Semiconductor de potencia de carburo de silicio Volumen del mercado

Análisis de mercado de semiconductores de potencia de carburo de silicio

El tamaño del mercado de semiconductores de potencia de carburo de silicio se estima en 2,18 mil millones de dólares en 2024 y se espera que alcance los 6,73 mil millones de dólares en 2029, creciendo a una tasa compuesta anual del 25,24% durante el período previsto (2024-2029)

El brote pandémico creó agitación económica para las industrias pequeñas, medianas y grandes en todo el mundo. Para agravar los problemas, el bloqueo nacional impuesto por los gobiernos de todo el mundo (para minimizar la propagación del virus) resultó en un impacto aún mayor en las industrias y en la interrupción de la cadena de suministro y las operaciones de fabricación en todo el mundo, ya que una gran parte de La fabricación incluye el trabajo en la fábrica, donde las personas están en estrecho contacto mientras colaboran para aumentar la productividad

• El SiC (carburo de silicio) se utiliza para aplicaciones de alta potencia debido a la amplia banda prohibida que ofrece. Si bien existen varios politipos (polimorfos) de SiC, el 4H-SiC es el más ideal para dispositivos de energía. Se espera que el aumento de las actividades de I+D dirigidas a mejorar las capacidades materiales proporcione un fuerte impulso al crecimiento del mercado. Por ejemplo, la Agencia de Proyectos de Investigación Avanzada (ARPA-E) del Departamento de Energía de los Estados Unidos (DOE) ha anunciado una financiación de 30 millones de dólares para 21 proyectos como parte del programa de creación de circuitos innovadores y fiables utilizando topologías y semiconductores inventivos (CIRCUITS).. Además, iniciativas como la inversión del Departamento de Energía de EE. UU. para la investigación dirigida por NREL con la intención de reducir los costos de fabricación de electrónica de potencia de SiC podrían respaldar aún más tales tendencias y ampliar el alcance de dispositivos basados ​​en SiC más robustos.
• Los vehículos eléctricos ofrecen ciertas ventajas dentro de la industria automotriz, como mayor autonomía, tiempo de carga y rendimiento, para satisfacer las expectativas de los clientes. Sin embargo, requieren dispositivos electrónicos de potencia capaces de funcionar de manera eficiente y eficaz a temperaturas elevadas. Por lo tanto, se están desarrollando módulos de potencia utilizando tecnologías SiC de banda ancha.
• Los coches eléctricos se están volviendo comunes en las carreteras hoy en día, con precios bajando y aumento de autonomía. Según el informe Global EV Outlook 2021 de la Agencia Internacional de Energía, en 2020 circularon por las carreteras más de 10,2 millones de turismos eléctricos ligeros. Además, la matriculación de vehículos eléctricos aumentó un 41 % en 2020, lo que crea oportunidades de crecimiento para el mercado.
• Los semiconductores también utilizan SiC para reducir la pérdida de energía y prolongar la vida útil de los convertidores de energía solar y eólica. Por ejemplo, la energía fotovoltaica requiere principalmente alta potencia, bajas pérdidas, conmutación más rápida y dispositivos semiconductores confiables para aumentar la eficiencia, la densidad de potencia y la confiabilidad. Por tanto, los dispositivos de SiC proporcionan una solución prometedora a los requisitos de energía fotovoltaica para satisfacer la creciente demanda energética.
• Para aprovechar el potencial que ofrece la demanda de tecnologías limpias, varios actores están entrando en el mercado de semiconductores de potencia de SiC. Por ejemplo, en abril de 2021, NoMIS Power Group, una empresa derivada del Instituto Politécnico de la Universidad Estatal de Nueva York (SUNY Poly), anunció que planea diseñar, fabricar y vender dispositivos, módulos y servicios semiconductores de potencia de SiC para proporcionar Soporte a desarrolladores de productos de administración de energía.
• Además, la capacitancia y la inductancia parásitas se vuelven demasiado grandes tan pronto como se utilizan altas frecuencias, lo que impide que el dispositivo de potencia basado en SiC alcance su máximo potencial. En este sentido, el uso generalizado de SiC puede requerir actualizaciones de las instalaciones de fabricación, algo que no se puede lograr al ritmo actual de desarrollo.