Tamaño del mercado de memoria resistiva de acceso aleatorio (RAM)
| Período de Estudio | 2019 - 2029 |
| Año Base Para Estimación | 2023 |
| CAGR | 29.90 % |
| Mercado de Crecimiento Más Rápido | Asia Pacífico |
| Mercado Más Grande | América del norte |
| Concentración del Mercado | Medio |
Principales actores
*Nota aclaratoria: los principales jugadores no se ordenaron de un modo en especial |
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Análisis de mercado de memoria resistiva de acceso aleatorio (RAM)
Se espera que el mercado de RAM resistiva registre una tasa compuesta anual del 29,9% durante el período previsto. Se prevé que la RAM resistiva, una memoria no volátil, se hará con una cuota de mercado sustituyendo la memoria de acceso aleatorio estática y la memoria de acceso aleatorio dinámica. El reemplazo será posible gracias a los numerosos beneficios que brinda la memoria resistiva de acceso aleatorio, como una gran densidad de almacenamiento y empaquetado 3D, que permite coordinar y organizar capas de dispositivos de memoria en un solo chip, conmutación rápida para un rápido intercambio de información y uso menos energía por ciclo de conmutación. ReRAM también puede reemplazar la memoria flash utilizada en teléfonos móviles y otros dispositivos electrónicos de consumo como reproductores MP3.
- Además, la creciente adopción de tecnología de sensores, como dispositivos portátiles y habilitados para IA en varias regiones del mundo, ha impulsado la demanda de transferencias de datos rápidas y una alta densidad de almacenamiento, lo que a su vez está brindando una tremenda oportunidad o posibilidad para el crecimiento. del mercado de memorias resistivas de acceso aleatorio a nivel mundial.
- Además, varias empresas de memorias están invirtiendo en tecnología ReRAM. Por ejemplo, en abril del año pasado, CrossBar Inc., un proveedor de tecnología de memoria no volátil, anunció nuevas aplicaciones de su tecnología ReRAM para su uso en almacenamiento y procesamiento seguros, donde la resistencia a la ingeniería inversa y los ataques físicos es un requisito esencial del sistema.. La tecnología de la empresa ahora se ofrece para su uso en aplicaciones de memoria que requieren niveles más altos de seguridad de contenido.
- La memoria resistiva de acceso aleatorio (ReRAM) está ganando terreno como alternativa a la memoria no volátil (NVM), particularmente en contextos de nube y centros de datos donde el rendimiento y la eficiencia energética mejoran constantemente. La tecnología ReRAM ha demostrado una latencia de lectura más baja y una versión de escritura más rápida que las memorias flash, al mismo tiempo que logra una energía de programa de 64 pJ/celda, lo que representa una mejora del 20 % con respecto a NAND, a medida que crece la demanda de datos por parte de los usuarios a través de servicios premium como la transmisión de video y de las máquinas. a través del Internet de las Cosas (IoT). Además, los arreglos ReRAM verticales 3D proporcionan subsistemas de memoria de alto rendimiento capaces de reemplazar los SSD estándar basados en DRAM o flash en entornos de centros de datos, lo que permite un procesamiento, almacenamiento y recuperación de datos más rápidos en factores de forma significativamente más pequeños con un menor consumo de energía.
- Sin embargo, los crecientes costos de la memoria resistiva de acceso aleatorio y la complejidad de diversas aplicaciones tecnológicas se han convertido en desafíos cruciales que pueden obstaculizar el crecimiento del mercado durante el período previsto.
- Además, es probable que la pandemia de COVID-19 esté impidiendo el crecimiento general previsto del mercado, atribuido principalmente a la interrupción de la cadena de suministro, y varias empresas han sido testigos de una escasez de componentes como inductores y condensadores para la fabricación. Pero en los años siguientes, se espera que la innovación y la implementación de nuevos materiales impulsen la demanda de memoria resistiva de acceso aleatorio en diversos sectores verticales en todo el mundo.
