Tamaño del mercado de obleas de arseniuro de galio (GaAs)
| Período de Estudio | 2019 - 2029 |
| Volumen del mercado (2024) | USD 1.18 mil millones de dólares |
| Volumen del mercado (2029) | USD 2.03 mil millones de dólares |
| CAGR(2024 - 2029) | 11.44 % |
| Mercado de Crecimiento Más Rápido | América del norte |
| Mercado Más Grande | Asia Pacífico |
| Concentración del Mercado | Bajo |
Principales actores
*Nota aclaratoria: los principales jugadores no se ordenaron de un modo en especial |
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Análisis de mercado de obleas de arseniuro de galio (GaAs)
El tamaño del mercado de obleas de arseniuro de galio GaAs se estima en 1,18 mil millones de dólares en 2024 y se espera que alcance los 2,03 mil millones de dólares en 2029, creciendo a una tasa compuesta anual del 11,44% durante el período previsto (2024-2029).
El GaAs se utiliza principalmente en la electrónica, como en la fabricación de semiconductores. La creciente adopción de obleas de GaAs en productos como LED, diodos láser, dispositivos optoelectrónicos y circuitos integrados monolíticos de microondas se considera uno de los principales factores que impulsan el crecimiento del mercado estudiado. La regulación del precio de este compuesto crea más oportunidades de crecimiento para los fabricantes de obleas de arseniuro de galio (GaAs).
El arseniuro de galio o GaAs es un material compuesto formado por dos elementos. El semiconductor utilizado para fabricar obleas de GaAs es un semiconductor de banda prohibida directa, lo que significa que los electrones pueden pasar a través de los componentes mucho más rápido sin mucha interferencia, lo que los hace particularmente útiles en dispositivos optoelectrónicos.
La creciente adopción de teléfonos inteligentes y dispositivos informáticos y la creciente penetración de diodos emisores de luz (LED) en iluminación general son importantes impulsores de crecimiento para este mercado. La llegada de IoT también ha sido una de las principales razones responsables de la creciente tendencia del mercado. La tecnología también ha creado una demanda de dispositivos de comunicación de alta frecuencia con circuitos integrados basados en GaAs.
Como resultado, a medida que varias empresas de telecomunicaciones amplíen su infraestructura de comunicaciones, aumentará la demanda de obleas de GaAs, lo que influirá positivamente en el crecimiento del mercado estudiado en los próximos años. Además, debido a sus características inherentes, está aumentando la necesidad de obleas de GaAs en diversas industrias de usuarios finales, como la electrónica, la aeroespacial, la defensa y las comunicaciones, lo que, a su vez, también está impulsando la demanda de obleas de GaAs a nivel mundial.
Por ejemplo, las obleas de GaAs también son una excelente opción para ventanas ópticas y electrónica de alta potencia en el espacio exterior debido a su material de banda prohibida amplia y directa que resiste el daño por radiación, lo que también se prevé que ofrecerá oportunidades rentables para la expansión del mercado y dará lugar a nuevas tendencias y casos de uso, incluida su mayor adopción en sistemas de guerra electrónica, aviones eléctricos y desarrollos en tecnología de redes celulares de banda ancha.
Sin embargo, el precio de las obleas de GaAs se encuentra entre las principales desventajas, lo que explica su baja utilización. Para resolver estos problemas, los investigadores han logrado nuevos métodos de fabricación de películas delgadas de arseniuro de galio de bajo costo para ayudar a crear dispositivos que reemplazarían al silicio y respaldarían el crecimiento del mercado estudiado.
El estallido global de la pandemia de COVID-19 y las posteriores medidas gubernamentales decisivas tomadas para frenar la propagación del virus tuvieron un impacto notable en el sector de los semiconductores, afectando la fabricación de componentes de semiconductores y reduciendo la demanda de los clientes, impidiendo así el crecimiento del mercado global. Sin embargo, una mayor exposición a las tecnologías digitales mejoró significativamente la demanda de dispositivos electrónicos de consumo avanzados y de infraestructura digital de apoyo, lo que influyó positivamente en el crecimiento del mercado estudiado.
Tendencias del mercado de obleas de arseniuro de galio (GaAs)
Electrónica de radiofrecuencia para mantener una participación significativa en el mercado
Los dispositivos de radiofrecuencia (RF) producidos con sustratos de GaAs se utilizan ampliamente en aplicaciones de comunicaciones inalámbricas, incluidas redes inalámbricas (WLAN), estaciones base 4G/5G, comunicaciones móviles, comunicaciones por satélite y Wi-Fi. El desarrollo de tales tendencias marca un hito importante en el desarrollo de conjuntos de chips frontales de RF de próxima generación, ultracompactos y de alto rendimiento que se necesitan para teléfonos inteligentes y otros teléfonos móviles, compatibles con servicios 4G y 5G.
