Módulo frontal de RF Volumen del mercado

Análisis de mercado del módulo frontal de radiofrecuencia (RF)

El tamaño del mercado de módulos frontales de RF se estima en 25,83 mil millones de dólares en 2024 y se espera que alcance los 42,45 mil millones de dólares en 2029, creciendo a una tasa compuesta anual del 13,23% durante el período previsto (2024-2029)

En los últimos años, el desarrollo de nanosatélites de bajo coste ha crecido considerablemente. Se ha vuelto viable gracias a la disponibilidad de vectores de lanzamiento de bajo costo y componentes comerciales disponibles en el mercado (COTS). La mayoría de los componentes COTS generalmente no están calificados para el espacio y, para que funcionen y resistan el duro entorno espacial, necesitan un esfuerzo adicional en el rediseño e implementación del circuito. El diseño frontal de RF se considera una de las mejores y más factibles opciones en la investigación de expertos, y consiste en un transceptor de banda S que se implementa completamente utilizando componentes COTS. Si se implementa aún más en nanosatélites, el mercado en este sector crecerá significativamente durante el período previsto

• Un módulo frontal de RF se refiere a los circuitos de un circuito receptor de radio entre la entrada de la antena de un receptor de radio y la etapa del mezclador o el amplificador de potencia del transmisor.
• El aumento exponencial de los dispositivos de comunicación móvil por unidad y el aumento del tráfico de datos debido a las aplicaciones con uso intensivo de datos han llevado a los proveedores de FEM de RF a liderar la innovación, como las bandas de alta frecuencia en los teléfonos. Además, según el Índice Cisco Visual Networking, se espera que el tráfico global de datos móviles se multiplique por siete entre 2017 y 2022, con una tasa compuesta anual del 46%, alcanzando 77,5 exabytes por mes en 2022.
• Qorvo presentó el primer módulo frontal de doble banda (FEM) para Wi-Fi 6, el SKY85334-11 y el SKY85750-11. Está diseñado idealmente para equipos locales del cliente (CPE), combinando el rendimiento necesario para ofrecer vídeo HD/4K con la eficiencia necesaria para IoT. Además, al presentar linealidad, disipación de energía y eficiencia para puntos de acceso, enrutadores y puertas de enlace, donde las limitaciones regulatorias, térmicas o de alimentación a través de Ethernet (PoE) exigen un bajo consumo de corriente, los módulos pasan por alto la integración en la conmutación, el bajo nivel de ruido. amplificador (LNA) con bypass y amplificador de potencia (PA) como aplicaciones.
• Además, se espera que el aumento constante de los presupuestos de defensa en los países desarrollados y en desarrollo y la demanda de productos tecnológicamente avanzados en el arsenal de las fuerzas armadas nacionales e internacionales impulsen aún más el crecimiento del mercado global. Se espera que las aplicaciones militares de radiofrecuencia y guerra electrónica crezcan además de los avances tecnológicos en vehículos autónomos y drones.
• Los amplificadores de potencia de RF (PA), por tanto, forman parte integral de todas las estaciones base para infraestructuras móviles inalámbricas. Representan uno de los componentes más caros de los subconjuntos de los equipos de infraestructura modernos. Los semiconductores GaN RF utilizados en estos amplificadores de potencia deben evolucionar con las realidades económicas y técnicas que enfrentan los diseñadores y usuarios de estos PA de RF.
• Debido a los cierres impuestos por el gobierno y las restricciones a los viajes y al comercio, muchas industrias, como la electrónica, la automoción, la aeroespacial y de defensa, y las telecomunicaciones, se vieron obligadas a cerrar sus operaciones, lo que redujo la demanda de semiconductores de potencia de RF en 2020. A partir de 2022, Varios fabricantes de componentes de RF han reorganizado sus cadenas de suministro trabajando con proveedores regionales de materias primas. En el futuro, se prevé que esto reduzca la carga de la pandemia de COVID-19 sobre los productores.