé qu'il investira jusqu'à 1 milliard USD dans l'expansion de sa capacité de production de carbure de silicium avec le développement d'une machine automatisée de pointe en carbure de silicium de 200 mm. Il s'agit du plus gros investissement de l'entreprise à ce jour pour alimenter ses activités de carbure de silicium Wolfspeed et de GaN sur le carbure de silicium. Une fois achevées en 2024, les installations augmenteront considérablement la capacité de l'entreprise en matière de matériaux en carbure de silicium et de fabrication de plaquettes, permettant ainsi des solutions de semi-conducteurs à large bande interdite qui permettent les changements technologiques spectaculaires en cours dans les marchés de l'automobile, des infrastructures de communication et de l'industrie.

Leaders du marché des semi-conducteurs de puissance RF

  1. Cree Inc.

  2. Mitsubishi Electric Corporation

  3. NXP Semiconductors NV

  4. Qualcomm Inc.

  5. Analog Devices Inc.

  6. *Avis de non-responsabilité : les principaux acteurs sont triés sans ordre particulier
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Rapport sur le marché des semi-conducteurs de puissance RF – Table des matières

1. INTRODUCTION

  • 1.1 Livrables de l’étude
  • 1.2 Hypothèses de l'étude
  • 1.3 Portée de l'étude

2. MÉTHODOLOGIE DE RECHERCHE

3. RÉSUMÉ EXÉCUTIF

4. DYNAMIQUE DU MARCHÉ

  • 4.1 Aperçu du marché
  • 4.2 Facteurs de marché
    • 4.2.1 Utilisation croissante des smartphones
    • 4.2.2 Transition croissante vers la 5G et la mise en œuvre de l’évolution à long terme (LTE)
  • 4.3 Restrictions du marché
    • 4.3.1 Coût élevé de la puissance RF
  • 4.4 Analyse de la chaîne de valeur de l'industrie
  • 4.5 Attractivité de l'industrie - Analyse des cinq forces de Porter
    • 4.5.1 Pouvoir de négociation des fournisseurs
    • 4.5.2 Pouvoir de négociation des acheteurs/consommateurs
    • 4.5.3 La menace de nouveaux participants
    • 4.5.4 Menace des produits de substitution
    • 4.5.5 Intensité de la rivalité concurrentielle

5. SEGMENTATION DU MARCHÉ

  • 5.1 Par technologie
    • 5.1.1 LDMOS
    • 5.1.2 GaAs
    • 5.1.3 GaN
  • 5.2 Par candidature
    • 5.2.1 Infrastructure de télécommunications
    • 5.2.2 Aéronautique et Défense
    • 5.2.3 Haut débit filaire
    • 5.2.4 Communication par satellite
    • 5.2.5 Énergie RF (automobile)
    • 5.2.6 Autres applications
  • 5.3 Géographie
    • 5.3.1 Amérique du Nord
    • 5.3.1.1 États-Unis
    • 5.3.1.2 Canada
    • 5.3.2 L'Europe
    • 5.3.2.1 Royaume-Uni
    • 5.3.2.2 Allemagne
    • 5.3.2.3 France
    • 5.3.2.4 Le reste de l'Europe
    • 5.3.3 Asie-Pacifique
    • 5.3.3.1 Chine
    • 5.3.3.2 Inde
    • 5.3.3.3 Corée du Sud
    • 5.3.3.4 Japon
    • 5.3.3.5 Reste de l'Asie-Pacifique
    • 5.3.4 Reste du monde
    • 5.3.4.1 l'Amérique latine
    • 5.3.4.2 Moyen-Orient et Afrique

6. PAYSAGE CONCURRENTIEL

  • 6.1 Profils d'entreprise
    • 6.1.1 Aethercomm Inc.
    • 6.1.2 Analog Devices Inc.
    • 6.1.3 Cree Inc.
    • 6.1.4 M/A-COM Technology Solutions Holdings Inc.
    • 6.1.5 Mitsubishi Electric Corporation
    • 6.1.6 NXP Semiconductors NV
    • 6.1.7 Qorvo Inc.
    • 6.1.8 Qualcomm Inc.
    • 6.1.9 Murata Manufacturing Co. Ltd
    • 6.1.10 STMicroelectronics NV
    • 6.1.11 Toshiba Corporation

7. ANALYSE D'INVESTISSEMENT

8. OPPORTUNITÉS DE MARCHÉ ET TENDANCES FUTURES

** Sous réserve de disponibilité.
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Segmentation de lindustrie des semi-conducteurs de puissance RF

Un semi-conducteur de puissance radiofréquence est un dispositif qui peut être utilisé comme commutateur ou redresseur en électronique de puissance. Le semi-conducteur de puissance RF est conçu pour fonctionner dans le spectre des fréquences radio, qui va d'environ 3 KHz à 300 GHz. Selon les différentes applications, le semi-conducteur de puissance RF peut être utilisé dans différentes technologies.

Par technologie LDMOS
GaAs
GaN
Par candidature Infrastructure de télécommunications
Aéronautique et Défense
Haut débit filaire
Communication par satellite
Énergie RF (automobile)
Autres applications
Géographie Amérique du Nord États-Unis
Canada
L'Europe Royaume-Uni
Allemagne
France
Le reste de l'Europe
Asie-Pacifique Chine
Inde
Corée du Sud
Japon
Reste de l'Asie-Pacifique
Reste du monde l'Amérique latine
Moyen-Orient et Afrique
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FAQ sur les études de marché sur les semi-conducteurs de puissance RF

Quelle est la taille actuelle du marché des semi-conducteurs de puissance RF ?

Le marché des semi-conducteurs de puissance RF devrait enregistrer un TCAC de 13,25 % au cours de la période de prévision (2024-2029)

Qui sont les principaux acteurs du marché des semi-conducteurs de puissance RF ?

Cree Inc., Mitsubishi Electric Corporation, NXP Semiconductors NV, Qualcomm Inc., Analog Devices Inc. sont les principales sociétés opérant sur le marché des semi-conducteurs de puissance RF.

Quelle est la région qui connaît la croissance la plus rapide sur le marché des semi-conducteurs de puissance RF ?

On estime que lAsie-Pacifique connaîtra la croissance du TCAC le plus élevé au cours de la période de prévision (2024-2029).

Quelle région détient la plus grande part du marché des semi-conducteurs de puissance RF ?

En 2024, la région Asie-Pacifique représente la plus grande part de marché sur le marché des semi-conducteurs de puissance RF.

Quelles années couvre ce marché des semi-conducteurs de puissance RF ?

Le rapport couvre la taille historique du marché des semi-conducteurs de puissance RF pour les années  2019, 2020, 2021, 2022 et 2023. Le rapport prévoit également la taille du marché des semi-conducteurs de puissance RF pour les années  2024, 2025, 2026, 2027, 2028 et 2029.

Rapport sur l'industrie des semi-conducteurs de puissance RF

Statistiques sur la part de marché, la taille et le taux de croissance des revenus des semi-conducteurs de puissance RF 2024, créées par Mordor Intelligence™ Industry Reports. Lanalyse des semi-conducteurs de puissance RF comprend des perspectives de prévision du marché jusquen 2029 et un aperçu historique. Obtenez un échantillon de cette analyse de lindustrie sous forme de rapport PDF gratuit à télécharger.

Semi-conducteur de puissance RF Instantanés du rapport