La mayor eficiencia y el menor consumo de energía de las obleas de GaAs también están incitando a los participantes del mercado a adoptarlas, lo que influye positivamente en la demanda de obleas de GaAs. Los dispositivos optoelectrónicos se utilizaban ampliamente en periféricos de computadoras y comunicaciones ópticas de corto alcance. Aún así, están en un buen nivel para nuevas aplicaciones como la realidad aumentada (AR), lidar y reconocimiento facial.
A nivel mundial, la penetración de Internet está aumentando, especialmente en países en desarrollo como India y Brasil, lo que estimula la demanda de obleas de GaAs. Posteriormente, la necesidad de redes de fibra óptica y backhaul, estaciones base y productos de conectividad Wi-Fi con infraestructura de comunicación inalámbrica ha respaldado la creciente penetración de Internet en todo el mundo, lo que, a su vez, está impulsando la adopción de obleas de GaAs.
Además, el crecimiento de la tasa de consumo de datos móviles y la amplia adopción de dispositivos IoT también impulsan la necesidad de Wi-Fi y otros dispositivos de comunicación inalámbrica. Como resultado de las altas tasas de crecimiento de dichos productos y tecnologías relacionadas con las comunicaciones inalámbricas, están ayudando a la adopción de obleas de GaAs. Por ejemplo, según 5G America, se espera que el número mundial de suscripciones móviles 5G crezca de 1,9 millones en 2023 a 5,9 millones en 2027.
Para comprender las principales tendencias, descargue el informe de muestra
Asia Pacífico dominará el mercado durante el período de pronóstico
La región de Asia Pacífico tiene una demanda creciente de dispositivos electrónicos de consumo inteligentes. China, Taiwán, Japón e India tienen una creciente demanda de dispositivos tecnológicos avanzados como teléfonos inteligentes, dispositivos portátiles, computadoras y portátiles, lo que aumenta aún más el crecimiento del mercado regional. Los productos de GaAs ofrecen una mejor conectividad a través de una transmisión y calidad de datos mejoradas que los dispositivos basados en silicio, por lo que su demanda ha aumentado. Además, los productos de GaAs se pueden fabricar a gran escala con altas tasas de rendimiento, lo que mejora el crecimiento empresarial. También se espera que la creciente penetración de Internet, la expansión de las redes 4G y 5G y la industria electrónica impulsen el desarrollo del mercado de obleas de GaAs en la región.
Un factor importante en la región de Asia Pacífico es la creciente demanda de dispositivos tecnológicos avanzados, como dispositivos informáticos, teléfonos inteligentes, tabletas y computadoras portátiles. Dado que los productos de GaAs, como los transistores, se pueden utilizar para teléfonos inteligentes y otros dispositivos de comunicación inalámbrica, la creciente demanda está impulsando la necesidad de obleas de GaAs a un ritmo prometedor.
China es el principal país que domina el mercado de la industria electrónica debido al considerable apoyo gubernamental, que está fomentando el desarrollo del mercado estudiado en China. Por ejemplo, el gobierno chino está promoviendo su mercado tecnológico interno financiando a los actores de la industria. Estas tendencias están alentando a nuevos actores a ampliar su presencia en el país. Por ejemplo, en febrero de 2023, AXT, un fabricante de sustratos de obleas semiconductoras compuestas, como sustratos de obleas de GaAs, anunció una ampliación de sus operaciones en sus instalaciones de Beijing. La empresa invirtió en instalaciones de extracción de materias primas para fortalecer aún más su posición como proveedor líder de sustratos semiconductores compuestos.
China también se encuentra entre los países líderes en el desarrollo de infraestructura 5G y en la adopción de otras soluciones de movilidad eléctrica y electrónica de consumo. Por ejemplo, según el MIIT, a finales de 2022, China tenía alrededor de 2,31 millones de estaciones base 5G. En conjunto, el crecimiento de estas industrias está creando una perspectiva favorable para el crecimiento del mercado estudiado en China.
Taiwán ha sido testigo del mercado de obleas como una de las áreas críticas del desarrollo tecnológico. Como resultado, también se espera que Taiwán tenga una participación de mercado significativa en el mercado mundial de obleas de GaAs. Empresas de todo Taiwán están abordando las necesidades de la cadena de suministro de arquitecturas avanzadas de empaque a nivel de oblea de front-end y back-end para atender materiales y procesos especiales, influyendo así en el mercado general estudiado.
