Part de marché de GaN RF Industrie
La rivalité concurrentielle entre les acteurs du marché RF GaN est élevée en raison de la présence de certains acteurs clés tels que Raytheon Technologies, STM microelectronics, entre autres. Leur capacité à innover continuellement dans leurs offres leur a permis dacquérir un avantage concurrentiel sur les autres acteurs. Grâce à la recherche et au développement, aux partenariats stratégiques et aux fusions et acquisitions, ces acteurs ont pu simplanter solidement sur le marché
En juin 2022, Qorvo, un important fournisseur de solutions RF innovantes qui connectent le monde, a été sélectionné par le Département américain de la Défense (DoD) pour procéder au projet Advanced Integration Interconnection and Fabrication Growth for Domestic State-of-the-Art (SOTA). ) Programme RF GaN, également connu sous le nom de STARRY NITE, dans le cadre de la feuille de route de la microélectronique du Bureau du sous-secrétaire à la recherche et à l'ingénierie de la défense (OUSD RE). Le programme vise à développer et à faire évoluer les fonderies nationales ouvertes SOTA RF GaN en alignement avec l'écosystème d'emballage avancé du DoD
En mai 2022, STMicroelectronics et MACOM Technology Solutions Holdings Inc., un important fournisseur de produits semi-conducteurs destinés aux secteurs de l'industrie, des télécommunications, de la défense et des centres de données, ont annoncé la production réussie de prototypes RF Gan sur silicium (RF Gan-on-Si).. Grâce à cette réalisation, ST et MACOM continueront à travailler ensemble et à renforcer leurs relations
Leaders du marché du nitrure de gallium radiofréquence
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Mitsubishi Electric Corporation
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STMicroelectronics NV
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Qorvo Inc.
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Analog Devices Inc.
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Raytheon Technologies
*Avis de non-responsabilité : les principaux acteurs sont triés sans ordre particulier
