Analyse de la taille et de la part du marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN – Tendances de croissance et prévisions (2024-2029)

Le rapport couvre la part et lanalyse du marché mondial des dispositifs à semi-conducteurs en nitrure de gallium et il est segmenté par type (puissance, opto, RF), dispositif (transistors, diodes, redresseurs, circuits intégrés de puissance), secteur dutilisateur final (électronique grand public, automobile, aérospatiale et Défense, Médical, Information, Communication et Technologie) et Région.

Analyse de la taille et de la part du marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN – Tendances de croissance et prévisions (2024-2029)

Taille du marché des dispositifs semi-conducteurs en nitrure de gallium (GaN)

Période d'étude 2021 - 2029
Année de Base Pour l'Estimation 2023
CAGR 17.21 %
Marché à la Croissance la Plus Rapide Asie-Pacifique
Plus Grand Marché Amérique du Nord
Concentration du Marché Faible

Acteurs majeurs

*Avis de non-responsabilité : les principaux acteurs sont triés sans ordre particulier

Analyse du marché des dispositifs semi-conducteurs en nitrure de gallium (GaN)

Le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN devrait enregistrer un TCAC de 17,21 % au cours de la période de prévision. Le GaN (nitrure de gallium) crée un virage innovant dans lensemble du secteur de lélectronique de puissance. Depuis des décennies, les transistors à effet de champ à semi-conducteurs à oxyde métallique (MOSFET) à base de silicium font partie intégrante du monde moderne quotidien et aident à convertir l'énergie en énergie. Le GaN remplace le silicium comme épine dorsale de la technologie de commutation de puissance, car il peut répondre aux besoins croissants avec de meilleures performances, efficacité et coût du système.

  • Le GaN est utilisé pour produire des dispositifs de puissance à semi-conducteurs, des composants RF et des diodes électroluminescentes (DEL). Cela a perturbé la technologie des semi-conducteurs en silicium utilisés dans les applications RF, de conversion de puissance et analogiques. Laugmentation des dépenses en semi-conducteurs a un impact positif sur la croissance du marché considéré.
  • En outre, le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN est stimulé par le besoin croissant de radiofréquences sur le marché des semi-conducteurs, la croissance de l'industrie de l'électronique grand public, en particulier dans l'éclairage et les écrans à LED, et l'essor des véhicules électriques, de la fourniture d'énergie, et onduleurs photovoltaïques.
  • De plus, le GaN offre une rentabilité et élimine les besoins de refroidissement par rapport au silicium et à l'arséniure de gallium. De plus, le coût de production d'un dispositif GaN est bien inférieur au coût de production d'un dispositif MOSFET, car les dispositifs GaN sont fabriqués à l'aide de procédures standard de fabrication de silicium dans les mêmes usines où sont fabriqués les semi-conducteurs traditionnels en silicium, et comme les dispositifs GaN sont beaucoup plus petit pour les mêmes performances fonctionnelles.
  • Les fabricants de dispositifs semi-conducteurs intègrent un nombre croissant de composants passifs par circuit, ce qui entraîne une complexité accrue de la conception des circuits et des limitations d'accès physique. Cela nécessiterait une configuration importante utilisant des masques sans erreur pour transférer le motif sur des tranches sans aucune erreur ni défaut. Par conséquent, le besoin pressant des équipementiers daméliorer les performances des appareils est le moteur du marché étudié.
  • De plus, avec le développement croissant des matériaux à large bande interdite (WBG), les fournisseurs du marché sont incités à fabriquer des produits pour les petits marchés sans compromettre les performances. Le GaN présente des défis uniques pour les composants passifs essentiels utilisés dans les circuits de conversion de puissance et de commande de moteur afin de suivre le rythme des innovations dans le processus des semi-conducteurs.
  • La pandémie de COVID-19 a entraîné dénormes perturbations dans les chaînes dapprovisionnement dans tous les secteurs à léchelle mondiale, à cause desquelles de nombreuses entreprises dans le monde ont interrompu ou réduit leurs opérations pour lutter contre la propagation du virus. La pandémie a eu un impact sur le marché étudié, entraînant une baisse des niveaux dexploitation tout au long de la production de matières premières et de la chaîne dapprovisionnement pour la production de composants. Cela indique une baisse des ventes entre divers pays et régions.

