Taille du marché des dispositifs semi-conducteurs en nitrure de gallium (GaN)
| Période d'étude | 2021 - 2029 |
| Année de Base Pour l'Estimation | 2023 |
| TCAC | 17.21 % |
| Marché à la Croissance la Plus Rapide | Asie-Pacifique |
| Plus Grand Marché | Amérique du Nord |
| Concentration du marché | Faible |
Acteurs majeurs
*Avis de non-responsabilité : les principaux acteurs sont triés sans ordre particulier |
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Analyse du marché des dispositifs semi-conducteurs en nitrure de gallium (GaN)
Le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN devrait enregistrer un TCAC de 17,21 % au cours de la période de prévision. Le GaN (nitrure de gallium) crée un virage innovant dans lensemble du secteur de lélectronique de puissance. Depuis des décennies, les transistors à effet de champ à semi-conducteurs à oxyde métallique (MOSFET) à base de silicium font partie intégrante du monde moderne quotidien et aident à convertir l'énergie en énergie. Le GaN remplace le silicium comme épine dorsale de la technologie de commutation de puissance, car il peut répondre aux besoins croissants avec de meilleures performances, efficacité et coût du système.
- Le GaN est utilisé pour produire des dispositifs de puissance à semi-conducteurs, des composants RF et des diodes électroluminescentes (DEL). Cela a perturbé la technologie des semi-conducteurs en silicium utilisés dans les applications RF, de conversion de puissance et analogiques. Laugmentation des dépenses en semi-conducteurs a un impact positif sur la croissance du marché considéré.
- En outre, le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN est stimulé par le besoin croissant de radiofréquences sur le marché des semi-conducteurs, la croissance de l'industrie de l'électronique grand public, en particulier dans l'éclairage et les écrans à LED, et l'essor des véhicules électriques, de la fourniture d'énergie, et onduleurs photovoltaïques.
- De plus, le GaN offre une rentabilité et élimine les besoins de refroidissement par rapport au silicium et à l'arséniure de gallium. De plus, le coût de production d'un dispositif GaN est bien inférieur au coût de production d'un dispositif MOSFET, car les dispositifs GaN sont fabriqués à l'aide de procédures standard de fabrication de silicium dans les mêmes usines où sont fabriqués les semi-conducteurs traditionnels en silicium, et comme les dispositifs GaN sont beaucoup plus petit pour les mêmes performances fonctionnelles.
- Les fabricants de dispositifs semi-conducteurs intègrent un nombre croissant de composants passifs par circuit, ce qui entraîne une complexité accrue de la conception des circuits et des limitations d'accès physique. Cela nécessiterait une configuration importante utilisant des masques sans erreur pour transférer le motif sur des tranches sans aucune erreur ni défaut. Par conséquent, le besoin pressant des équipementiers daméliorer les performances des appareils est le moteur du marché étudié.
- De plus, avec le développement croissant des matériaux à large bande interdite (WBG), les fournisseurs du marché sont incités à fabriquer des produits pour les petits marchés sans compromettre les performances. Le GaN présente des défis uniques pour les composants passifs essentiels utilisés dans les circuits de conversion de puissance et de commande de moteur afin de suivre le rythme des innovations dans le processus des semi-conducteurs.
- La pandémie de COVID-19 a entraîné dénormes perturbations dans les chaînes dapprovisionnement dans tous les secteurs à léchelle mondiale, à cause desquelles de nombreuses entreprises dans le monde ont interrompu ou réduit leurs opérations pour lutter contre la propagation du virus. La pandémie a eu un impact sur le marché étudié, entraînant une baisse des niveaux dexploitation tout au long de la production de matières premières et de la chaîne dapprovisionnement pour la production de composants. Cela indique une baisse des ventes entre divers pays et régions.
Tendances du marché des dispositifs semi-conducteurs en nitrure de gallium (GaN)
Lélectronique grand public détiendra une part de marché importante
- Un avantage significatif de la capacité de fréquence de commutation plus élevée est que la valeur, et donc la taille correspondante, des condensateurs et des inductances doit être considérablement plus petite. Associés aux exigences de dispositif GaN à plus faible encombrement, des composants passifs plus petits entraînent une taille globale nettement plus petite d'un convertisseur ou d'un variateur. De faibles pertes de conduction (Rds-on) entraînent une moindre dissipation thermique, nécessitant une gestion thermique. Cela rend la solution plus économe en énergie et réduit encore la taille globale du système.
- Dans lensemble des secteurs dutilisation finale, le segment de lélectronique grand public connaît une demande importante de dispositifs à semi-conducteurs GaN en raison de la demande croissante de smartphones, dappareils de jeux, dordinateurs portables et de téléviseurs. Selon une étude de la Consumer Technology Association, entre 2020 et 2021, lindustrie de lélectronique grand public aux États-Unis devrait croître de 4,3 %. Cependant, en raison de l'impact de la pandémie de COVID-19, le marché américain des technologies grand public a connu une baisse de 2,2 % en 2020. Ce marché devrait se redresser en 2021, sous réserve de la situation post-pandémique.
