Tamaño del mercado de transistores de potencia de Europa
| Período de Estudio | 2019 - 2029 |
| Año Base Para Estimación | 2023 |
| Período de Datos Pronosticados | 2024 - 2029 |
| Período de Datos Históricos | 2019 - 2022 |
| CAGR | 3.30 % |
| Concentración del Mercado | Medio |
Principales actores
*Nota aclaratoria: los principales jugadores no se ordenaron de un modo en especial |
¿Cómo podemos ayudarte?
Análisis del mercado de transistores de potencia de Europa
El mercado europeo de transistores de potencia se valoró en USD 3.973,64 millones y se espera que registre una CAGR del 3,3 % durante el período de pronóstico para convertirse en USD 4828,258 millones al final del período de pronóstico.
- Se prevé que el aumento de la demanda de dispositivos conectados tenga un impacto significativo en el crecimiento del mercado mundial de transistores de potencia en el transcurso del período de pronóstico. Los transistores de potencia ayudan a disipar rápidamente el calor, evitan el sobrecalentamiento, reducen las emisiones de dióxido de carbono y ahorran costos de electricidad.
- Según Cisco, se estima que el número de dispositivos conectados en red en Europa Central y Oriental aumentará de 1.200 millones en 2018 a 2.000 millones en 2023. Para 2023, Europa Central y Oriental tendría 4.0 dispositivos conectados en red por persona, frente a los 2.5 de 2018.
- Los transistores de potencia se utilizan generalmente en aplicaciones automotrices debido a su capacidad para manejar de manera eficiente altos niveles de voltaje y corriente. Se utilizan en diversas áreas del vehículo, incluidos los sistemas de control del motor, los sistemas de transmisión, la gestión de la energía, la gestión de la batería y los sistemas de iluminación, entre otros.
- Los transistores de potencia para automóviles están diseñados para cumplir con estrictos requisitos de confiabilidad, durabilidad y seguridad. Se emplean en circuitos de control de motores para regular la velocidad del motor. También se utilizan en vehículos eléctricos e híbridos para controlar el motor utilizado para la propulsión. Los transistores de potencia se utilizan en sistemas de gestión de baterías para monitorear el estado de la batería y el estado de carga, para controlar la corriente de carga y en sistemas de transmisión automática para controlar el cambio de marchas.
- Los factores adicionales que se prevé que impulsen el mercado en estudio incluyen la seguridad, el infoentretenimiento, la navegación y la eficiencia del combustible en los componentes automotrices, así como la seguridad, la automatización, la iluminación de estado sólido, el transporte y la gestión de la energía en los componentes industriales. Por ejemplo, se prevé que el transistor bipolar de puerta aislada (IGBT), un elemento clave del sistema de electrónica de potencia de los vehículos eléctricos, experimente una gran demanda a medida que aumenten las ventas de vehículos eléctricos a nivel internacional.
- Según la Autoridad Federal de Transporte Motorizado, en Alemania, el 1,2% de todos los turismos fueron electrificados (vehículos eléctricos de batería (BEV) y vehículos eléctricos híbridos enchufables (PHEV)) en 2020. La previsión indica que para 2030, la participación aumentará al 24,4% o más de 11,55 millones de vehículos. Tal aumento en los vehículos eléctricos (EV) impulsaría el mercado.
- La región también está siendo testigo de varias innovaciones que satisfacen las complejas demandas de los consumidores. Por ejemplo, en junio de 2022, científicos del Centro Integrado de Física Aplicada y Materiales Fotónicos (IAPP) de Dresde crearon el primer transistor orgánico bipolar vertical de alto rendimiento, allanando el camino para la creación de sistemas lógicos orgánicos adaptables. En los últimos 20 años, se han creado transistores orgánicos de efecto de campo (FET) para usos como controladores de pantalla; Sin embargo, debido a su escasa movilidad del portador de carga, solo pueden operar en el rango de megahercios bajos a medios. El transistor de unión bipolar, por otro lado, proporciona baja capacitancia y resistencia de contacto, pero enfrenta dificultades con la miniaturización y la integración de procesos.