Aperçu du marché des dispositifs semi-conducteurs en nitrure de gallium (GaN)

Le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN est intrinsèquement compétitif. Certains des acteurs importants du marché sont Toshiba Electronic Devices Storage Corporation, GaN Systems, Infineon Technologies AG, Efficient Power Conversion Corporation, NXP Semiconductors et bien dautres. Les entreprises augmentent leur part de marché en formant de multiples partenariats et en investissant dans l'introduction de nouveaux produits pour acquérir un avantage concurrentiel au cours de la période de prévision.

En juillet 2022, GaN Systems s'est associé à PowerSphyr Advance pour proposer des solutions d'alimentation sans fil complètes. Les sociétés ont annoncé leur partenariat pour fournir un portefeuille inédit de solutions d'alimentation sans fil de bout en bout (30 watts, 100 watts et 500 watts) pour les applications industrielles et automobiles à l'échelle mondiale. Le partenariat combine les semi-conducteurs GaN de pointe de GaN Systems avec les années d'expertise de PowerSphyr en matière de technologie de l'énergie. Par exemple, PowerSphyr implémente les semi-conducteurs de puissance des systèmes GaN sur le récepteur de la solution de recharge sans fil en plus de l'émetteur. Cette combinaison change la donne en fournissant des solutions de recharge hautes performances, faciles à utiliser et entièrement sans fil.

En juillet 2022, Infineon Technologies AG a collaboré avec Delta Electronics sur des solutions d'alimentation pour serveurs et PC de jeu basées sur WBG afin de fournir des solutions supérieures aux clients finaux. Les derniers exemples de coopération incluent la plate-forme de puissance de jeu Titanium de 1,6 kW de Delta et une alimentation de serveur de 1,4 kW. L'alimentation du serveur de 1,4 kilowatts exploite la technologie CoolSiC MOSFET d'Infineon Technology et la compétence de Delta en matière d'électronique de puissance depuis plusieurs décennies pour atteindre un rendement de 96 %. Un autre exemple d'efficacité la plus élevée est la plate-forme de puissance de jeu de 1,6 kW alimentée par la technologie CoolGaN d'Infineon, complétée par les circuits intégrés de commande de grille EiceDRIVER. Cette conception a un rendement allant jusqu'à 96 % avec une entrée large plage et des sorties multiples, et répond à la norme Titanium dans le domaine industriel. Ce HEMT en mode électronique de 600 volts, adapté dans une topologie PFC à mâts totémiques entrelacés, est rendu possible par CoolGaN GIT d'Infineon.

Leaders du marché des dispositifs semi-conducteurs en nitrure de gallium (GaN)

  1. GaN Systems

  2. Infineon Technologies AG

  3. Efficient Power Conversion Corporation

  4. Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

  5. NXP Semiconductors

  6. *Avis de non-responsabilité : les principaux acteurs sont triés sans ordre particulier
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Actualités du marché des dispositifs semi-conducteurs en nitrure de gallium (GaN)

