Part de marché de Dispositifs semi-conducteurs GaN Industrie
Le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN est intrinsèquement compétitif. Certains des acteurs importants du marché sont Toshiba Electronic Devices Storage Corporation, GaN Systems, Infineon Technologies AG, Efficient Power Conversion Corporation, NXP Semiconductors et bien dautres. Les entreprises augmentent leur part de marché en formant de multiples partenariats et en investissant dans l'introduction de nouveaux produits pour acquérir un avantage concurrentiel au cours de la période de prévision
En juillet 2022, GaN Systems s'est associé à PowerSphyr Advance pour proposer des solutions d'alimentation sans fil complètes. Les sociétés ont annoncé leur partenariat pour fournir un portefeuille inédit de solutions d'alimentation sans fil de bout en bout (30 watts, 100 watts et 500 watts) pour les applications industrielles et automobiles à l'échelle mondiale. Le partenariat combine les semi-conducteurs GaN de pointe de GaN Systems avec les années d'expertise de PowerSphyr en matière de technologie de l'énergie. Par exemple, PowerSphyr implémente les semi-conducteurs de puissance des systèmes GaN sur le récepteur de la solution de recharge sans fil en plus de l'émetteur. Cette combinaison change la donne en fournissant des solutions de recharge hautes performances, faciles à utiliser et entièrement sans fil
En juillet 2022, Infineon Technologies AG a collaboré avec Delta Electronics sur des solutions d'alimentation pour serveurs et PC de jeu basées sur WBG afin de fournir des solutions supérieures aux clients finaux. Les derniers exemples de coopération incluent la plate-forme de puissance de jeu Titanium de 1,6 kW de Delta et une alimentation de serveur de 1,4 kW. L'alimentation du serveur de 1,4 kilowatts exploite la technologie CoolSiC MOSFET d'Infineon Technology et la compétence de Delta en matière d'électronique de puissance depuis plusieurs décennies pour atteindre un rendement de 96 %. Un autre exemple d'efficacité la plus élevée est la plate-forme de puissance de jeu de 1,6 kW alimentée par la technologie CoolGaN d'Infineon, complétée par les circuits intégrés de commande de grille EiceDRIVER. Cette conception a un rendement allant jusqu'à 96 % avec une entrée large plage et des sorties multiples, et répond à la norme Titanium dans le domaine industriel. Ce HEMT en mode électronique de 600 volts, adapté dans une topologie PFC à mâts totémiques entrelacés, est rendu possible par CoolGaN GIT d'Infineon
Leaders du marché des dispositifs semi-conducteurs en nitrure de gallium (GaN)
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GaN Systems
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Infineon Technologies AG
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Efficient Power Conversion Corporation
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Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
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NXP Semiconductors
*Avis de non-responsabilité : les principaux acteurs sont triés sans ordre particulier