Tendencias del mercado de memoria resistiva de acceso aleatorio (RAM)
La creciente demanda de dispositivos conectados en el segmento de electrónica de consumo está impulsando la demanda de ReRAM
- Las ReRAM pueden calcular más rápido que las RAM normales, son mejores para aplicaciones de lectura intensiva y son ideales para memoria de clase de almacenamiento en servidores. Además, se espera que la creciente demanda de dispositivos interconectados en materia de electrónica de consumo, el uso cada vez mayor de tecnologías de sensores, incluidos dispositivos portátiles y habilitados para IA, y los avances de los actores de la industria contribuyan al crecimiento del mercado.
- Por ejemplo, en agosto del año pasado, Enphase Energy, Inc., una empresa mundial de tecnología energética y el mayor productor mundial de sistemas fotovoltaicos y de almacenamiento basados en microinversores, lanzó una nueva colaboración con Home Connect. Esta red digital accesible permite controlar electrodomésticos de muchos fabricantes con una única aplicación.
- Una mayor velocidad de conmutación constituye una ventaja principal de ReRAM sobre otras tecnologías de almacenamiento no volátil como la memoria flash NAND. ReRAM consume mucha menos energía que la memoria flash NAND. Eso lo hace más adecuado para la memoria en dispositivos sensores para aplicaciones industriales, automotrices y de Internet de las cosas (IoT). La computación neuromórfica es otra aplicación potencial de ReRAM.
- En los últimos años, se ha observado una demanda significativa de dispositivos conectados, como dispositivos portátiles, IoT y sistemas basados en IA. En estos dispositivos se utilizan RAM resistivas para aumentar las capacidades de almacenamiento. Además, con las próximas ciudades y hogares inteligentes, la cantidad de dispositivos conectados seguramente aumentará, lo que, a su vez, aumentará la demanda de servidores con gran capacidad de memoria.
- Para satisfacer los requisitos emergentes de IoT, varias empresas están introduciendo innovaciones para conectar y escalar operaciones remotas, haciendo realidad aplicaciones de IoT en tiempo real, seguras y con mucho ancho de banda. Por ejemplo, en septiembre del año pasado, Silicon Labs, pionero en innovación inalámbrica segura e inteligente para un mundo mejor conectado, dio a conocer una cartera de soluciones innovadoras que ampliaron significativamente su gama impulsada por la interoperabilidad, compatible con múltiples protocolos y sólidamente segura con nuevas soluciones para avanzar en los avances y patrones que definen el Internet de las cosas, como Amazon Sidewalk, Matter, Wi-SUN y Wi-Fi 6.
Para comprender las principales tendencias, descargue el informe de muestra
Se espera que Asia Pacífico tenga una participación importante del mercado
- Se espera que Asia Pacífico tenga una posición sólida en el mercado mundial de memorias resistivas de acceso aleatorio durante el período previsto. China, Corea del Sur e India son algunos de los principales países que impulsan el crecimiento del mercado en la región de Asia Pacífico. La creciente industria automotriz y de electrónica de consumo alimenta principalmente la demanda de memoria resistiva de acceso aleatorio en los países de Asia Pacífico.
- Además, muchas organizaciones están estableciendo centros de datos en esta región, lo que también ampliará la demanda del mercado de RAM resistiva. Las naciones en desarrollo, como India, China y Japón, impulsarán el crecimiento del mercado en esta región debido al crecimiento de servidores empresariales, centros de datos, inteligencia artificial e infraestructura conectada.
- China está desarrollando su industria nacional de circuitos integrados y planea fabricar más chips. La importante presencia de fabricantes en la región también es un factor importante que contribuye al mercado. China alberga varias fundiciones globales con una creciente influencia en el sector mundial de semiconductores.
- Las crecientes inversiones en los fabricantes basados en tecnología ReRAM están impulsando la tasa de crecimiento del mercado. Por ejemplo, Xinyuan Semiconductor, que se centra en la investigación y el desarrollo de nuevos productos de memoria de ReRAM y productos derivados asociados, se ha convertido en la empresa líder en tecnología de nuevas memorias de China.
- Además, en marzo de 2022, Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited reveló el lanzamiento del MB85AS12MT, una ReRAM de 12 Mbit con la mayor capacidad en la línea de productos ReRAM de Fujitsu. Este nuevo invento es un almacenamiento no volátil con una alta capacidad de memoria de 12 Mbit en un tamaño de paquete compacto de aproximadamente 2 mm x 3 mm.