  • Juin 2022 GaN Systems a lancé un nouveau transistor hautes performances et à faible coût dans la gamme la plus large de transistors de puissance GaN du secteur pour les applications grand public, industrielles et de centres de données. Le GS-065-018-2-L élargit la gamme de transistors hautes performances et à faible coût de la société et présente une résistance à l'état passant plus faible, une robustesse et des performances thermiques accrues, ainsi qu'une valeur nominale VDS (transitoire) de 850 V. Le format PDFN standard de 88 mm du transistor facilite l'adoption, l'évolutivité et la commercialisation par les clients. Le GS-065-018-2-L est un transistor refroidi par le bas de 650 V, 18 A, 78 mohms, idéal pour les adaptateurs grand public plus petits et plus légers pour les ordinateurs portables et les consoles de jeux et pour une densité de puissance et une efficacité plus élevées dans les téléviseurs et les serveurs SMPS.
  • Février 2022 Infineon Technologies AG renforce son leadership sur le marché des semi-conducteurs de puissance en ajoutant d'importantes capacités de fabrication dans les semi-conducteurs à large bande interdite (SiC et GaN). L'entreprise investit plus de 2 milliards d'euros (2,12 milliards de dollars) pour construire un troisième module sur son site de Kulim, en Malaisie. Une fois entièrement équipé, le nouveau module générera 2 milliards d'euros (2,12 milliards de dollars) de revenus annuels supplémentaires avec des produits à base de carbure de silicium et de nitrure de gallium. L'expansion des capacités SiC et GaN prépare Infineon Technologies AG à l'accélération des marchés à large bande interdite.

Rapport sur le marché des dispositifs semi-conducteurs en nitrure de gallium (GaN) – Table des matières

1. INTRODUCTION

  • 1.1 Hypothèses de l’étude et définition du marché
  • 1.2 Portée de l'étude

2. MÉTHODOLOGIE DE RECHERCHE

3. RÉSUMÉ EXÉCUTIF

4. APERÇU DU MARCHÉ

  • 4.1 Aperçu du marché
  • 4.2 Attractivité de l'industrie - Analyse des cinq forces de Porter
    • 4.2.1 Pouvoir de négociation des fournisseurs
    • 4.2.2 Pouvoir de négociation des consommateurs
    • 4.2.3 La menace de nouveaux participants
    • 4.2.4 La menace des substituts
    • 4.2.5 Intensité de la rivalité concurrentielle
  • 4.3 Impact du COVID-19 sur le marché des dispositifs semi-conducteurs GaN

5. DYNAMIQUE DU MARCHÉ

  • 5.1 Facteurs de marché
    • 5.1.1 Forte demande du segment des infrastructures de télécommunications, tirée par les progrès de la mise en œuvre de la 5G
    • 5.1.2 Des attributs favorables tels que des performances élevées et un petit facteur de forme pour favoriser l'adoption dans le segment militaire
  • 5.2 Défis du marché
    • 5.2.1 Défis liés aux coûts et aux opérations

6. SEGMENTATION DU MARCHÉ

  • 6.1 Par type
    • 6.1.1 Semi-conducteurs de puissance
    • 6.1.2 Opto-Semi-conducteurs
    • 6.1.3 Semi-conducteurs RF
  • 6.2 Par appareils
    • 6.2.1 Transistors
    • 6.2.2 Diodes
    • 6.2.3 Redresseurs
    • 6.2.4 CI de puissance
  • 6.3 Par secteur d'activité de l'utilisateur final
    • 6.3.1 Automobile
    • 6.3.2 Electronique grand public
    • 6.3.3 Aéronautique et Défense
    • 6.3.4 Médical
    • 6.3.5 Communication et technologie de l'information
    • 6.3.6 Autres industries d'utilisateurs finaux
  • 6.4 Par géographie
    • 6.4.1 Amérique du Nord
    • 6.4.1.1 États-Unis
    • 6.4.1.2 Canada
    • 6.4.2 L'Europe
    • 6.4.2.1 Royaume-Uni
    • 6.4.2.2 Allemagne
    • 6.4.2.3 France
    • 6.4.2.4 Le reste de l'Europe
    • 6.4.3 Asie-Pacifique
    • 6.4.3.1 Chine
    • 6.4.3.2 Japon
    • 6.4.3.3 Inde
    • 6.4.3.4 Corée du Sud
    • 6.4.3.5 Reste de l'Asie-Pacifique
    • 6.4.4 l'Amérique latine
    • 6.4.5 Moyen-Orient et Afrique

