Tamaño del mercado de dispositivos semiconductores GaN RF
Período de Estudio | 2019 - 2029 |
Año Base Para Estimación | 2023 |
CAGR | 30.58 % |
Mercado de Crecimiento Más Rápido | Asia Pacífico |
Mercado Más Grande | América del norte |
Concentración del Mercado | Medio |
Principales actores*Nota aclaratoria: los principales jugadores no se ordenaron de un modo en especial |
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Análisis de mercado de dispositivos semiconductores GaN RF
Se espera que el mercado de dispositivos semiconductores GaN RF crezca a una tasa compuesta anual del 30,58% durante el período previsto (2021-2026). El brote de COVID-19 ha comenzado a afectar las líneas de suministro en varias industrias, y la industria de las telecomunicaciones no es una excepción. Para la industria de las telecomunicaciones, se espera que la COVID-19 impida significativamente la penetración del 5G. En esta situación crítica, se espera que los consumidores no dejen de usar teléfonos móviles, pero es posible que la mayoría de ellos no puedan invertir más en una tecnología que aún se encuentra en una etapa incipiente. Debido al crecimiento de Internet de las cosas (IoT), la llegada de la red 5G y las aplicaciones generalizadas en varios sectores verticales de la industria ofrecerán inmensas oportunidades de crecimiento al mercado de semiconductores RF GaN.
- La implementación exitosa de IoT necesita la transferencia de datos a través de una red sin interacción entre humanos y computadoras. La creciente implementación de IoT dará como resultado una congestión de la señal y exigirá el uso de tecnología GaN que puede amplificar la potencia, la capacidad y el ancho de banda necesarios para comunicarse con todos los dispositivos interconectados.
- El desarrollo de la tecnología MEMS es una parte integral de los dispositivos IoT y también tendrá un impacto positivo en el mercado de dispositivos semiconductores GaN RF. Se espera que la creciente demanda de teléfonos inteligentes, dispositivos de juegos, computadoras portátiles y televisores impulse el mercado de dispositivos semiconductores GaN en el sector de la electrónica de consumo.
- La creciente competencia con el SiC puede obstaculizar la cuota de mercado de los semiconductores de RF de GaN, ya que el SiC tiene una conductividad térmica más alta que el GaN , lo que significa que, en teoría, los dispositivos de SiC pueden funcionar con densidades de potencia más altas que el GaN.
- La actual crisis provocada por la COVID-19 puede actuar como impulsor del avance tecnológico, a pesar de los desafíos que enfrenta la industria. Mientras que, en algunos casos, el 5G ya está demostrando su valía. Por ejemplo, en Wuhan (China), Huawei instaló una red 5G en un hospital especializado en tres días. Como resultado del esfuerzo, los robots habilitados para 5G pudieron ayudar a cuidar a los pacientes en el hospital y tomar medidas, reduciendo la cantidad de tiempo que el personal médico debe dedicar a los pacientes infecciosos.
Tendencias del mercado de dispositivos semiconductores GaN RF
Proliferación de redes inalámbricas de evolución a largo plazo para impulsar el crecimiento del mercado
- El aumento de las redes inalámbricas de evolución a largo plazo (LTE) es uno de los principales factores de crecimiento del mercado de dispositivos semiconductores GaN RF. El consumo de datos en constante aumento ha dado lugar al crecimiento de las redes comerciales e inducirá a los operadores de red a adoptar redes LTE de próxima generación, como 4G y 5G.
- Debido a su capacidad para proporcionar conexiones de ancho de banda de datos de mayor frecuencia, la tecnología GaN RF pronto será la opción ideal para los proveedores de servicios de red. Los dispositivos GaN RF ayudan a garantizar que el dispositivo pueda generar la frecuencia máxima en la banda necesaria y también evitan cualquier interferencia de otras bandas de frecuencia.
- El despliegue de dispositivos de potencia GaN RF permitirá que los dispositivos LTE ofrezcan velocidades que permitan a los consumidores cargar y descargar contenidos, como música y fotografías, y también jugar juegos en línea y ver programas de televisión en línea en bandas de frecuencia máximas, lo que conducirá a un aumento en su adopción.