- Por otro lado, la tecnología de transistores de potencia se enfrenta a una serie de desafíos. Algunos de estos desafíos están relacionados con el rendimiento del dispositivo, como la mejora de la eficiencia y la densidad de potencia. Otros desafíos están relacionados con la confiabilidad del dispositivo, como reducir el riesgo de estrés térmico y mejorar la confiabilidad bajo altos voltajes. Los transistores de potencia generan mucho calor durante el funcionamiento, lo que puede causar problemas de fiabilidad y limitar la densidad de potencia de los dispositivos. Mejorar la gestión térmica de los transistores de potencia es un reto importante.
- Además, el brote de COVID-19 afectó a las instalaciones de producción de las industrias automotrices de todo el mundo. El brote de COVID-19 en los países europeos afectó a la industria automotriz de la región. Según la Asociación de Fabricantes de Automóviles Extranjeros y la Asociación Nacional de Representantes Sindicales de Vehículos de Asuntos Exteriores (UNRAE), el brote de COVID-19 y las débiles perspectivas económicas provocaron una caída de la demanda en el sector automotriz. Tales factores podrían restringir el crecimiento del mercado estudiado en la región.
Tendencias del mercado de transistores de potencia en Europa
Se espera que el segmento de electrónica de consumo impulse el crecimiento del mercado
- Los transistores de potencia encuentran una amplia aplicación en la electrónica de consumo. La creciente popularidad de la electrónica de consumo, como auriculares, computadoras portátiles, teléfonos inteligentes, dispositivos portátiles y otros dispositivos portátiles, contribuye a la expansión del segmento. La creciente demanda de electrónica de consumo de audio de alta definición, carga rápida y diseños más eficientes energéticamente impulsará el crecimiento de la tecnología de nitruro de galio (GaN). La tecnología de transistores GaN dará la adaptación necesaria para mejorar el mundo digital.
- El mercado de dispositivos habilitados para 5G crecerá en el futuro en la región debido al aumento del consumo y los requisitos de procesamiento de datos. Los fabricantes de chips para teléfonos inteligentes habilitados para 5G se encontrarán con una mayor demanda de procesadores 5G para satisfacer la creciente demanda de teléfonos habilitados para 5G. El aumento de los chips semiconductores contribuirá al desarrollo del semiconductor, lo que acabará respaldando la necesidad de transistores de potencia. Según Ericsson, en 2022 hubo 60,45 millones de suscripciones móviles 5G en Europa Occidental.
- Los relojes inteligentes suelen utilizar transistores de baja potencia, como los transistores de efecto de campo (MOSFET) de semiconductores de óxido metálico, para ayudar a conservar la energía y prolongar la vida útil de la batería. La administración de energía es una parte fundamental del diseño de relojes inteligentes, ya que estos dispositivos están diseñados para usarse durante largos períodos y deben poder funcionar con una sola carga. La introducción de nuevos relojes inteligentes impulsaría el mercado.
- En ese sentido, en junio de 2022, Montblanc presentó la próxima ola de relojes Wear OS 3, incluido el Summit 3, con un precio de 1.290 dólares. Este lanzamiento representa una mejora significativa de los relojes premium de Montblanc. Los nuevos relojes ofrecen una serie de características y funcionalidades. Por ejemplo, algunas esferas de reloj están diseñadas para imitar los modelos mecánicos icónicos de Montblanc, como el Geosphere de 1858. Además, los relojes inteligentes vienen equipados con capacidades avanzadas como monitoreo de oxígeno en sangre, seguimiento del sueño y soporte para Google Pay.
- Los teléfonos inteligentes son el principal consumidor de transistores de potencia en este segmento. El smartphone ha sido un mercado muy competitivo en los últimos años. Las empresas han incluido varios sensores nuevos en el pasado que consumen mucha batería. Los fabricantes están desarrollando cargadores de teléfonos inteligentes que podrían cargar el dispositivo en una duración más corta, por lo que la clasificación actual de estos ha pasado de 0,5 miliamperios a 5 miliamperios. El transistor de potencia en el adaptador juega un papel fundamental en el mantenimiento de los niveles de corriente y voltaje requeridos. Ha habido muchos casos en los que un adaptador falsificado ha explotado el dispositivo.
- Según Ericsson, para 2027, las suscripciones de teléfonos inteligentes de Europa Occidental ascenderán a 439 millones. En 2021, Europa Occidental tenía aproximadamente 404 millones de suscriptores de teléfonos inteligentes. Sobre la base de la evolución constante de años anteriores, se prevé que el número de suscriptores de teléfonos inteligentes en Europa Central y Oriental alcance los 427 millones en 2027. Es probable que este aumento en la adopción de teléfonos inteligentes impulse el crecimiento del mercado estudiado.