7. PAYSAGE CONCURRENTIEL

  • 7.1 Profils d'entreprise
    • 7.1.1 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    • 7.1.2 GaN Systems
    • 7.1.3 Infineon Technologies AG
    • 7.1.4 Efficient Power Conversion Corporation
    • 7.1.5 NXP Semiconductors
    • 7.1.6 Texas Instruments Incorporated
    • 7.1.7 Wolfspeed, Inc.
    • 7.1.8 NexGen Power Systems
    • 7.1.9 Microchip Technology Inc.
    • 7.1.10 Soitec
    • 7.1.11 Qorvo, Inc.
    • 7.1.12 NTT Advanced Technology Corporation

8. ANALYSE D'INVESTISSEMENT

9. AVENIR DU MARCHÉ

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Segmentation de lindustrie des dispositifs semi-conducteurs en nitrure de gallium (GaN)

Le GaN est une technologie émergente par rapport aux MOSFET au silicium. Les différents appareils considérés sur le marché étudié sont les transistors, les redresseurs et les diodes. Les dispositifs semi-conducteurs GaN pris en compte sont les semi-conducteurs de puissance, les opto-semi-conducteurs et les semi-conducteurs RF.

Le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN est segmenté par type (semi-conducteurs de puissance, opto-semi-conducteurs, semi-conducteurs RF), par dispositifs (transistors, diodes, redresseurs, circuits intégrés de puissance), par secteur dutilisation final (automobile, électronique grand public, aérospatiale et défense, secteur médical). , Communication et Technologie de l'Information) et par Géographie. Les tailles et prévisions du marché sont fournies en termes de valeur (en millions de dollars) pour tous les segments ci-dessus.

Par type Semi-conducteurs de puissance
Opto-Semi-conducteurs
Semi-conducteurs RF
Par appareils Transistors
Diodes
Redresseurs
CI de puissance
Par secteur d'activité de l'utilisateur final Automobile
Electronique grand public
Aéronautique et Défense
Médical
Communication et technologie de l'information
Autres industries d'utilisateurs finaux
Par géographie Amérique du Nord États-Unis
Canada
L'Europe Royaume-Uni
Allemagne
France
Le reste de l'Europe
Asie-Pacifique Chine
Japon
Inde
Corée du Sud
Reste de l'Asie-Pacifique
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FAQ sur les études de marché sur les dispositifs semi-conducteurs en nitrure de gallium (GaN)

Quelle est la taille actuelle du marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN ?

Le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN devrait enregistrer un TCAC de 17,21 % au cours de la période de prévision (2024-2029)

Qui sont les principaux acteurs du marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN ?

GaN Systems, Infineon Technologies AG, Efficient Power Conversion Corporation, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, NXP Semiconductors sont les principales sociétés opérant sur le marché des dispositifs semi-conducteurs GaN.

Quelle est la région qui connaît la croissance la plus rapide sur le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN ?

On estime que lAsie-Pacifique connaîtra la croissance du TCAC le plus élevé au cours de la période de prévision (2024-2029).

Quelle région détient la plus grande part du marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN ?

En 2024, lAmérique du Nord représente la plus grande part de marché sur le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN.

Quelles années couvre ce marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN ?

Le rapport couvre la taille historique du marché du marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN pour les années  2021, 2022 et 2023. Le rapport prévoit également la taille du marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN pour les années  2024, 2025, 2026, 2027, 2028 et 2029.

Rapport sur lindustrie des dispositifs semi-conducteurs GaN

Statistiques sur la part de marché, la taille et le taux de croissance des revenus des dispositifs à semi-conducteurs GaN 2024, créées par Mordor Intelligence™ Industry Reports. Lanalyse des dispositifs à semi-conducteurs GaN comprend des perspectives de marché jusquen 2029 et un aperçu historique. Obtenez un échantillon de cette analyse de lindustrie sous forme de rapport PDF gratuit à télécharger.