Tendencias del Mercado de Memoria no volátil emergente global Industria
Creciente demanda de centros de datos
- Se espera que la creciente demanda de dispositivos de memoria, impulsada por la necesidad de memoria de los centros de datos, impulse la demanda de memorias no volátiles emergentes.
- Esta demanda de centros de datos está impulsada por la creciente demanda de computación de alto rendimiento, computación perimetral, big data y aplicaciones en la nube. La creciente adopción del aprendizaje automático y la inteligencia artificial impulsa a los proveedores a optar por capacidades de datos más rápidas y más altas. La rápida adopción del trabajo remoto, las clases educativas en línea y la asistencia médica en línea durante la pandemia complementaron aún más el crecimiento.
- Además, en respuesta a los nuevos proyectos de construcción de centros de datos de Google, Amazon Web Service, Facebook y Microsoft Azure, Intel y AMD introdujeron nuevos procesadores para servidores en los últimos años. Se espera que tendencias similares impulsen el mercado.
- El mercado de centros de datos de Asia-Pacífico está impulsado por las economías en desarrollo de China e India. Se espera que el crecimiento en el mercado chino de centros de datos se vea impulsado por iniciativas gubernamentales de apoyo e inversiones internacionales. El impulso del gobierno a la IA en el uso de la seguridad y la inteligencia fortalece aún más la demanda de memorias no volátiles emergentes.
- Según NASSCOM, India actualmente admite 80 centros de datos de terceros. Está siendo testigo de la inversión de actores locales e internacionales que se espera que alcance los USD 4.6 mil millones por año para 2025.
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Asia-Pacífico registrará una participación de mercado significativa durante el período de pronóstico
- Asia-Pacífico es uno de los mercados más grandes para las memorias emergentes no volátiles a nivel mundial. La región tiene una gran demanda de casi todas las aplicaciones de usuario final, liderada principalmente por la demanda de teléfonos inteligentes en múltiples países en desarrollo, como China, India, Indonesia, etc.
- La India tiene una gran base de consumidores de teléfonos móviles, por lo que se prevé que la producción de teléfonos móviles aumente su valor de 30 millones de dólares en el año fiscal 21 a 126 millones de dólares en el año fiscal 26, según Invest in India, la Agencia Nacional de Promoción y Facilitación de Inversiones del Gobierno de la India.
- Además, el desarrollo de nueva infraestructura, incluidos los centros de datos, ha ido creciendo en China, impulsado por un aumento en la demanda de entretenimiento en línea, teletrabajo y servicios de videollamadas y llamadas de voz. Con el rápido desarrollo de la economía digital, la construcción de grandes centros de datos en el país es cada vez más notable. Esto ha llevado al crecimiento del uso emergente de memoria no volátil en dichos centros de datos, lo que ayuda a reducir el tiempo de inactividad causado por un corte de energía o un evento de bloqueo del sistema, lo que proporciona un valor financiero significativo.
- Las instalaciones de fabricación de semiconductores en países como China, Corea y Singapur son muy activas. Varios fabricantes multinacionales de memorias dirigen una inmensa cantidad de capital al mercado chino, especialmente impulsados por las iniciativas gubernamentales del país, como Made in China 2025. El ambicioso objetivo del país es alcanzar un valor de 305.000 millones de dólares en producción de semiconductores para el año 2030 y satisfacer alrededor del 80% de la demanda interna de semiconductores. Se espera que este factor atraiga más inversiones al país durante el período de pronóstico.
- Además, los principales institutos de investigación y universidades regionales están desarrollando diversas tecnologías relacionadas con la memoria no volátil emergente. Por ejemplo, en enero de 2022, un equipo de investigación internacional dirigido por el profesor asociado Pham Nam Hai del Departamento de Ingeniería Eléctrica y Electrónica del Instituto de Tecnología de Tokio, junto con otros investigadores de la Universidad de California, creó dispositivos de RAM magnetorresistiva de par espín-órbita (SOT-MRAM) que integran uniones de túnel magnético (MTJ) y aislantes topológicos. Se demostró una lectura a través de un efecto de magnetorresistencia de túnel relativamente alto y la escritura utilizando una baja densidad de corriente mediante un aislante topológico.
- Por lo tanto, debido a los factores antes mencionados, se prevé que la participación en los ingresos de Asia-Pacífico crezca más rápido que las otras regiones geográficas durante el período de pronóstico.
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