- Selon MeitY (Inde), au cours de lexercice 2021, la valeur globale estimée de la production de lindustrie électronique était supérieure à 5500 milliards INR (66,45 milliards USD). La production de téléphones mobiles était le secteur le plus précieux, avec une valeur de production estimée à 2200 milliards INR (26,58 milliards USD). Les autres secteurs très valorisés étaient les composants électroniques, lélectronique grand public et lélectronique industrielle.
- Le GaN est un nouveau semi-conducteur de production qui devrait remplacer le silicium dans de nombreuses applications dans les années à venir, et le chargement des batteries est le premier marché à volume élevé à démontrer une telle adoption. Le GaN (nitrure de gallium) présente des performances supérieures à celles du silicium à des tensions, des températures et des fréquences de commutation très élevées, permettant ainsi une efficacité énergétique nettement supérieure. Avec de nombreux chargeurs et adaptateurs GaN allant de 27 W à 300 W en production de masse, alimentant tout, des téléphones mobiles aux drones, le marché des chargeurs mobiles est sur le point de changer radicalement.
- De plus, les progrès technologiques, tels que les normes 5G, stimulent la demande de transistors et de stations de base de haute puissance, augmentant ainsi la demande de semi-conducteurs de puissance GaN dans le segment de l'électronique grand public. De nombreux fournisseurs travaillent ensemble et forment des partenariats avec des industries qui utilisent leurs produits, comme l'électronique grand public, pour accroître leur part de marché.
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LAmérique du Nord connaîtra une croissance significative
- Récemment, la région nord-américaine a été la principale à adopter les nouvelles technologies de conception, de fabrication et de recherche de l'industrie des semi-conducteurs. La croissance du marché RF GaN en Amérique du Nord est fortement corrélée au développement dindustries dutilisateurs finaux telles que les télécommunications, laérospatiale et la défense, lélectronique grand public, etc.
- En février 2021, le président Joe Biden a déclaré que la fabrication nationale de semi-conducteurs était une priorité pour son administration. La nouvelle administration américaine est prête à remédier à la pénurie croissante de puces et à répondre aux préoccupations des législateurs selon lesquelles l'externalisation de la fabrication de puces aurait rendu les États-Unis plus vulnérables aux perturbations de la chaîne d'approvisionnement. Dans une mesure exécutive, Biden a entamé un examen de 100 jours qui pourrait stimuler les sociétés américaines de puces électroniques grâce à un soutien gouvernemental supplémentaire et à de nouvelles politiques.
- Les États-Unis ont également été pionniers en matière de technologies avancées pour les applications militaires. En outre, le pays a les dépenses militaires les plus élevées au monde, ce qui est nettement supérieur à celui des cinq pays suivants réunis, ce qui en fait une industrie d'utilisateur final lucrative pour le marché du RF GaN.
- Aux États-Unis, la plus grande demande de puces concerne les gros PC, les infrastructures dinformation et de communication (y compris les centres de données et les équipements de réseau), les marchés dapplications, les équipements industriels et les smartphones. Les clients de TSMC comprennent d'éminents fabricants de smartphones des États-Unis, comme Apple.
- En 2021, le gouvernement américain a demandé un financement de 50 milliards de dollars pour soutenir la fabrication nationale de puces. TSMC envisage d'injecter des dizaines de milliards de dollars de plus dans les usines de puces de l'État américain de l'Arizona que ce qu'il avait annoncé précédemment. TSMC sera probablement en concurrence avec Intel Corp. et Samsung Electronics Co. Ltd. pour obtenir des subventions du gouvernement américain pour la construction des usines. Ce soutien gouvernemental devrait soutenir la croissance de la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs GaN dans le pays.
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Aperçu du marché des dispositifs semi-conducteurs en nitrure de gallium (GaN)
Le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN est intrinsèquement compétitif. Certains des acteurs importants du marché sont Toshiba Electronic Devices Storage Corporation, GaN Systems, Infineon Technologies AG, Efficient Power Conversion Corporation, NXP Semiconductors et bien dautres. Les entreprises augmentent leur part de marché en formant de multiples partenariats et en investissant dans l'introduction de nouveaux produits pour acquérir un avantage concurrentiel au cours de la période de prévision.
