Volumen del mercado de GaN Semiconductor Devices Industria
| Período de Estudio | 2021 - 2029 |
| Año Base Para Estimación | 2023 |
| CAGR | 17.21 % |
| Mercado de Crecimiento Más Rápido | Asia Pacífico |
| Mercado Más Grande | América del norte |
| Concentración del Mercado | Bajo |
Jugadores Principales
*Nota aclaratoria: los principales jugadores no se ordenaron de un modo en especial |
¿Necesita un informe que refleje la manera en la que el COVID-19 ha impactado en este mercado y su crecimiento?
Análisis de mercado de dispositivos semiconductores de nitruro de galio (GaN)
Se espera que el mercado de dispositivos semiconductores GaN registre una tasa compuesta anual del 17,21% durante el período previsto. GaN (nitruro de galio) está creando un cambio innovador en todo el sector de la electrónica de potencia. Durante décadas, los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) basados en silicio han sido una parte integral del mundo moderno cotidiano que ayuda a convertir energía en potencia. GaN está reemplazando al silicio como columna vertebral de la tecnología de conmutación de energía, ya que puede satisfacer las crecientes necesidades con un mejor rendimiento, eficiencia y costo del sistema de energía
- GaN se utiliza para producir dispositivos de potencia semiconductores, componentes de RF y diodos emisores de luz (LED). Ha alterado la tecnología de los semiconductores de silicio que se utilizan en RF, conversión de energía y aplicaciones analógicas. El aumento del gasto en semiconductores tiene un impacto positivo en el crecimiento del mercado considerado.
- Además, el mercado de dispositivos semiconductores de GaN está siendo impulsado por la creciente necesidad de radiofrecuencia en el mercado de semiconductores, el crecimiento de la industria de la electrónica de consumo, especialmente en iluminación y pantallas basadas en LED, y el aumento de los vehículos eléctricos, el suministro de energía, e inversores fotovoltaicos.
- Además, GaN ofrece rentabilidad y la eliminación de los requisitos de refrigeración en comparación con el silicio y el arseniuro de galio. Además, el coste de producción de un dispositivo GaN es mucho menor que el coste de producción de un dispositivo MOSFET, ya que los dispositivos GaN se fabrican utilizando procedimientos estándar de fabricación de silicio en las mismas fábricas donde se fabrican los semiconductores de silicio tradicionales, y como los dispositivos GaN se fabrican mucho más pequeño para el mismo rendimiento funcional.
- Los fabricantes de dispositivos semiconductores están integrando un número cada vez mayor de componentes pasivos por circuito, lo que genera una mayor complejidad en el diseño de los circuitos y limitaciones de acceso físico. Esto requeriría un patrón significativo que utilice máscaras sin errores para transferir el patrón a obleas sin errores ni defectos. Por lo tanto, la apremiante necesidad de los OEM de tener una ventaja en el rendimiento de los dispositivos impulsa el mercado estudiado.
- Además, con el creciente desarrollo de materiales de banda ancha (WBG), se estimula a los proveedores del mercado a fabricar productos de mercado pequeños sin comprometer el rendimiento. GaN presenta algunos desafíos únicos para los componentes pasivos esenciales utilizados en la conversión de energía y los circuitos de accionamiento de motores para igualar el ritmo de las innovaciones en el proceso de semiconductores.
- La pandemia de COVID-19 ha provocado enormes interrupciones en las cadenas de suministro en todas las industrias a nivel mundial, debido a que muchas empresas en todo el mundo han detenido o reducido sus operaciones para ayudar a combatir la propagación del virus. La pandemia ha impactado el mercado estudiado, provocando una caída en los niveles de operación en toda la cadena de producción de materias primas y suministro para la producción de componentes. Esto indica una caída en las ventas entre varios países y regiones.
