| Période d'étude | 2019 - 2029 |
| Année de Base Pour l'Estimation | 2023 |
| CAGR | 30.58 % |
| Marché à la Croissance la Plus Rapide | Asie-Pacifique |
| Plus Grand Marché | Amérique du Nord |
| Concentration du Marché | Moyen |
Acteurs majeurs*Avis de non-responsabilité : les principaux acteurs sont triés sans ordre particulier |
Analyse du marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN RF
Le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN RF devrait croître à un TCAC de 30,58 % au cours de la période de prévision (2021-2026). Lépidémie de COVID-19 a commencé à avoir un impact sur les lignes dapprovisionnement dans divers secteurs, et le secteur des télécommunications ne fait pas exception. Pour le secteur des télécommunications, la COVID-19 devrait entraver considérablement la pénétration de la 5G. Dans cette situation critique, les consommateurs ne devraient pas cesser dutiliser les téléphones mobiles, mais la plupart dentre eux ne seront peut-être pas en mesure dinvestir davantage dans une technologie qui en est encore à ses balbutiements. En raison de la croissance de lInternet des objets (IoT), lavènement du réseau 5G et des applications généralisées dans divers secteurs industriels offriront dimmenses opportunités de croissance au marché des semi-conducteurs RF GaN.
- La mise en œuvre réussie de lIoT nécessite un transfert de données sur un réseau sans interaction homme-ordinateur. La mise en œuvre croissante de lIoT entraînera une congestion des signaux et nécessitera lutilisation de la technologie GaN capable damplifier la puissance, la capacité et la bande passante requise pour communiquer avec tous les appareils interconnectés.
- Le développement de la technologie MEMS fait partie intégrante des appareils IoT et aura également un impact positif sur le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN RF. La demande croissante de smartphones, d'appareils de jeu, d'ordinateurs portables et de téléviseurs devrait stimuler le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN dans le secteur de lélectronique grand public.
- La concurrence croissante avec le SiC peut entraver la part de marché des semi-conducteurs GaN RF, car le SiC a une conductivité thermique plus élevée que le GaN , ce qui signifie que les dispositifs SiC peuvent théoriquement fonctionner à des densités de puissance plus élevées que le GaN.
- La crise actuelle due au COVID-19 peut agir comme un moteur de progrès technologique, malgré les défis auxquels lindustrie est confrontée. Alors que, dans certains cas, la 5G fait déjà ses preuves. Par exemple, à Wuhan (Chine), Huawei a installé en trois jours un réseau 5G dans un hôpital spécialisé. Grâce à ces efforts, les robots compatibles 5G ont pu aider à prendre soin des patients à lhôpital et à prendre des mesures, réduisant ainsi le temps que le personnel médical doit passer avec les patients infectieux.
Tendances du marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN RF
Prolifération des réseaux sans fil évolutifs à long terme pour stimuler la croissance du marché
- Laugmentation des réseaux sans fil LTE (Long Term Evolution) est lun des principaux facteurs de croissance du marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN RF. La consommation de données en constante augmentation a entraîné la croissance des réseaux commerciaux et incitera les opérateurs de réseaux à adopter les réseaux LTE de nouvelle génération, tels que la 4G et la 5G.
- En raison de sa capacité à fournir des connexions à bande passante de données à plus haute fréquence, la technologie GaN RF sera bientôt le choix idéal pour les fournisseurs de services réseau. Les appareils GaN RF aident à garantir que l'appareil peut générer une fréquence maximale sur la bande nécessaire et empêchent également toute interférence provenant d'autres bandes de fréquences.
- Le déploiement de dispositifs d'alimentation GaN RF permettra aux appareils LTE d'offrir des vitesses permettant aux consommateurs de télécharger et de télécharger du contenu, comme de la musique et des photographies, ainsi que de jouer à des jeux en ligne et de regarder des émissions de télévision en ligne sur des bandes de fréquences maximales, ce qui entraînera une augmentation dans leur adoption.
- RF GaN joue un rôle essentiel dans l'infrastructure sans fil pour améliorer l'efficacité et élargir la bande passante afin de prendre en charge le taux de transmission de données toujours croissant. Ladoption croissante de la technologie 5G et les progrès de la communication sans fil devraient être des moteurs importants pour le marché RF GaN. Ladoption croissante des transistors de puissance GaN pourrait également savérer utile pour les fournisseurs de télécommunications.
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LAmérique du Nord détiendra la plus grande part
- La croissance du marché des semi-conducteurs GaN en Amérique du Nord est fortement corrélée à la croissance des industries des utilisateurs finaux, telles que les télécommunications, l'aérospatiale et la défense, l'électronique grand public, l'automobile, l'industrie, etc.
- Par ailleurs, la présence dacteurs de premier plan de lindustrie contribue également à la part détenue par la région. La croissance en Amérique du Nord est encouragée par le dynamisme du secteur de la défense grâce à une utilisation plus large des transistors à base de GaN, des radars militaires et de la guerre électronique dans les applications militaires.
- En outre, la demande croissante de produits électroniques grand public, tels que les téléviseurs, les ordinateurs portables, les appareils de jeu, les ordinateurs personnels et les tablettes PC, a encore alimenté la croissance de ce marché en Amérique du Nord.