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Descripción general de la industria de obleas de arseniuro de galio (GaAs)
El mercado de obleas de arseniuro de galio GaAs es competitivo y está altamente concentrado con unas pocas empresas como AXT Inc, Sumitomo Electric Industries Ltd., Semiconductor Wafer Inc, Freiberger Compound Materials GmbH, Xiamen Powerway Advanced Material Co. Ltd, que tienen una participación de mercado significativa. Las empresas establecidas se centran en fortalecer su posición invirtiendo fuertemente en I+D y ofreciendo a los clientes productos mejores y tecnológicamente más avanzados.
En mayo de 2023, QE, un especialista en obleas semiconductoras, presentó una nueva gama de productos de obleas epitaxiales RGB de 200 mm diseñados específicamente para la calificación de pantallas microLED. Según la compañía, se prevé que la epitaxia de GaN y GaAs continúe desempeñando un papel crucial en el impulso de la rápida adopción de microLED.
En mayo de 2022, el Instituto de Ciencias de la Información del Servicio MOSIS de la Universidad del Sur de California y WIN Semiconductors Corp. firmaron un Memorando de Entendimiento (MoU) para acelerar el desarrollo de circuitos integrados de microondas monolíticos de GaAs y GaN con el proceso GaAs y GaN de WIN Semiconductors. tecnologías. La asociación respaldará el flujo de diseño y creación de prototipos confiable, innovador y eficaz a través de proyectos de obleas multiproyecto (MPW) con el servicio MOSIS y WIN Semiconductors.
Líderes del mercado de obleas de arseniuro de galio (GaAs)
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Semiconductor Wafer Inc
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AXT Inc.
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Sumitomo Electric Industries Ltd.
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Freiberger Compound Materials GmbH
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Xiamen Powerway Advanced Material Co. Ltd.
*Nota aclaratoria: los principales jugadores no se ordenaron de un modo en especial
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Noticias del mercado de obleas de arseniuro de galio (GaAs)
- Abril de 2023: Marki Microwave presentó una familia de ecualizadores y atenuadores basados en circuitos integrados de microondas monolíticos de GaAs diseñados utilizando la plataforma CSP (Chip Scale Packaging) de la empresa, pendiente de patente. Con un funcionamiento de muy alta frecuencia en un factor de forma ultrapequeño, estas soluciones se pueden reubicar en las placas de los clientes mediante procesos de ensamblaje de montaje en superficie estándar.
- Febrero de 2022: ProAsia Semiconductor Corporation, una filial de Optotech Corporation, Taiwán, anunció su plan de invertir NT USD 3 mil millones (USD 107,63 millones) para fabricar chips utilizando materiales semiconductores de tercera generación. El programa respaldará la demanda de chips avanzados para los mercados de rápido crecimiento de vehículos eléctricos, 5G y energía verde.
