RAM résistive Taille du Marché

Analyse du marché de la mémoire vive résistive (RAM)

Le marché de la RAM résistive devrait enregistrer un TCAC de 29,9 % au cours de la période de prévision. La RAM résistive, une mémoire non volatile, devrait conquérir une part de marché en remplaçant la mémoire vive statique et la mémoire vive dynamique. Le remplacement sera possible grâce aux nombreux avantages offerts par la mémoire vive résistive, tels qu'une grande densité de stockage et un emballage 3D, permettant aux couches de gadgets de mémoire d'être coordonnées et organisées dans une seule puce, une commutation rapide pour un échange rapide d'informations et l'utilisation moins d'énergie par cycle de commutation. ReRAM peut également remplacer la mémoire flash utilisée dans les téléphones mobiles et autres appareils électroniques grand public tels que les lecteurs MP3

• En outre, l'adoption croissante de technologies de capteurs, telles que les appareils portables et compatibles avec l'IA dans diverses régions du monde, a stimulé la demande de transferts de données rapides et de densité de stockage élevée, ce qui, à son tour, offre une formidable opportunité de croissance. du marché mondial des mémoires vives résistives.
• De plus, diverses sociétés de mémoire multiples investissent dans la technologie ReRAM. Par exemple, en avril de l'année dernière, CrossBar Inc., un fournisseur de technologie de mémoire non volatile, a annoncé de nouvelles applications de sa technologie ReRAM pour une utilisation dans le stockage et le traitement sécurisés, où la résistance à l'ingénierie inverse et aux attaques physiques est une exigence essentielle du système.. La technologie de la société est désormais proposée pour une utilisation dans des applications de mémoire nécessitant des niveaux plus élevés de sécurité du contenu.
• La mémoire vive résistive (ReRAM) gagne du terrain en tant qu'alternative à la mémoire non volatile (NVM), en particulier dans les contextes de cloud et de centres de données où les performances et l'efficacité énergétique s'améliorent constamment. La technologie ReRAM a démontré une latence de lecture plus faible et une écriture de version plus rapide que les mémoires flash, tout en atteignant également une énergie de programme de 64pJ/cellule, soit une amélioration de 20 % par rapport à la NAND, à mesure que la demande de données augmente de la part des utilisateurs via des services haut de gamme tels que le streaming vidéo et des machines. grâce à l'Internet des objets (IoT). De plus, les baies ReRAM verticales 3D fournissent des sous-systèmes de mémoire hautes performances capables de remplacer les SSD standard DRAM ou Flash dans les environnements de centres de données, permettant un traitement, un stockage et une récupération plus rapides des données dans des formats nettement plus petits avec une consommation d'énergie inférieure.
• Cependant, la flambée des coûts de la mémoire vive résistive et la complexité des diverses applications technologiques sont devenues des défis cruciaux qui peuvent entraver la croissance du marché tout au long de la période de prévision.
• De plus, la pandémie de COVID-19 entrave probablement la croissance globale prévue du marché, principalement attribuée à la perturbation de la chaîne dapprovisionnement, plusieurs entreprises étant témoins dune pénurie de composants tels que des inductances et des condensateurs pour la fabrication. Mais au cours des années suivantes, linnovation et la mise en œuvre de nouveaux matériaux devraient stimuler la demande de mémoire vive résistive dans divers secteurs verticaux à travers le monde.