En juillet 2022, GaN Systems s'est associé à PowerSphyr Advance pour proposer des solutions d'alimentation sans fil complètes. Les sociétés ont annoncé leur partenariat pour fournir un portefeuille inédit de solutions d'alimentation sans fil de bout en bout (30 watts, 100 watts et 500 watts) pour les applications industrielles et automobiles à l'échelle mondiale. Le partenariat combine les semi-conducteurs GaN de pointe de GaN Systems avec les années d'expertise de PowerSphyr en matière de technologie de l'énergie. Par exemple, PowerSphyr implémente les semi-conducteurs de puissance des systèmes GaN sur le récepteur de la solution de recharge sans fil en plus de l'émetteur. Cette combinaison change la donne en fournissant des solutions de recharge hautes performances, faciles à utiliser et entièrement sans fil.
En juillet 2022, Infineon Technologies AG a collaboré avec Delta Electronics sur des solutions d'alimentation pour serveurs et PC de jeu basées sur WBG afin de fournir des solutions supérieures aux clients finaux. Les derniers exemples de coopération incluent la plate-forme de puissance de jeu Titanium de 1,6 kW de Delta et une alimentation de serveur de 1,4 kW. L'alimentation du serveur de 1,4 kilowatts exploite la technologie CoolSiC MOSFET d'Infineon Technology et la compétence de Delta en matière d'électronique de puissance depuis plusieurs décennies pour atteindre un rendement de 96 %. Un autre exemple d'efficacité la plus élevée est la plate-forme de puissance de jeu de 1,6 kW alimentée par la technologie CoolGaN d'Infineon, complétée par les circuits intégrés de commande de grille EiceDRIVER. Cette conception a un rendement allant jusqu'à 96 % avec une entrée large plage et des sorties multiples, et répond à la norme Titanium dans le domaine industriel. Ce HEMT en mode électronique de 600 volts, adapté dans une topologie PFC à mâts totémiques entrelacés, est rendu possible par CoolGaN GIT d'Infineon.
Leaders du marché des dispositifs semi-conducteurs en nitrure de gallium (GaN)
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GaN Systems
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Infineon Technologies AG
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Efficient Power Conversion Corporation
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Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
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NXP Semiconductors
*Avis de non-responsabilité : les principaux acteurs sont triés sans ordre particulier
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Actualités du marché des dispositifs semi-conducteurs en nitrure de gallium (GaN)
- Juin 2022 GaN Systems a lancé un nouveau transistor hautes performances et à faible coût dans la gamme la plus large de transistors de puissance GaN du secteur pour les applications grand public, industrielles et de centres de données. Le GS-065-018-2-L élargit la gamme de transistors hautes performances et à faible coût de la société et présente une résistance à l'état passant plus faible, une robustesse et des performances thermiques accrues, ainsi qu'une valeur nominale VDS (transitoire) de 850 V. Le format PDFN standard de 88 mm du transistor facilite l'adoption, l'évolutivité et la commercialisation par les clients. Le GS-065-018-2-L est un transistor refroidi par le bas de 650 V, 18 A, 78 mohms, idéal pour les adaptateurs grand public plus petits et plus légers pour les ordinateurs portables et les consoles de jeux et pour une densité de puissance et une efficacité plus élevées dans les téléviseurs et les serveurs SMPS.
- Février 2022 Infineon Technologies AG renforce son leadership sur le marché des semi-conducteurs de puissance en ajoutant d'importantes capacités de fabrication dans les semi-conducteurs à large bande interdite (SiC et GaN). L'entreprise investit plus de 2 milliards d'euros (2,12 milliards de dollars) pour construire un troisième module sur son site de Kulim, en Malaisie. Une fois entièrement équipé, le nouveau module générera 2 milliards d'euros (2,12 milliards de dollars) de revenus annuels supplémentaires avec des produits à base de carbure de silicium et de nitrure de gallium. L'expansion des capacités SiC et GaN prépare Infineon Technologies AG à l'accélération des marchés à large bande interdite.