Para comprender las principales tendencias, descargue el informe de muestra
Se espera que el Reino Unido experimente un alto crecimiento del mercado
- En el Reino Unido, los transistores de potencia de nitruro de galio (GaN) se utilizan en centros de datos para crear fuentes de alimentación y otras aplicaciones con tamaños más pequeños, mayor eficiencia y un mayor retorno de la inversión. Los transistores GaN de próxima generación permiten a los centros de datos generar aún más ahorros, así como una mayor densidad de potencia y eficiencia.
- Por ejemplo, según un informe de estrategia digital del gobierno del Reino Unido, en promedio, los centros de datos respaldan la economía de Internet, que representa casi el 16% del PIB nacional, el 10% del empleo y el 24% de todas las exportaciones del Reino Unido, y se está expandiendo más rápidamente que cualquier otra economía del G-20.
- Mientras que la contribución anual al VAB de un centro de datos existente se estima entre 291 millones de libras esterlinas (401,58 millones de dólares) y 320 millones de libras esterlinas (441,60 millones de dólares), cada nuevo centro de datos oscila entre 397 millones de libras esterlinas (547,86 millones de dólares) y 436 millones de libras esterlinas (601,68 millones de dólares). Tales inversiones en la construcción de centros de datos impulsarían el mercado estudiado.
- Además, el país se ha fijado el objetivo de que su transporte sea totalmente eléctrico para 2040, prohibiendo la venta de nuevos coches diésel y de gasolina. En línea con este objetivo, el mercado de vehículos eléctricos (VE) en el país se está expandiendo de manera constante, con un aumento del 71% en el número de vehículos eléctricos en el Reino Unido en 2021, en comparación con 2020, según la Sociedad de Fabricantes y Comerciantes de Automóviles (SMMT). A medida que el Reino Unido se prepara para hacer la transición a la producción de vehículos eléctricos puros en los próximos años, y algunos fabricantes y marcas se comprometen a ser 100% eléctricos a partir de 2025, la demanda de dispositivos y sistemas electrónicos de potencia críticos aumentará. Esto impulsará aún más el crecimiento del mercado.
- Para satisfacer las diversas demandas de los clientes, las empresas de la región están desarrollando nuevos productos. Por ejemplo, en marzo de 2022, una empresa británica de GaN, Fabless, lanzó transistores de potencia de fácil conducción con detección de corriente. La compañía está aprovechando la integración monolítica de GaN, denominada 'ICeGaN', para ajustar el comportamiento de compuerta de los transistores de potencia de GaN sin el uso de emparejamiento en cascada, lo que les permite ser compatibles con los controladores diseñados para los transistores de efecto de campo (MOSFET) clásicos de semiconductores de óxido metálico de silicio. Al mismo tiempo, se ha añadido una salida de detección de corriente, que se utiliza conectando una resistencia externa de baja potencia y bajo valor (10) desde la salida CS a 0V y amplificando la tensión resultante mediante un amplificador operacional.
- Los transistores de potencia se utilizan ampliamente en la industria de la energía y la potencia para diversas aplicaciones, incluida la conversión de energía, los interruptores de alto voltaje y la amplificación de señales. Se utilizan en dispositivos electrónicos de potencia, como inversores y convertidores, para convertir la energía eléctrica de una forma a otra. Por ejemplo, en los paneles solares, los transistores de potencia se pueden utilizar para convertir la energía de CC en energía de CA adecuada para uso doméstico.
- Según GOV.UK, a medida que el Reino Unido se aleja gradualmente de la dependencia de los combustibles fósiles, es probable que la generación de electricidad a partir de energías renovables aumente en las próximas décadas. Las proyecciones indican que, para 2040, más de la mitad de la capacidad de generación de electricidad de los principales productores de energía será de fuentes renovables, lo que ascenderá a 100 gigavatios. Tal aumento en las actividades de generación de energía en la región ofrecería oportunidades lucrativas para que los actores del mercado amplíen la penetración de sus productos.