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Descripción general de la industria de la memoria resistiva de acceso aleatorio (RAM)
El mercado de RAM resistiva es moderadamente competitivo y está formado por varios actores importantes. Actores del mercado como Rambus Inc., Panasonic Corporation, Adesto Technologies, Fujitsu Ltd y Crossbar Inc., entre otras, son algunas de las principales empresas que operan en el mercado. Estos importantes actores se centran en ampliar su capacidad de producción y aprovechar iniciativas de colaboración estratégicas para aumentar su participación de mercado y su rentabilidad.
En noviembre de 2022, Infineon Technologies lanzó la tecnología de memoria no volátil (NVM) de RAM resistiva (RRAM) de TSMC en su próxima generación de microcontroladores automotrices. RRAM es una tecnología flash integrada emergente para microcontroladores que escala a tecnologías de proceso de 28 nm y más con la confiabilidad necesaria para los diseños automotrices. La tecnología es más inmune a las interferencias y permite la escritura bit a bit sin necesidad de borrar, al tiempo que tiene un rendimiento de resistencia y retención de datos comparable a la tecnología de memoria flash actual.
En octubre de 2022, Weebit Nano Limited, un desarrollador de tecnologías de memoria de próxima generación para la industria mundial de semiconductores, declaró que había completado la calificación tecnológica completa de su módulo de memoria resistiva de acceso aleatorio (ReRAM), fabricado principalmente por su socio de investigación y desarrollo. CEA-Leti. Esta es la primera calificación completa de la tecnología Weebit ReRAM, un paso crucial que debe completarse para cada producto semiconductor en cada nuevo proceso objetivo.
Líderes del mercado de memoria resistiva de acceso aleatorio (RAM)
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Panasonic Corporation
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Adesto Technologies
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Fujitsu Ltd
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Crossbar Inc.
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Rambus Inc.
*Nota aclaratoria: los principales jugadores no se ordenaron de un modo en especial
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Noticias del mercado de memoria resistiva de acceso aleatorio (RAM)
- Febrero de 2022 Intrinsic Semiconductor Technologies declaró que había escalado con éxito sus dispositivos de memoria de acceso aleatorio resistivo (RRAM) basados en óxido de silicio. Demostraron características de rendimiento eléctrico, que pueden permitir su uso como memoria no volátil integrada, de alto rendimiento y bajo costo en dispositivos lógicos en nodos de procesamiento avanzados. Los dispositivos RRAM de la empresa se han ampliado a dimensiones de 50 nm. La compañía dijo que los dispositivos habían demostrado un excelente comportamiento de conmutación, lo cual es clave para su uso como la próxima generación de memoria de estado sólido no volátil.
- Enero de 2022 Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited ha revelado la disponibilidad del FRAM MB85RQ8MLX de 8 Mbit con interfaz Quad SPI, la densidad más alta en la línea de productos FRAM de conexión SPI de Fujitsu.
Informe de mercado Memoria resistiva de acceso aleatorio (RAM) – Tabla de contenidos
1. INTRODUCCIÓN
1.1 Supuestos de estudio y definición de mercado
1.2 Alcance del estudio
2. METODOLOGÍA DE INVESTIGACIÓN
3. RESUMEN EJECUTIVO
4. PERSPECTIVAS DEL MERCADO
4.1 Visión general del mercado
4.2 Atractivo de la industria: análisis de las cinco fuerzas de Porter
4.2.1 El poder de negociacion de los proveedores
4.2.2 Poder de negociación de los consumidores
4.2.3 Amenaza de nuevos participantes
4.2.4 Amenaza de productos sustitutos
4.2.5 La intensidad de la rivalidad competitiva
4.3 Análisis de la cadena de valor de la industria
4.4 Evaluación del impacto del COVID-19 en la industria
5. DINÁMICA DEL MERCADO
5.1 Indicadores de mercado
5.1.1 Creciente demanda de IoT, computación en la nube y big data
5.1.2 Creciente demanda de aplicaciones de robots de automatización
5.2 Restricciones del mercado
5.2.1 Complejidad en Aplicaciones Tecnológicas
6. INSTANTÁNEA TECNOLOGÍA
6.1 tipo de material
6.1.1 OxRRAM
6.1.2 CBRAM
6.1.3 Filamento nanometálico
6.2 Descripción general de los tipos de soluciones
7. DESCRIPCIÓN GENERAL DEL MERCADO NVM: brinda cobertura para envíos generales de NVM (memoria no volátil). Los envíos se proporcionarán en términos de la cantidad de obleas equivalentes de 12 pulgadas, junto con las principales tendencias y desarrollos recientes, etc.