- RF GaN desempeña un papel vital en la infraestructura inalámbrica para mejorar la eficiencia y ampliar el ancho de banda para soportar la velocidad de transmisión de datos en constante aumento. La creciente adopción de la tecnología 5G y los avances en las comunicaciones inalámbricas serán impulsores importantes para el mercado RF GaN. La creciente adopción de transistores de potencia GaN también podría resultar útil para los proveedores de telecomunicaciones.
América del Norte tendrá la mayor participación
- El crecimiento del mercado de semiconductores GaN en América del Norte se correlaciona fuertemente con el crecimiento de las industrias de usuarios finales, como las de telecomunicaciones, aeroespacial y de defensa, electrónica de consumo, automotriz, industrial y otras.
- Además, la presencia de actores líderes en la industria también contribuye a la participación de la región. El crecimiento en América del Norte se ve alentado por el impulso del sector de defensa con una mayor utilización de transistores basados en GaN, radares militares y guerra electrónica en aplicaciones militares.
- Además, la creciente demanda de productos electrónicos de consumo, como televisores, computadoras portátiles, dispositivos de juego, computadoras personales y tabletas ha impulsado aún más el crecimiento de este mercado en América del Norte.
- Además, la experiencia en tecnología ha dado como resultado el crecimiento de computadoras portátiles convertibles, televisores ultra HD o 4K y otros dispositivos electrónicos inalámbricos diversos, aumentando la demanda de semiconductores RF GaN en el mercado de electrónica de consumo de la región.
- Según la Asociación de la Industria de Semiconductores (SIA) y las Estadísticas del Comercio Mundial de Semiconductores, la industria de los semiconductores emplea directamente a casi un cuarto de millón de trabajadores en los EE. UU., y las ventas de las empresas de semiconductores estadounidenses ascendieron a 8.050 millones de dólares en enero de 2021.
Descripción general de la industria de dispositivos semiconductores GaN RF
El mercado de dispositivos semiconductores GaN RF no está consolidado ni fragmentado. Algunos de los actores clave incluyen GaN Systems, NXP Semiconductor, Qorvo Inc., Wolfspeed, Inc. (A CREE Company), Broadcom Inc., Efficient Power Conversion, Fujitsu Semiconductor, NTT Advanced Technology, Texas Instruments, entre otros.
- Mayo de 2021 NXP Semiconductors NV vendió bonos por valor de 2 mil millones de dólares para ayudar a financiar el desarrollo de semiconductores que reducen el consumo de energía en productos como adaptadores de corriente y vehículos eléctricos. Se trata de lograr una menor huella de carbono y una producción más eficiente energéticamente en las fábricas de semiconductores. NXP dijo que había reducido las emisiones absolutas de compuestos perfluorados (PFC), que son gases de efecto invernadero, en un 66%.
Líderes del mercado de dispositivos semiconductores GaN RF
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GaN Systems
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Qorvo Inc.
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Wolfspeed, Inc.(A CREE Company)
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Texas Instruments
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Broadcom Inc.
*Nota aclaratoria: los principales jugadores no se ordenaron de un modo en especial
Noticias del mercado de dispositivos semiconductores GaN RF
- Septiembre de 2020 NXP Semiconductor NV anunció la apertura de su fábrica de nitruro de galio (GaN) RF de 150 mm (6 pulgadas) en Chandler, Arizona, la fábrica más avanzada dedicada a amplificadores de potencia de RF 5G en los Estados Unidos. La nueva fábrica interna combina la experiencia de NXP como líder de la industria en energía de RF y su conocimiento de fabricación de alto volumen, lo que da como resultado una innovación optimizada que respalda la expansión de las estaciones base 5G y la infraestructura de comunicación avanzada en los mercados industrial, aeroespacial y de defensa.