Para comprender las tendencias encontradas en su región, descargue el informe de muestra
Visión general de la industria de transistores de potencia en Europa
El mercado europeo de transistores de potencia está moderadamente fragmentado, con la presencia de varios actores como Infineon Technologies, Renesas Electronics, Texas Instruments, etc. Dado que el mercado es muy competitivo, los actores del mercado se esfuerzan constantemente por adoptar tecnologías avanzadas e innovar productos integrales para satisfacer las necesidades cambiantes de sus clientes.
En marzo de 2023, LITEON Technology eligió el transistor de efecto de campo (FET) de nitruro de galio (GaN) altamente integrado de Texas Instruments más C2000TM microcontroladores en tiempo real (MCU) para su última fuente de alimentación (PSU) de servidor de alto rendimiento para el mercado norteamericano, según la empresa. La fuente de alimentación recientemente comercializada, que utiliza el FET de GaN LMG3522R030 de TI y un MCU en tiempo real TMS320F28003x C2000, tiene una densidad de potencia de más de 95 W/in3 y cumple con los criterios de 80 Plus Titanium.
En abril de 2022, Mitsubishi Electric anunció sus planes de enviar muestras de su módulo de transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de 2,0 kV para uso industrial el próximo mes. Se prevé que el módulo IGBT de la serie T tipo LV100 reduzca el tamaño y el consumo de energía de los convertidores de 1500 V para fuentes de energía renovable con una frecuencia de conmutación de 1 a 5 kHz. 1500 V es el límite superior de la Directiva de Baja Tensión de la UE, lo que podría ser difícil de lograr con dispositivos de 1700 V. Las muestras de módulos tienen una capacidad de tensión de bloqueo de 2,0 kV para sistemas de energía de gran capacidad de varios cientos de kW a varios MW.
Líderes del mercado europeo de transistores de potencia
-
Infineon Technologies AG
-
Renesas Electronics Corporation
-
Texas Instruments Inc.
-
NXP Semiconductors N.V.
-
Mitsubishi Electric Corporation
*Nota aclaratoria: los principales jugadores no se ordenaron de un modo en especial
¿Necesita más detalles sobre los jugadores y competidores del mercado?
Noticias del mercado de transistores de potencia de Europa
- Marzo de 2023 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation presentó el transistor bipolar (IGBT) de puerta aislada discreta de 650 V GT30J65MRB para circuitos de corrección del factor de potencia (PFC) en acondicionadores de aire y grandes fuentes de alimentación para equipos industriales. Toshiba incorpora el método más reciente en su nuevo IGBT. Una estructura de zanja optimizada logra una baja pérdida de conmutación líder en la industria (pérdida de conmutación por apagado) de 0,35 mJ, aproximadamente un 42% más baja que el producto anterior de Toshiba, GT50JR22. El nuevo IGBT también incluye un diodo con una tensión directa de 1,20 V, aproximadamente un 43% inferior a la GT50JR22.
- Enero de 2023 NXP presentó el MMRF5018HS 125 W CW GaN en el transistor de potencia de SiC RF. El MMRF5018HS está contenido en un paquete cerámico de cámara de aire NI-400HS con un Rth bajo. El MMRF5018HS es apropiado para aplicaciones de RF de CW, pulso y banda ancha debido a su alta ganancia y robustez. El rendimiento de banda ancha de varias octavas MMRF5018HS está optimizado para aplicaciones de 1 a 2700 MHz. Las térmicas se convierten en un factor importante en la forma de sacar el calor mientras se ejecuta a anchos de banda tan amplios a alta potencia. Con su baja resistencia térmica de 1,21 ° C / W (FEA calculada) de resistencia térmica de canal a caso a 90 ° C y 109 W disipada, NXP continúa fortaleciendo nuestra cartera de GaN de banda ancha.
Table of Contents
1. INTRODUCCIÓN
1.1 Supuestos de estudio y definición de mercado
1.2 Alcance del estudio
2. METODOLOGÍA DE INVESTIGACIÓN
3. RESUMEN EJECUTIVO
4. PERSPECTIVAS DEL MERCADO
4.1 Visión general del mercado
4.2 Atractivo de la industria: análisis de las cinco fuerzas de Porter
4.2.1 El poder de negociacion de los proveedores
4.2.2 El poder de negociación de los compradores
4.2.3 Amenaza de nuevos participantes
4.2.4 La intensidad de la rivalidad competitiva
4.2.5 Amenaza de sustitutos
4.3 Tendencias Tecnológicas
4.4 Análisis de la cadena de valor
4.5 Evaluación del Impacto del COVID-19 en el Mercado
5. DINÁMICA DEL MERCADO
5.1 Indicadores de mercado
5.1.1 Aumento de la demanda de dispositivos conectados
5.1.2 La creciente demanda de dispositivos electrónicos energéticamente eficientes
5.2 El mercado se restringe
5.2.1 Limitaciones en las operaciones debido a restricciones como temperatura, frecuencia, capacidad de bloqueo inverso, etc.
