Cuotas de Mercado. de GaN Semiconductor Devices Industria
El mercado de dispositivos semiconductores GaN es intrínsecamente competitivo. Algunos de los actores importantes del mercado son Toshiba Electronic Devices Storage Corporation, GaN Systems, Infineon Technologies AG, Efficient Power Conversion Corporation, NXP Semiconductors y muchos más. Las empresas están aumentando su participación de mercado formando múltiples asociaciones e invirtiendo en la introducción de nuevos productos para obtener una ventaja competitiva durante el período de pronóstico
En julio de 2022, GaN Systems se asoció con PowerSphyr Advance para ofrecer soluciones integrales de energía inalámbrica. Las empresas anunciaron su asociación para proporcionar una cartera pionera en la industria de soluciones de energía inalámbrica de extremo a extremo (30 vatios, 100 vatios y 500 vatios) para aplicaciones industriales y automotrices a nivel mundial. La asociación combina los semiconductores GaN líderes en la industria de GaN Systems con los años de experiencia en tecnología energética de PowerSphyr. Por ejemplo, PowerSphyr está implementando semiconductores de potencia de sistemas GaN en el receptor de la solución de carga inalámbrica además del transmisor. La combinación cambia las reglas del juego al ofrecer soluciones de carga de alto rendimiento, fáciles de usar y completamente inalámbricas
En julio de 2022, Infineon Technologies AG colaboró con Delta Electronics en soluciones de energía para PC para juegos y servidores basados en WBG para ofrecer soluciones superiores a los clientes finales. Los últimos ejemplos de cooperación incluyen la plataforma de energía para juegos Titanium de 1,6 kW de Delta y una fuente de alimentación para servidores de 1,4 kW. La fuente de alimentación del servidor de 1,4 kilovatios aprovecha la tecnología MOSFET CoolSiC de Infineon Technology y la competencia central de electrónica de potencia de varias décadas de Delta para lograr una eficiencia del 96 %. Otro ejemplo de la mayor eficiencia es la plataforma de potencia para juegos de 1,6 kW impulsada por la tecnología CoolGaN de Infineon, complementada con circuitos integrados de controlador de puerta EiceDRIVER. Este diseño tiene una eficiencia de hasta el 96 % en una amplia gama de entradas y múltiples salidas, y cumple con el estándar Titanium en el ámbito industrial. Este HEMT en modo electrónico de 600 voltios, adaptado en una topología PFC de tótem entrelazado, es posible gracias al CoolGaN GIT de Infineon
Dispositivos semiconductores de nitruro de galio (GaN) Líderes del mercado
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GaN Systems
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Infineon Technologies AG
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Efficient Power Conversion Corporation
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Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
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NXP Semiconductors
*Nota aclaratoria: los principales jugadores no se ordenaron de un modo en especial