- De plus, lexpertise technologique a entraîné la croissance des ordinateurs portables convertibles, des téléviseurs ultra HD ou 4K et dautres appareils électroniques sans fil, augmentant ainsi la demande de semi-conducteurs RF GaN sur le marché de lélectronique grand public de la région.
- Selon la Semiconductor Industry Association (SIA) et le World Semiconductor Trade Statistics, l'industrie des semi-conducteurs emploie directement près d'un quart de million de travailleurs aux États-Unis, et les ventes des entreprises américaines de semi-conducteurs ont totalisé 8,05 milliards de dollars en janvier 2021.
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Aperçu du marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN RF
Le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN RF nest ni consolidé ni fragmenté. Certains des principaux acteurs incluent GaN Systems, NXP Semiconductor, Qorvo Inc., Wolfspeed, Inc. (une société CREE), Broadcom Inc., Efficient Power Conversion, Fujitsu Semiconductor, NTT Advanced Technology, Texas Instruments, entre autres.
- Mai 2021 – NXP Semiconductors NV a vendu des obligations d'une valeur de 2 milliards de dollars pour aider à financer le développement de semi-conducteurs réduisant la consommation d'énergie de produits tels que les adaptateurs secteur et les véhicules électriques. Il sagit dobtenir une empreinte carbone moindre et une production plus économe en énergie dans les usines de fabrication de semi-conducteurs. NXP a déclaré avoir réduit de 66 % ses émissions absolues de composés perfluorés (PFC), qui sont des gaz à effet de serre.
Leaders du marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN RF
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GaN Systems
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Qorvo Inc.
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Wolfspeed, Inc.(A CREE Company)
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Texas Instruments
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Broadcom Inc.
- *Avis de non-responsabilité : les principaux acteurs sont triés sans ordre particulier
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Actualités du marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN RF
- Septembre 2020 - NXP Semiconductor NV a annoncé l'ouverture de son usine de nitrure de gallium (GaN) RF de 150 mm (6 pouces) à Chandler, en Arizona, l'usine la plus avancée dédiée aux amplificateurs de puissance RF 5G aux États-Unis. La nouvelle usine interne combine l'expertise de NXP en tant que leader du secteur de la puissance RF et son savoir-faire en matière de fabrication de grands volumes, ce qui donne lieu à une innovation rationalisée qui prend en charge l'expansion des stations de base 5G et des infrastructures de communication avancées sur les marchés de l'industrie, de l'aérospatiale et de la défense.
Segmentation de lindustrie des dispositifs à semi-conducteurs GaN RF
Les GAN se distinguent dans les applications RF pour plusieurs raisons telles qu'un champ de claquage élevé, une vitesse de saturation élevée et des propriétés thermiques exceptionnelles, grâce auxquelles ils ont joué un rôle déterminant dans la transmission de signaux sur de longues distances ou à des niveaux de puissance élevés. Létude de marché se concentre sur les tendances affectant le marché dans les principales régions, comme lAmérique du Nord, lEurope, lAsie-Pacifique, lAmérique latine, le Moyen-Orient et lAfrique. Létude suit également les paramètres clés du marché, les influenceurs de croissance sous-jacents et les principaux fournisseurs opérant dans lindustrie, ainsi que limpact du COVID-19 sur lindustrie RF GaN globale et ses performances.
| Par candidature | Défense et aérospatiale |
| Télécom | |
| Electronique grand public | |
| Automobile | |
| Industriel | |
| Autres applications (centres de données, énergies renouvelables, etc.) | |
| Par géographie | Amérique du Nord |
| L'Europe | |
| Asie-Pacifique | |
| l'Amérique latine | |
| Moyen-Orient et Afrique |
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FAQ sur les études de marché sur les dispositifs à semi-conducteurs GaN RF
Quelle est la taille actuelle du marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN RF ?
Le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN RF devrait enregistrer un TCAC de 30,58 % au cours de la période de prévision (2024-2029)
Qui sont les principaux acteurs du marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN RF ?
GaN Systems, Qorvo Inc., Wolfspeed, Inc.(A CREE Company), Texas Instruments, Broadcom Inc. sont les principales sociétés opérant sur le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN RF.
Quelle est la région qui connaît la croissance la plus rapide sur le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN RF ?
On estime que lAsie-Pacifique connaîtra la croissance du TCAC le plus élevé au cours de la période de prévision (2024-2029).
Quelle région détient la plus grande part du marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN RF ?
En 2024, lAmérique du Nord représente la plus grande part de marché sur le marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN RF.
Quelles années couvre ce marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN RF ?
Le rapport couvre la taille historique du marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN RF pour les années 2019, 2020, 2021, 2022 et 2023. Le rapport prévoit également la taille du marché des dispositifs à semi-conducteurs GaN RF pour les années 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 et 2029..
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Rapport sur lindustrie des dispositifs à semi-conducteurs GaN RF
Statistiques sur la part de marché, la taille et le taux de croissance des revenus des dispositifs à semi-conducteurs RF GaN 2024, créées par Mordor Intelligence™ Industry Reports. Lanalyse des dispositifs à semi-conducteurs GaN RF comprend des perspectives de marché jusquen 2029 et un aperçu historique. Obtenez un échantillon de cette analyse de lindustrie sous forme de rapport PDF gratuit à télécharger.
