Tamaño del mercado de semiconductores de potencia RF y análisis de participación tendencias de crecimiento y pronósticos (2024-2029)

El mercado de semiconductores de potencia RF está segmentado por tecnología (LDMOS, GaAs y GaN), aplicaciones (infraestructura de telecomunicaciones y aeroespacial y defensa) y geografía.

Tamaño del mercado de semiconductores de potencia RF y análisis de participación tendencias de crecimiento y pronósticos (2024-2029)

Tamaño del mercado de semiconductores de potencia RF

Período de Estudio 2019 - 2029
Año Base Para Estimación 2023
CAGR 13.25 %
Mercado de Crecimiento Más Rápido Asia Pacífico
Mercado Más Grande Asia Pacífico
Concentración del Mercado Alto

Jugadores principales

*Nota aclaratoria: los principales jugadores no se ordenaron de un modo en especial

Análisis de mercado de semiconductores de potencia RF

Se espera que el mercado de semiconductores de potencia RF registre una tasa compuesta anual del 13,25% durante el período previsto (2021-2026). La creciente adopción de semiconductores de potencia de RF en teléfonos inteligentes y el uso de 5G es uno de los principales factores que aumentan la demanda. Con el aumento de la necesidad de velocidades de datos más altas y una mayor eficiencia espectral, la demanda de Internet de banda ancha móvil de alta velocidad está aumentando. Esto ha llevado a la implementación de LTE, que se espera que impulse aún más la expansión del mercado de energía de RF.

  • La creciente adopción de soluciones de gestión eficaces en la industria energética también está atrayendo a muchos proveedores a innovar en productos orientados al sector. Esto está ampliando aún más el alcance de los dispositivos semiconductores de potencia de RF. Por ejemplo, Cadence Design Systems, Inc. anunció que había mejorado la solución de integridad de energía Cadence Voltus IC con una opción de algoritmo ampliamente paralelo (XP) que emplea tecnología de procesamiento distribuido para la aprobación de la red eléctrica en tecnologías de proceso de nodos avanzados.
  • La tendencia creciente de la digitalización y el aumento de proyectos de ciudades inteligentes en varios países del mundo también está creando oportunidades potenciales para el crecimiento del mercado de semiconductores de potencia de RF. El aumento en el uso de dispositivos de potencia de RF en diversas aplicaciones de iluminación también está impulsando el crecimiento en el mercado mundial de energía de RF.
  • Sin embargo, se estima que los problemas relacionados con el alto costo de la energía de RF debido a un mejor rendimiento desafiarán el crecimiento del mercado. Por ejemplo, en octubre de 2018, Cree, Inc anunció que había firmado un acuerdo estratégico a largo plazo para producir y suministrar sus obleas de carburo de silicio Wolfspeed a una de las empresas de dispositivos de energía líderes en el mundo.

Descripción general de la industria de semiconductores de potencia RF

El mercado de semiconductores de potencia RF está consolidado. La mayor cuota de mercado está ocupada por los mejores actores del mercado. Además, el coste de fabricación de los semiconductores de potencia de RF es elevado, lo que dificulta la entrada del nuevo actor en el mercado. Algunos de los jugadores clave incluyen Analog DevicesInc., Aethercomm Inc., CreeInc., Mitsubishi Electric Corporation, NXP Semiconductors NV, Qorvo Inc., STMicroelectronics NV, entre otros.

  • Junio ​​de 2019 NXP Semiconductors NV presentó una de las carteras de soluciones de RF más integradas de la industria para infraestructura celular 5G y mercados industriales y comerciales. Basándose en su sólido legado, investigación y desarrollo disruptivo, fabricación de clase mundial y presencia global, el conjunto integral de soluciones de NXP supera las demandas actuales de amplificación de potencia de RF 5G para estaciones base, desde MIMO hasta sistemas masivos de antenas activas basadas en MIMO para celulares y ondas milimétricas (mmWave). ) bandas del espectro.
  • Mayo de 2019 como parte de su estrategia de crecimiento a largo plazo, Cree, Inc.anunció que invertirá hasta mil millones de dólares en la expansión de su capacidad de carburo de silicio con el desarrollo de un carburo de silicio automatizado de 200 mm de última generación. instalación de fabricación y una megafábrica de materiales en su sede del campus de EE. UU. en Durham, Carolina del Norte. Marcó la mayor inversión de la compañía hasta la fecha para impulsar su negocio de carburo de silicio Wolfspeed y GaN en carburo de silicio. Una vez finalizadas en 2024, las instalaciones aumentarán sustancialmente la capacidad de fabricación de obleas y materiales de carburo de silicio de la empresa, lo que permitirá soluciones de semiconductores de banda prohibida amplia que permitan los dramáticos cambios tecnológicos que se están produciendo en los mercados industrial, de infraestructura de comunicaciones y de automoción.

