Taille du Marché de Appareils TSV 3D Industrie
Période d'étude | 2019 - 2029 |
Année de Base Pour l'Estimation | 2023 |
TCAC | Equal-6.2 |
Marché à la Croissance la Plus Rapide | Asie-Pacifique |
Plus Grand Marché | Amérique du Nord |
Concentration du marché | Faible |
Principaux acteurs*Avis de non-responsabilité : les principaux acteurs sont triés sans ordre particulier |
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Analyse du marché des appareils TSV 3D
Le marché des appareils 3D TSV a enregistré un TCAC de 6,2 % sur la période de prévision 2021-2026. Pour économiser de lespace dans le package, en particulier pour les produits de nouvelle génération, et pour répondre à la demande des applications informatiques de pointe, qui nécessitent un temps de réaction plus court et des performances différentes. Les fabricants de semi-conducteurs utilisent de plus en plus les techniques de silicium via (TSV) pour l'empilement de puces
- La demande croissante de miniaturisation des appareils électroniques stimule la croissance du marché du TSV 3D. Ces produits peuvent être obtenus grâce à une intégration hétéro-système, ce qui peut donner lieu à un emballage avancé plus fiable. Grâce à des capteurs MEMS extrêmement petits et à des composants électroniques 3D, il est possible de placer des capteurs pratiquement n'importe où et de surveiller des équipements dans des environnements difficiles, en temps réel, pour contribuer à augmenter la fiabilité et la disponibilité.
- Le TSV 3D dans une mémoire vive dynamique (DRAM) qui stocke chaque bit de données dans un petit condensateur séparé au sein d'un circuit intégré propulse la croissance du marché du TSV 3D. La DRAM 3D de Micron avec une DRAM repensée permet d'obtenir des améliorations significatives en termes de puissance et de synchronisation, ce qui facilite le développement d'une modélisation thermique avancée.
- La récente épidémie de COVID-19 devrait créer des déséquilibres importants dans la chaîne dapprovisionnement du marché étudié, car lAsie-Pacifique, en particulier la Chine, est lun des principaux influenceurs du marché étudié. En outre, de nombreuses gouvernements locaux de la région Asie-Pacifique ont investi dans l'industrie des semi-conducteurs dans le cadre d'un programme à long terme et devraient donc retrouver la croissance du marché. Par exemple, le gouvernement chinois a levé entre 23 et 30 milliards de dollars pour financer la deuxième phase de son Fonds national dinvestissement en IC 2030.
- Cependant, les problèmes thermiques dus à un niveau élevé dincorporation constituent un facteur difficile pour la croissance du marché des TSV 3D. Étant donné que le silicium via (TSV) constitue la connexion clé dans l'intégration de circuits intégrés 3D, la différence de coefficient de dilatation thermique (CTE) entre le silicium et le cuivre est supérieure à 10 ppm/K, ce qui entraîne une contrainte thermique lorsqu'une charge thermique est appliquée.