GaN RF Volumen del mercado

Análisis de mercado de nitruro de galio por radiofrecuencia

El tamaño del mercado RF GaN se estima en 1,7 mil millones de dólares en 2024 y se espera que alcance los 4,03 mil millones de dólares en 2029, creciendo a una tasa compuesta anual del 18,76% durante el período previsto (2024-2029)

Debido a los beneficios del uso de RF GaN en una amplia gama de dispositivos y aplicaciones vinculados en tiempo real, se espera que más industrias utilicen la tecnología de Internet de las cosas (IoT), que se espera impulse el crecimiento del mercado. Con la tecnología GaN en continua evolución, GaN permite frecuencias más altas en aplicaciones más complejas, como conjuntos en fase, radares y estaciones transceptoras base para televisión por cable (CATV), terminales de muy pequeña apertura (VSAT) y comunicaciones de defensa

• RF GaN desempeña un papel clave en la infraestructura inalámbrica, mejorando la eficiencia y ampliando el ancho de banda para soportar velocidades de transmisión de datos cada vez mayores. El mercado de RF GaN está impulsado principalmente por la creciente adopción de 5G y los avances en las comunicaciones inalámbricas. Los operadores de telecomunicaciones también podrían beneficiarse de un mayor uso de transistores de potencia GaN.
• La creciente adopción de RF GaN en la automoción eléctrica es también uno de los principales factores que impulsan la demanda en este mercado. Los dispositivos de carburo de silicio se utilizan en los cargadores de baterías a bordo de autobuses eléctricos, taxis, camiones y turismos. Además, el aumento de las leyes gubernamentales que favorecen el mercado de vehículos eléctricos estimula la demanda en el mercado RF GaN.
• La infraestructura necesaria para crear vehículos autónomos y drones es otro factor que aumenta la demanda de tecnologías RF GaN. Por lo tanto, se espera que el crecimiento en la adopción y el desarrollo de vehículos autónomos y drones para diversas aplicaciones, especialmente militares y de defensa, aumente aún más la adopción de dispositivos RF GaN durante el período previsto.
• Las ventajas materiales inherentes del GaN conllevan algunos desafíos de fabricación asociados que incluyen el costo y la optimización del procesamiento y embalaje del dispositivo. Otros problemas incluyen el atrapamiento de carga y el colapso actual, que deben resolverse para una mayor adopción de estos dispositivos. Aunque se han realizado mejoras significativas en los dispositivos RF basados ​​en GaN (rendimiento y rendimiento), todavía existen algunas barreras que impiden que el nitruro de galio sobre carburo de silicio (GaN-on-SiC) ingrese a aplicaciones convencionales (es decir, en estaciones base de telecomunicaciones inalámbricas). o CATV).
• La pandemia de COVID-19 afectó a las líneas de suministro y a la industria de las telecomunicaciones. Obstaculizó considerablemente la penetración del 5G en el sector de las telecomunicaciones. En esta situación crítica, se espera que los consumidores sigan usando teléfonos móviles, pero es posible que la mayoría de ellos no puedan invertir más en una tecnología que aún se encuentra en una etapa incipiente.
• El rápido aumento del consumo de datos ha dado lugar al crecimiento de las redes comerciales y está animando a los proveedores de redes a adoptar redes de próxima generación, como 4G y 5G. Según el Cisco Visual Networking Index, se espera que el tráfico global de datos móviles registre una CAGR del 46%, alcanzando los 77,5 exabytes por mes en 2022.
• Organizaciones de todo el mundo están innovando con nuevos productos y ampliando sus negocios. Por ejemplo, en junio de 2022, Integra, un proveedor de soluciones innovadoras de energía de microondas y RF, anunció que había comenzado a enviar su innovadora tecnología RF GaN de 100 V a clientes de Estados Unidos y Europa. La compañía también anunció la ampliación de su cartera de productos RF GaN de 100 V con el lanzamiento de siete nuevos productos para los segmentos de mercado de aviónica, energía dirigida, guerra electrónica, radar y científico, que ofrecen niveles de potencia de hasta 5 kW en un solo transistor.