transistor bipolar de puerta aislada igbt Volumen del mercado

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Volumen del mercado de transistor bipolar de puerta aislada igbt Industria

Resumen del mercado Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
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Período de Estudio 2018 - 2026
Año Base Para Estimación 2021
CAGR 9.66 %
Mercado de Crecimiento Más Rápido Asia Pacífico
Mercado Más Grande América del norte
Concentración del Mercado Alto

Jugadores Principales

Mercado IGBT

*Nota aclaratoria: los principales jugadores no se ordenaron de un modo en especial

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¿Necesita un informe que refleje la manera en la que el COVID-19 ha impactado en este mercado y su crecimiento?

Visión general del mercado

El mercado de IGBT se valoró en 6.047 millones de dólares en 2020, y se espera que alcance los 11.010 millones de dólares en 2026, con una tasa compuesta anual del 10,56%, durante el período previsto (2021-2026). La amplia gama de aplicaciones de los IGBT atrajo a varias empresas nuevas a aventurarse en el mercado. IGBT activa/modifica la energía eléctrica en varios electrodomésticos modernos, como cocinas, microondas, automóviles eléctricos, trenes, variadores de frecuencia (VFD), refrigeradores de velocidad variable, aires acondicionados, balastos de lámparas, sistemas municipales de transmisión de energía y sistemas estéreo, que están bien equipados con amplificadores de conmutación

  • Impulsado por la regulación de las emisiones de carbono, el mercado del automóvil avanza hacia la electrificación de los sistemas de propulsión de los vehículos eléctricos e híbridos (EV/HEV), donde las pérdidas por conducción y conmutación se reducen significativamente, lo que tiene un impacto directo en la eficiencia general.
  • Las ventas de automóviles eléctricos en Europa, América del Norte y China están creando nuevas vías para que los IGBT respalden la infraestructura y fabriquen vehículos eléctricos. De esta forma, la posición de los IGBT en el mercado se fortalece aún más.
  • Los IGBT no pudieron penetrar en el mercado de rangos de voltaje más bajos (<400 V), ya que ofrecen una ventaja importante en comparación con los MOSFET. No puede manejar una corriente libre limitada ya que carece de diodo de drenaje del cuerpo y de una gran cola de corriente. Los IGBT son vulnerables a los problemas de calentamiento porque funcionan a frecuencias muy altas y con alta potencia. La caracterización térmica ayuda a optimizar el diseño, la estructura y el montaje de los IGBT para optimizar su rendimiento.

Mercado de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) crecimiento, tendencias, impacto de COVID-19 y pronósticos (2022-2027)