Informe de mercado Dispositivos semiconductores GaN RF – Tabla de contenidos
1. INTRODUCCIÓN
1.1 Entregables del estudio
1.2 Supuestos del estudio
1.3 Alcance del estudio
2. METODOLOGÍA DE INVESTIGACIÓN
3. RESUMEN EJECUTIVO
4. DINÁMICA DEL MERCADO
4.1 Visión general del mercado
4.2 Evaluación del impacto del Covid-19
4.3 Indicadores de mercado
4.3.1 Proliferación de redes inalámbricas de evolución a largo plazo
4.4 Restricciones del mercado
4.4.1 Competencia del SiC
4.5 Análisis de la cadena de valor de la industria
4.6 Atractivo de la industria: análisis de las cinco fuerzas de Porter
4.6.1 Poder de negociación de los compradores/consumidores
4.6.2 El poder de negociacion de los proveedores
4.6.3 Amenaza de nuevos participantes
4.6.4 Amenaza de productos sustitutos
4.6.5 La intensidad de la rivalidad competitiva
4.7 Descripción general del panorama de patentes de RF GaN
5. SEGMENTACIÓN DE MERCADO
5.1 Por aplicación
5.1.1 Defensa y Aeroespacial
5.1.2 telecomunicaciones
5.1.3 Electrónica de consumo
5.1.4 Automotor
5.1.5 Industrial
5.1.6 Otras Aplicaciones (Centros de Datos, Energías Renovables, etc.)
5.2 Por geografía
5.2.1 América del norte
5.2.2 Europa
5.2.3 Asia Pacífico
5.2.4 América Latina
5.2.5 Medio Oriente y África
6. PANORAMA COMPETITIVO
6.1 Perfiles de empresa
6.1.1 GaN Systems
6.1.2 NXP Semiconductor
6.1.3 Qorvo Inc.
6.1.4 Wolfspeed Inc.(A CREE Company)
6.1.5 Broadcom Inc.
6.1.6 Efficient Power Conversion
6.1.7 Fujitsu Semiconductor
6.1.8 NTT Advanced Technology
6.1.9 Texas Instruments
7. ANÁLISIS DE INVERSIONES
8. FUTURO DEL MERCADO
Segmentación de la industria de dispositivos semiconductores GaN RF
GAN se destaca en las aplicaciones de RF por varias razones, como un alto campo de ruptura, una alta velocidad de saturación y excelentes propiedades térmicas, a través de las cuales han sido fundamentales para transmitir señales a largas distancias o en niveles de potencia de alto nivel. El estudio de mercado se centra en las tendencias que afectan al mercado en las principales regiones, como América del Norte, Europa, Asia-Pacífico, América Latina y Oriente Medio y África. El estudio también rastrea los parámetros clave del mercado, los factores de influencia subyacentes en el crecimiento y los principales proveedores que operan en la industria y el impacto de COVID-19 en la industria RF GaN en general y su desempeño.
Por aplicación | ||
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Por geografía | ||
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Preguntas frecuentes sobre investigación de mercado de dispositivos semiconductores de RF GaN
¿Cuál es el tamaño actual del mercado Dispositivos semiconductores GaN RF?
Se proyecta que el mercado de dispositivos semiconductores GaN RF registre una tasa compuesta anual del 30,58% durante el período de pronóstico (2024-2029).
¿Quiénes son los actores clave en el mercado Dispositivos semiconductores GaN RF?
GaN Systems, Qorvo Inc., Wolfspeed, Inc.(A CREE Company), Texas Instruments, Broadcom Inc. son las principales empresas que operan en el mercado de dispositivos semiconductores GaN RF.
¿Cuál es la región de más rápido crecimiento en el mercado Dispositivos semiconductores GaN RF?
Se estima que Asia Pacífico crecerá a la CAGR más alta durante el período previsto (2024-2029).
¿Qué región tiene la mayor participación en el mercado de dispositivos semiconductores GaN RF?
En 2024, América del Norte representa la mayor cuota de mercado en el mercado de dispositivos semiconductores GaN RF.
¿Qué años cubre este mercado de Dispositivos semiconductores GaN RF?
El informe cubre el tamaño histórico del mercado de Dispositivos semiconductores de RF GaN durante los años 2019, 2020, 2021, 2022 y 2023. El informe también pronostica el tamaño del mercado de Dispositivos semiconductores de RF GaN para los años 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 y 2029.
Informe de la industria de dispositivos semiconductores GaN RF
Estadísticas para la participación de mercado, el tamaño y la tasa de crecimiento de ingresos de dispositivos semiconductores de RF GaN en 2024, creadas por Mordor Intelligence™ Industry Reports. El análisis de Dispositivos semiconductores de RF GaN incluye una perspectiva de previsión del mercado hasta 2029 y una descripción histórica. Obtenga una muestra de este análisis de la industria como descarga gratuita del informe en PDF.