Memoria de clase de almacenamiento Volumen del mercado

Análisis del mercado de memoria de clase de almacenamiento

Se proyecta que el mercado de memoria de clase de almacenamiento (SCM) registre una tasa compuesta anual del 35,6% durante el período de pronóstico. SCM llena el vacío específico de rendimiento y confiabilidad en la jerarquía de memoria. Sus casos de uso van desde caché de almacenamiento de alto rendimiento hasta un reemplazo de flash para medios de almacenamiento más rápidos debido a su direccionabilidad a niveles de bloque y byte

• La memoria de clase de almacenamiento (SCM) es un componente crítico en la transición del almacenamiento mecánico giratorio, como las unidades de disco, a la RAM no volátil de estado sólido. Como resultado, SCM promete ofrecer soluciones de mayor rendimiento y mayor eficiencia energética que los productos flash SLC/MLC NAND existentes.
• La memoria de clase de almacenamiento (SCM) es más rápida para operaciones de lectura y escritura que la memoria flash NAND. Además, tiene propiedades de mayor resistencia debido a que es significativamente más resistente a la reescritura de datos. Las características de SCM incluyen ventajas sobre la memoria flash NAND y un menor costo por GB en comparación con la DRAM.
• Además, la capacidad de funcionar a velocidades cercanas a la memoria, así como una resistencia y persistencia ultra altas durante cortes de energía, hacen que SCM sea adecuado para aplicaciones sensibles a la latencia, como aplicaciones de comercio financiero, análisis, aplicaciones de almacenamiento de conexión directa y bases de datos.
• La demanda de procesamiento en memoria cada vez más utilizado en aplicaciones de Big Data, como consultas interactivas de bases de datos, ha llevado a Intel y otros fabricantes de chips a aumentar el ancho de banda de la memoria. Al ejecutar cargas de trabajo de análisis, como el marco informático de clúster basado en Spark, Intel afirma que las consultas se ejecutan ocho veces más rápido en la memoria persistente que en combinaciones de almacenamiento DRAM.
• El aumento de los contenedores de aplicaciones en los centros de datos también ha aumentado los requisitos de memoria persistente en los últimos años. Por lo tanto, los proveedores presentes en el ecosistema del mercado están enfatizando las ventajas de niveles de memoria persistente más grandes, incluida una mayor utilización de CPU y servidores y una entrega más rápida de aplicaciones distribuidas.
• En el futuro, cuando los datos digitales se almacenen en una memoria no volátil, será esencial contar con un mecanismo para detectar y corregir errores específicos. El código de corrección de errores (ECC) ofrece codificar datos para que un decodificador pueda identificar y corregir errores en los datos.
• Muchas industrias de usuarios finales en diferentes países se vieron afectadas por la pandemia, lo que provocó el cierre de varias operaciones comerciales. Por ejemplo, la introducción de bloqueos en la India significó el cierre de todos los sectores y actividades. Estas implementaciones de bloqueo tienen un impacto masivo en todas las industrias, y la mayoría de las empresas sufren pérdidas. Según Intel, la creciente necesidad de infraestructura de escritorio virtualizada y soluciones de almacenamiento virtualizadas está impulsando la demanda de sus productos de almacenamiento y memoria en el centro de datos. La necesidad de mejorar y acelerar las capacidades de almacenamiento y memoria para los dos tipos de aplicaciones surgió en respuesta a la gran cantidad de trabajadores que se mudaron a oficinas en casa y al aumento en el uso de recursos digitales provocado por la pandemia de COVID-19. El grupo de soluciones de memoria no volátil de Intel experimentó un crecimiento interanual del 46 % en los ingresos del primer trimestre, hasta los 1.300 millones de dólares.