8. SEGMENTACIÓN DE MERCADO
8.1 Solicitud
8.1.1 Integrado (CI analógicos, MCU/SoC/ASIC/ASSP, informática en memoria)
8.1.2 Independiente (memoria rápida/confiable, almacenamiento de códigos/datos, almacenamiento de baja latencia y memoria persistente)
8.2 Usuario final
8.2.1 Industrial/IoT/Wearables/Automoción
8.2.2 SSD/Centros de datos/Estaciones de trabajo
8.3 Geografía
8.3.1 Américas
8.3.2 Europa
8.3.3 Porcelana
8.3.4 Japón
8.3.5 Asia-Pacífico (excluidos China y Japón)
9. PANORAMA COMPETITIVO
9.1 Perfiles de empresa
9.1.1 Crossbar Inc.
9.1.2 4DS Memory Limited
9.1.3 Dialog Semiconductor PLC
9.1.4 Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited
9.1.5 Weebit-Nano Ltd
9.1.6 Xinyuan Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd.
10. ANÁLISIS DE INVERSIONES
11. PERSPECTIVAS FUTURAS DEL MERCADO
Segmentación de la industria de la memoria resistiva de acceso aleatorio (RAM)
Memoria resistiva de acceso aleatorio (ReRAM o RRAM) es una memoria de computadora de acceso aleatorio no volátil que funciona según el principio de cambiar la resistencia sobre un material dieléctrico de estado sólido. La memoria de acceso aleatorio resistiva se basa en aplicar la función de memoria cambiando la resistencia del material entre un estado alto y bajo.
El mercado de RAM resistiva está segmentado por aplicación (integrada, independiente), usuario final (industrial/IoT/wearables/automotriz, SSD/centros de datos/estaciones de trabajo) y geografía (América, Europa, China, Japón, Asia-Pacífico ((excl. China y Japón). Los tamaños de mercado y las previsiones se proporcionan en términos de valor (millones de dólares) para todos los segmentos anteriores.
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Preguntas frecuentes sobre investigación de mercado de Memoria de acceso aleatorio resistiva (RAM)
¿Cuál es el tamaño actual del mercado RAM resistiva?
Se proyecta que el mercado RAM resistiva registrará una tasa compuesta anual del 29,90% durante el período de pronóstico (2024-2029).
¿Quiénes son los actores clave en el mercado RAM resistiva?
Panasonic Corporation, Adesto Technologies, Fujitsu Ltd, Crossbar Inc., Rambus Inc. son las principales empresas que operan en el mercado de RAM resistiva.
¿Cuál es la región de más rápido crecimiento en el mercado RAM resistiva?
Se estima que Asia Pacífico crecerá a la CAGR más alta durante el período previsto (2024-2029).
¿Qué región tiene la mayor participación en el mercado RAM resistiva?
En 2024, América del Norte representa la mayor cuota de mercado en el mercado de RAM resistiva.
¿Qué años cubre este mercado de RAM resistiva?
El informe cubre el tamaño histórico del mercado de RAM resistiva para los años 2019, 2020, 2021, 2022 y 2023. El informe también pronostica el tamaño del mercado de RAM resistiva para los años 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 y 2029.
Informe de la industria de RAM resistiva
Estadísticas para la participación de mercado, el tamaño y la tasa de crecimiento de ingresos de RAM resistiva en 2024, creadas por Mordor Intelligence™ Industry Reports. El análisis de RAM resistiva incluye una perspectiva de pronóstico del mercado hasta 2029 y una descripción histórica. Obtenga una muestra de este análisis de la industria como descarga gratuita del informe en PDF.
RAM resistiva Panorama de los reportes