6. SEGMENACIÓN DEL MERCADO
6.1 Por producto
6.1.1 FET de bajo voltaje
6.1.2 Módulos IGBT
6.1.3 Transistores de RF y microondas
6.1.4 FET de alto voltaje
6.1.5 Transistores IGBT
6.2 Por tipo
6.2.1 Transistor de unión bipolar
6.2.2 Transistor de efecto de campo
6.2.3 Transistor bipolar de heterounión
6.2.4 Otros tipos (MOSFET, JFET, transistor NPN, transistor PNP, transistor GaN)
6.3 Por usuario final
6.3.1 Electrónica de consumo
6.3.2 Comunicación y Tecnología
6.3.3 Automotor
6.3.4 Energía y potencia
6.3.5 Fabricación
6.3.6 Otras industrias de usuarios finales
6.4 Por geografía
6.4.1 Reino Unido
6.4.2 Alemania
6.4.3 Francia
6.4.4 Italia
6.4.5 El resto de Europa
7. PANORAMA COMPETITIVO
7.1 Perfiles de empresa
7.1.1 Infineon Technologies AG
7.1.2 Renesas Electronics Corporation
7.1.3 Texas Instruments Inc.
7.1.4 STMicroelectronics N.V.
7.1.5 Mitsubishi Electric Corporation
7.1.6 Toshiba Corporation
7.1.7 Skyworks Solutions, Inc.
7.1.8 ON Semiconductor
7.1.9 NXP Semiconductors N.V.
8. ANÁLISIS DE INVERSIONES
9. FUTURO DEL MERCADO
Segmentación de la industria de transistores de potencia en Europa
Los transistores de potencia se utilizan para amplificar y regular las señales. Están hechos de materiales semiconductores de alto rendimiento como el germanio y el silicio. Estos transistores pueden amplificar y regular un cierto nivel de voltaje y manejar rangos específicos de clasificaciones de voltaje de alto y bajo nivel.
El mercado europeo de transistores de potencia está segmentado por producto (FET de bajo voltaje, módulos IGBT, transistores de RF y microondas, FET de alto voltaje y transistores IGBT), por tipo (transistor de unión bipolar, transistor de efecto de campo, transistor bipolar de heterounión y otros tipos), por usuario final (electrónica de consumo, comunicación y tecnología, automotriz, fabricación, energía y energía, y otros usuarios finales) y geografía (Reino Unido, Alemania, Francia, Italia, Resto de Europa).
Los tamaños de mercado y las previsiones se proporcionan en términos de valor (millones de USD) para todos los segmentos anteriores.
Frequently Asked Questions
¿Cuál es el tamaño actual del mercado de transistores de potencia de Europa?
Se proyecta que el mercado europeo de transistores de potencia registre una CAGR del 3,30 % durante el período de pronóstico (2024-2029)
¿Quiénes son los actores clave en el mercado europeo de transistores de potencia?
Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, Texas Instruments Inc., NXP Semiconductors N.V., Mitsubishi Electric Corporation son las principales empresas que operan en el mercado europeo de transistores de potencia.
¿Qué años cubre este mercado europeo de transistores de potencia?
El informe cubre el tamaño histórico del mercado de transistores de potencia de Europa durante años 2019, 2020, 2021, 2022 y 2023. El informe también pronostica el tamaño del mercado europeo de transistores de potencia para los años 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 y 2029.
Informe de la industria de transistores de potencia en Europa
Estadísticas de la cuota de mercado, el tamaño y la tasa de crecimiento de los ingresos de los transistores de potencia en Europa en 2024, creadas por Mordor Intelligence™ Industry Reports. El análisis de transistores de potencia de Europa incluye una perspectiva de pronóstico del mercado y una descripción histórica. Obtener una muestra de este análisis de la industria como un informe gratuito para descargar en PDF.
Transistor de potencia de Europa Panorama de los reportes