Líderes del mercado de semiconductores de potencia RF

  1. Cree Inc.

  2. Mitsubishi Electric Corporation

  3. NXP Semiconductors NV

  4. Qualcomm Inc.

  5. Analog Devices Inc.

  6. *Nota aclaratoria: los principales jugadores no se ordenaron de un modo en especial
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Informe de mercado de semiconductores de potencia RF índice

1. INTRODUCCIÓN

  • 1.1 Entregables del estudio
  • 1.2 Supuestos del estudio
  • 1.3 Alcance del estudio

2. METODOLOGÍA DE INVESTIGACIÓN

3. RESUMEN EJECUTIVO

4. DINÁMICA DEL MERCADO

  • 4.1 Visión general del mercado
  • 4.2 Indicadores de mercado
    • 4.2.1 Uso creciente de teléfonos inteligentes
    • 4.2.2 Creciente transición hacia 5G y la implementación de la evolución a largo plazo (LTE)
  • 4.3 Restricciones del mercado
    • 4.3.1 Alto costo de la energía de RF
  • 4.4 Análisis de la cadena de valor de la industria
  • 4.5 Atractivo de la industria: análisis de las cinco fuerzas de Porter
    • 4.5.1 El poder de negociacion de los proveedores
    • 4.5.2 Poder de negociación de los compradores/consumidores
    • 4.5.3 Amenaza de nuevos participantes
    • 4.5.4 Amenaza de productos sustitutos
    • 4.5.5 La intensidad de la rivalidad competitiva

5. SEGMENTACIÓN DE MERCADO

  • 5.1 Por tecnología
    • 5.1.1 LDMOS
    • 5.1.2 GaAs
    • 5.1.3 GaN
  • 5.2 Por aplicación
    • 5.2.1 Infraestructura de telecomunicaciones
    • 5.2.2 Aeroespacial y Defensa
    • 5.2.3 Banda ancha por cable
    • 5.2.4 Comunicación por satélite
    • 5.2.5 Energía RF (automotriz)
    • 5.2.6 Otras aplicaciones
  • 5.3 Geografía
    • 5.3.1 América del norte
    • 5.3.1.1 Estados Unidos
    • 5.3.1.2 Canada
    • 5.3.2 Europa
    • 5.3.2.1 Reino Unido
    • 5.3.2.2 Alemania
    • 5.3.2.3 Francia
    • 5.3.2.4 El resto de Europa
    • 5.3.3 Asia-Pacífico
    • 5.3.3.1 Porcelana
    • 5.3.3.2 India
    • 5.3.3.3 Corea del Sur
    • 5.3.3.4 Japón
    • 5.3.3.5 Resto de Asia-Pacífico
    • 5.3.4 Resto del mundo
    • 5.3.4.1 América Latina
    • 5.3.4.2 Medio Oriente y África

6. PANORAMA COMPETITIVO

  • 6.1 Perfiles de empresa
    • 6.1.1 Aethercomm Inc.
    • 6.1.2 Analog Devices Inc.
    • 6.1.3 Cree Inc.
    • 6.1.4 M/A-COM Technology Solutions Holdings Inc.
    • 6.1.5 Mitsubishi Electric Corporation
    • 6.1.6 NXP Semiconductors NV
    • 6.1.7 Qorvo Inc.
    • 6.1.8 Qualcomm Inc.
    • 6.1.9 Murata Manufacturing Co. Ltd
    • 6.1.10 STMicroelectronics NV
    • 6.1.11 Toshiba Corporation

7. ANÁLISIS DE INVERSIONES

8. OPORTUNIDADES DE MERCADO Y TENDENCIAS FUTURAS

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Segmentación de la industria de semiconductores de potencia RF

Un semiconductor de potencia de radiofrecuencia es un dispositivo que se puede utilizar como interruptor o rectificador en electrónica de potencia. El semiconductor de potencia de RF está diseñado para funcionar en el espectro de radiofrecuencia, que va desde aproximadamente 3 KHz hasta 300 GHz. Dependiendo de las diversas aplicaciones, el semiconductor de potencia de RF se puede utilizar en diferentes tecnologías.

Por tecnología LDMOS
GaAs
GaN
Por aplicación Infraestructura de telecomunicaciones
Aeroespacial y Defensa
Banda ancha por cable
Comunicación por satélite
Energía RF (automotriz)
Otras aplicaciones
Geografía América del norte Estados Unidos
Canada
Europa Reino Unido
Alemania
Francia
El resto de Europa
Asia-Pacífico Porcelana
India
Corea del Sur
Japón
Resto de Asia-Pacífico
Resto del mundo América Latina
Medio Oriente y África
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Preguntas frecuentes sobre investigación de mercado de semiconductores de potencia RF

¿Cuál es el tamaño actual del mercado Semiconductores de potencia RF?

Se proyecta que el mercado de semiconductores de potencia RF registrará una tasa compuesta anual del 13,25% durante el período de pronóstico (2024-2029).

¿Quiénes son los actores clave en el mercado Semiconductores de potencia RF?

Cree Inc., Mitsubishi Electric Corporation, NXP Semiconductors NV, Qualcomm Inc., Analog Devices Inc. son las principales empresas que operan en el mercado de semiconductores de potencia RF.

¿Cuál es la región de más rápido crecimiento en el mercado Semiconductores de potencia RF?

Se estima que Asia Pacífico crecerá a la CAGR más alta durante el período previsto (2024-2029).

¿Qué región tiene la mayor participación en el mercado de semiconductores de potencia RF?

En 2024, Asia Pacífico representa la mayor cuota de mercado en el mercado de semiconductores de potencia RF.

¿Qué años cubre este mercado de Semiconductores de potencia RF?

El informe cubre el tamaño histórico del mercado de Semiconductores de potencia RF durante los años 2019, 2020, 2021, 2022 y 2023. El informe también pronostica el tamaño del mercado de Semiconductores de potencia RF para los años 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 y 2029.

Informe de la industria de semiconductores de potencia RF

Estadísticas para la participación de mercado, el tamaño y la tasa de crecimiento de ingresos de semiconductores de potencia RF en 2024, creadas por Mordor Intelligence™ Industry Reports. El análisis de RF Power Semiconductor incluye una perspectiva de previsión del mercado hasta 2029 y una descripción histórica. Obtenga una muestra de este análisis de la industria como descarga gratuita del informe en PDF.

Semiconductores de potencia RF Panorama de los reportes