Rapport sur le marché des dispositifs semi-conducteurs en nitrure de gallium (GaN) – Table des matières
1. INTRODUCTION
1.1 Hypothèses de l’étude et définition du marché
1.2 Portée de l'étude
2. MÉTHODOLOGIE DE RECHERCHE
3. RÉSUMÉ EXÉCUTIF
4. APERÇU DU MARCHÉ
4.1 Aperçu du marché
4.2 Attractivité de l'industrie - Analyse des cinq forces de Porter
4.2.1 Pouvoir de négociation des fournisseurs
4.2.2 Pouvoir de négociation des consommateurs
4.2.3 La menace de nouveaux participants
4.2.4 La menace des substituts
4.2.5 Intensité de la rivalité concurrentielle
4.3 Impact du COVID-19 sur le marché des dispositifs semi-conducteurs GaN
5. DYNAMIQUE DU MARCHÉ
5.1 Facteurs de marché
5.1.1 Forte demande du segment des infrastructures de télécommunications, tirée par les progrès de la mise en œuvre de la 5G
5.1.2 Des attributs favorables tels que des performances élevées et un petit facteur de forme pour favoriser l'adoption dans le segment militaire
5.2 Défis du marché
5.2.1 Défis liés aux coûts et aux opérations
6. SEGMENTATION DU MARCHÉ
6.1 Par type
6.1.1 Semi-conducteurs de puissance
6.1.2 Opto-Semi-conducteurs
6.1.3 Semi-conducteurs RF
6.2 Par appareils
6.2.1 Transistors
6.2.2 Diodes
6.2.3 Redresseurs
6.2.4 CI de puissance
6.3 Par secteur d'activité de l'utilisateur final
6.3.1 Automobile
6.3.2 Electronique grand public
6.3.3 Aéronautique et Défense
6.3.4 Médical
6.3.5 Communication et technologie de l'information
6.3.6 Autres industries d'utilisateurs finaux
6.4 Par géographie
6.4.1 Amérique du Nord
6.4.1.1 États-Unis
6.4.1.2 Canada
6.4.2 L'Europe
6.4.2.1 Royaume-Uni
6.4.2.2 Allemagne
6.4.2.3 France
6.4.2.4 Le reste de l'Europe
6.4.3 Asie-Pacifique
6.4.3.1 Chine
6.4.3.2 Japon
6.4.3.3 Inde
6.4.3.4 Corée du Sud
6.4.3.5 Reste de l'Asie-Pacifique
6.4.4 l'Amérique latine
6.4.5 Moyen-Orient et Afrique
7. PAYSAGE CONCURRENTIEL
7.1 Profils d'entreprise
7.1.1 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
7.1.2 GaN Systems
7.1.3 Infineon Technologies AG
7.1.4 Efficient Power Conversion Corporation
7.1.5 NXP Semiconductors
7.1.6 Texas Instruments Incorporated
7.1.7 Wolfspeed, Inc.
7.1.8 NexGen Power Systems
7.1.9 Microchip Technology Inc.
7.1.10 Soitec
7.1.11 Qorvo, Inc.
7.1.12 NTT Advanced Technology Corporation
8. ANALYSE D'INVESTISSEMENT
9. AVENIR DU MARCHÉ
Segmentation de lindustrie des dispositifs semi-conducteurs en nitrure de gallium (GaN)
Le GaN est une technologie émergente par rapport aux MOSFET au silicium. Les différents appareils considérés sur le marché étudié sont les transistors, les redresseurs et les diodes. Les dispositifs semi-conducteurs GaN pris en compte sont les semi-conducteurs de puissance, les opto-semi-conducteurs et les semi-conducteurs RF.
Le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN est segmenté par type (semi-conducteurs de puissance, opto-semi-conducteurs, semi-conducteurs RF), par dispositifs (transistors, diodes, redresseurs, circuits intégrés de puissance), par secteur dutilisation final (automobile, électronique grand public, aérospatiale et défense, secteur médical). , Communication et Technologie de l'Information) et par Géographie. Les tailles et prévisions du marché sont fournies en termes de valeur (en millions de dollars) pour tous les segments ci-dessus.
| Par type | ||
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| Par appareils | ||
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| Par secteur d'activité de l'utilisateur final | ||
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| Par géographie | ||||||||||||
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FAQ sur les études de marché sur les dispositifs semi-conducteurs en nitrure de gallium (GaN)
Quelle est la taille actuelle du marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN ?
Le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN devrait enregistrer un TCAC de 17,21 % au cours de la période de prévision (2024-2029)
Qui sont les principaux acteurs du marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN ?
GaN Systems, Infineon Technologies AG, Efficient Power Conversion Corporation, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, NXP Semiconductors sont les principales sociétés opérant sur le marché des dispositifs semi-conducteurs GaN.
Quelle est la région qui connaît la croissance la plus rapide sur le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN ?
On estime que lAsie-Pacifique connaîtra la croissance du TCAC le plus élevé au cours de la période de prévision (2024-2029).
Quelle région détient la plus grande part du marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN ?
En 2024, lAmérique du Nord représente la plus grande part de marché sur le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN.
Quelles années couvre ce marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN ?
Le rapport couvre la taille historique du marché du marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN pour les années 2021, 2022 et 2023. Le rapport prévoit également la taille du marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN pour les années 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 et 2029.
Rapport sur lindustrie des dispositifs semi-conducteurs GaN
Statistiques sur la part de marché, la taille et le taux de croissance des revenus des dispositifs à semi-conducteurs GaN 2024, créées par Mordor Intelligence™ Industry Reports. Lanalyse des dispositifs à semi-conducteurs GaN comprend des perspectives de marché jusquen 2029 et un aperçu historique. Obtenez un échantillon de cette analyse de lindustrie sous forme de rapport PDF gratuit à télécharger.
Dispositifs semi-conducteurs GaN Instantanés du rapport