Informe de mercado de obleas de arseniuro de galio (GaAs) – Tabla de contenidos
1. INTRODUCCIÓN
1.1 Supuestos de estudio y definición de mercado
1.2 Alcance del estudio
2. METODOLOGÍA DE INVESTIGACIÓN
3. RESUMEN EJECUTIVO
4. PERSPECTIVAS DEL MERCADO
4.1 Visión general del mercado
4.2 Atractivo de la industria: análisis de las cinco fuerzas de Porter
4.2.1 El poder de negociacion de los proveedores
4.2.2 El poder de negociación de los compradores
4.2.3 Amenaza de nuevos participantes
4.2.4 Amenaza de productos sustitutos
4.2.5 La intensidad de la rivalidad competitiva
4.3 Instantánea de la tecnología
4.3.1 GaAs cultivado con Czochralski (LEC) encapsulado líquido
4.3.2 GaAs cultivado con congelación de gradiente vertical (VGF)
4.4 Evaluación del Impacto del COVID-19 en el Mercado
5. DINÁMICA DEL MERCADO
5.1 Indicadores de mercado
5.1.1 Adopción creciente de infraestructura 5G en todo el mundo
5.1.2 Creciente demanda de dispositivos optoelectrónicos
5.2 Restricciones del mercado
5.2.1 Alto costo de producción
6. SEGMENTACIÓN DE MERCADO
6.1 Por aplicación
6.1.1 Electrónica de radiofrecuencia
6.1.2 La luz emite diodos
6.1.3 Dispositivos fotovoltaicos
6.1.4 Dispositivos fototónicos
6.1.5 Otras aplicaciones
6.2 Por geografía
6.2.1 Estados Unidos
6.2.2 Taiwán
6.2.3 Porcelana
6.2.4 Japón
6.2.5 Reino Unido
6.2.6 Alemania
6.2.7 Resto del mundo
7. PANORAMA COMPETITIVO
7.1 Perfiles de empresa
7.1.1 Semiconductor Wafer Inc
7.1.2 AXT Inc.
7.1.3 Freiberger Compound Materials GmbH
7.1.4 Xiamen Powerway Advanced Material Co. Ltd.
7.1.5 Sumitomo Electric Industries Ltd.
7.1.6 Wafer Technology Ltd.
7.1.7 MTI Corporation
7.1.8 Vital Materials Co Limited
7.1.9 Dowa Electronics Materials Co. Ltd.
7.1.10 American Elements
8. ANÁLISIS DE INVERSIONES
9. OPORTUNIDADES DE MERCADO Y TENDENCIAS FUTURAS
Segmentación de la industria de obleas de arseniuro de galio (GaAs)
Las obleas de GaAs encuentran aplicación en aplicaciones de conmutación electrónica rápida y de radiofrecuencia ultraalta. GaAs Wafer es un semiconductor compuesto de banda prohibida directa III-V que se utiliza para múltiples aplicaciones. Es una mezcla de dos elementos galio (Ga) y arseniuro (As) y tiene una estructura cristalina de mezcla de zinc. GaAs tiene una banda prohibida directa que permite la emisión y absorción de luz de manera eficiente. Tiene una movilidad de electrones excepcionalmente alta, lo que permite que los transistores de GaAs funcionen a frecuencias superiores a 250 GHz y reduce el ruido al que las altas frecuencias tienden a disminuir la perturbación de la señal eléctrica en los circuitos electrónicos. Las obleas de GaAs tienen un amplio rango de funcionamiento de temperatura o una alta resistencia térmica.
El mercado de obleas de arseniuro de galio GaAs proporciona una visión detallada de las tendencias actuales del mercado, la demanda en las principales industrias de usuarios finales y las oportunidades futuras emergentes. El estudio segmenta el mercado por Aplicación (Electrónica de Radiofrecuencia, Diodos Emisores de Luz, Dispositivos Fotovoltaicos, Dispositivos Fototónicos) y Geografía (Estados Unidos, Taiwán, China, Japón, Reino Unido, Alemania y Resto del Mundo). El informe ofrece el tamaño del mercado en términos de valor en USD para todos los segmentos mencionados anteriormente.
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Preguntas frecuentes sobre investigación de mercado de oblea de arseniuro de galio (GaAs)
¿Qué tamaño tiene el mercado de obleas de arseniuro de galio GaAs?
Se espera que el tamaño del mercado de obleas de arseniuro de galio GaAs alcance los 1,18 mil millones de dólares en 2024 y crezca a una tasa compuesta anual del 11,44% para alcanzar los 2,03 mil millones de dólares en 2029.
¿Cuál es el tamaño actual del mercado de Oblea de arseniuro de galio GaAs?
En 2024, se espera que el tamaño del mercado de obleas de arseniuro de galio GaAs alcance los 1,18 mil millones de dólares.
¿Quiénes son los actores clave en el mercado Oblea de arseniuro de galio GaAs?
Semiconductor Wafer Inc, AXT Inc., Sumitomo Electric Industries Ltd., Freiberger Compound Materials GmbH, Xiamen Powerway Advanced Material Co. Ltd. son las principales empresas que operan en el mercado de obleas de arseniuro de galio GaAs.
¿Cuál es la región de más rápido crecimiento en el mercado de obleas de arseniuro de galio GaAs?
Se estima que América del Norte crecerá a la CAGR más alta durante el período previsto (2024-2029).
¿Qué región tiene la mayor participación en el mercado de obleas de arseniuro de galio GaAs?
En 2024, Asia Pacífico representa la mayor cuota de mercado en el mercado de obleas de arseniuro de galio GaAs.
¿Qué años cubre este mercado de obleas de arseniuro de galio GaAs y cuál fue el tamaño del mercado en 2023?
En 2023, el tamaño del mercado de obleas de arseniuro de galio GaAs se estimó en 1.060 millones de dólares. El informe cubre el tamaño histórico del mercado de Obleas de arseniuro de galio GaAs para los años 2019, 2020, 2021, 2022 y 2023. El informe también pronostica el tamaño del mercado de Obleas de arseniuro de galio GaAs para los años 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 y 2029.
Informe de la industria de obleas de GaAs
Estadísticas para la participación de mercado, el tamaño y la tasa de crecimiento de ingresos de obleas de GaAs en 2024, creadas por Mordor Intelligence™ Industry Reports. El análisis de GaAs Wafer incluye una perspectiva de previsión del mercado hasta 2029 y una descripción histórica. Obtenga una muestra de este análisis de la industria como descarga gratuita del informe en PDF.
Oblea de GaAs de arseniuro de galio Panorama de los reportes
